Cтраница 4
Следовательно, начиная с этих частот возможно эффективное параметрическое усиление поля в сферическом резонаторе и влияние дифракционного рассогласования оказывается преодоленным. [46]
Сверхпроводниковые усилители также основаны на принципе параметрического усиления, но в них периодически изменяется не емкость, а индуктивность колебательной системы. В сверхпроводящей пленке возникает так называемая сверхиндуктивность Lh, обусловленная взаимодействием возникающих в ней высокоэнергетических электронных пар. Индуктивность LK при определенном выборе геометрии пленки может преобладать над обычной индуктивностью L проводника. [47]
Сверхпроводниковые усилители также основаны на принципе параметрического усиления, но в них периодически изменяется не емкость, а индуктивность колебательной системы. Индуктивным элементом такого усилителя служит тонкая пленка сверхпроводника при температуре ниже Гкр. В сверхпроводящей пленке возникает так называемая сверхиндуктивность LK, обусловленная взаимодействием возникающих в ней высокоэнергетических электронных пар. Индуктивность LK при определенном выборе геометрии пленки может преобладать над обычной индуктивностью L проводника. [48]
Рассмотрим теперь процесс, который называется параметрическим усилением. [49]
Следует отметить, что в принципе процесс параметрического усиления может быть осуществлен при весьма низком уровне шумов усилителя, поскольку рассмотренный механизм усиления не связан с транспортировкой зарядов и соответствующими ей дробовыми шумами. Шумы же, возникающие вследствие активных потерь в реактивности, при рациональной технологии изготовления последней могут быть доведены до очень малых значений. [50]
При мощной накачке может иметь место явление параметрического усиления на оптических частотах. Для наблюдения этого эффекта необходимо обеспечить условие согласования фаз на частоте биений вр - cos он, которую называют холостой частотой. Затем при возрастании поля холостой частоты оно вновь смешивается с полем-накачки и генерирует частоту сигнала, который усиливается за счет мощности накачки. [51]
Использование нелинейной емкости р-п переходов СВЧ диодов для параметрического усиления сигналов приобрело настолько важное значение, что переросло в самостоятельный раздел полупроводниковой техники. Этой области использования полупроводниковых диодов будет посвящен следующий параграф. [52]
При этом дополнительные фазовые искажения, относящиеся к специфике параметрического усиления, определяются главным образом стабильностью генератора накачки. [53]
Это свойство p - n - перехода используется для получения параметрического усиления. Группу приборов, работающих в параметрических усилителях, составляют параметрические диоды, реактотроны и варакторы. [54]