Cтраница 1
![]() |
Схема параметрического генератора света. [1] |
Параметрическое усиление служит физической основой для создания параметрических генераторов света. [2]
Параметрическое усиление связано с распадом фотона накачки на сигнальный фотон и фотон холостой волны. Далее было принято, что лазерная волна заметно не ослабляется и поэтому возможен расчет с постоянным во времени модулем ее амплитуды. [3]
Параметрическое усиление основывается на том факте, что когда высокочастотный источник ( накачка) и низкочастотный источник ( сигнал) подключены к нелинейной реактивности, поток мощности на разностной частоте вносит отрицательную проводимость в контур сигнала. Величина отрицательной проводимости возрастает с ростом уровне высокочастотного сигнала накачки, а также с уменьшением ширины полосы усилителя. Узкая ширина полосы имеет дополнительное преимущество ослабления мощности, рассеиваемой в боковых полосах, отличных от той, которая нас интересует. [4]
Параметрическое усиление при наличии частотной модуляции импульсов накачки эквивалентно усилению со сдвигом частотной полосы во времени. [5]
Широкополосное параметрическое усиление позволяет во многих случаях увеличить энергию ЧМ импульсов на пять - шесть порядков без искажения их частотных характеристик. Кроме того, сопутствующая генерация фазосопряженного импульса на холостой длине волны позволяет реализовать обращение частотной модуляции в пикосекунд-ном диапазоне длительностей. [6]
Режим параметрического усиления существенно отличается от рассмотренного в предыдущем параграфе режима возбуждения. [7]
![]() |
Схема колебательного контура с изменяющейся во времени емкостью. [8] |
Смысл параметрического усиления с помощью переменной емкости сводится к следующему. [9]
Для параметрического усиления могут быть использованы различные типы полупроводниковых диодов: точечные, плоскостные сплавные, плоскостные диффузионные. Различным может быть и их конструктивное оформление. При использовании параметрических диодов для усиления на СВЧ их конструкция должна, очевидно, отвечать общим требованиям, предъявляемым к конструкции СВЧ диодов. [10]
Сущность параметрического усиления состоит в том, что при помощи нелинейного реактивного элемента, играющего роль преобразователя частоты, из частот питания и сигнала образуются комбинационные частоты; при этом происходит такое перераспределение мощности по комбинационному спектру, что мощность, отбираемая от усилителя на комбинационных частотах, больше, чем мощность входного сигнала. [11]
Для параметрического усиления и преобразования света, генерации оптических гармоник обычно используют нерезонансный электронный нелинейный отклик газов н кондеснрованных сред. Время установления отклика тнл не превышает при этом 10 - 14 с. Увеличение интенснвностн света, достигаемое при синхронизации мод в лазере ( фокусировка во времени) приводит к существенному повышению эффективности нелинейного взаимодействия волн. [12]
Принципы параметрического усиления в некоторых случаях были применены к лампам с продольным пучком типа ЛБВ. [13]
При параметрическом усилении использовались все способы получения фазового синхронизма, указанные в разд. Основное отличие четырехволнового смешения от параметрического усиления состоит в наличии либо отсутствии в световоде введенной извне сигнальной волны на частоте, для которой выполняется условие фазового синхронизма. В отсут IBHC такой ччтравки вместо нее выступают шумы. [15]