Условие - нейтральность
Cтраница 2
При температурах, лежащих за точкой пересечения, упрощенное условие нейтральности п - р не выполняется. [16]
Соотношение между хпп и х Пр получается при условии нейтральности полного объемного заряда. [17]
В другом крайнем случае, когда Ке KV, условие нейтральности имеет вид х о жхр. [18]
Таким образом, ф0 зависит от б и через условие нейтральности - от пространственного заряда в кристалле. [19]
В другом крайнем случае, когда Ке СД с, условие нейтральности имеет вид XQ хр. [20]
Во всех рассмотренных выше случаях предполагалось, что должно выполняться условие нейтральности. Это условие является справедливым, когда речь идет об объемных свойствах больших кристаллов. [21]
Возможное решение для рВ2 С, полученное обычным приемом аппроксимации условия нейтральности, показано на рис. XIII. Наклон линий нейтральных дефектов во всей температурной области одинаков, поскольку концентрации дефектов не входят в уравнение нейтральности и определяются только условиями равновесия кристалл - пар. [22]
Конечно, переход кажется еще более резким в результате применения приближенного условия нейтральности. Но даже и при точном решении переход происходит в узкой области значений R. Это указывает на то, что имеется лишь небольшое различие в свободной энергии кристалла с избытком А и В, равным Ks / 2 ( рис. XIII. В результате фактически нельзя приготовить кристаллы с воспроизводимым отклонением от стехиометрии меньше, чем Ks или К, как бы малы они ни были. Влияние этого факта на фазовые диаграммы рассматривается в разделе XV.2. Состояние, соответствующее рис. XIII. Однако, по существу, в любом случае принимают участие оба механизма проводимости. [23]
В варианте а) число свободных электронов в ячейке фиксировано условием нейтральности в среднем, а варианту б) соответствует строго нейтральная ячейка с постоянным полным числом электронов. [24]
Когда примесные атомы создают заряженные центры, их концентрации входят в условие нейтральности и поэтому могут оказывать влияние на концентрацию заряженных собственных дефектов кристалла. Грубо говоря, общий эффект от присутствия примесных атомов двух разных типов представляет собой алгебраическую сумму эффектов для примесных атомов каждого типа. При одинаковых зарядах примесных центров ( например, если оба они являются либо донорами, либо акцепторами) эффекты складываются; при противоположных зарядах ( одна примесь - донор а другая - акцептор) эффекты вычитаются; если суммарный заряд равен нулю, то эффект отсутствует. [25]
ДЭС, приходящийся на 1 см. поверхности и равный ( по условию нейтральности) заряду плотной части ДЭС. [27]
Если предложенная выше модель правильна, то при средних температурах, когда условие нейтральности в чистом теллуре описывается равенством п р ( см. разд. В конце концов это может привести к тому, что иод в целом будет действовать как донор. Такой результат, вероятно, можно получить при выращивании кристаллов теллура методом химических транспортных реакций с использованием иода в качестве транспортирующего агента. [28]
 |
Зависимость концентрации дефектов от активности доноров при постоянной. [29] |
Если же количество атомов акцептора в кристалле настолько велико, что они определяют условие нейтральности ( рис. XI 1.2, б), то растворимость любой из примесей увеличивается в присутствии другой при всех концентрациях донора. [30]
Страницы: 1 2 3 4