Cтраница 3
С смеси К2С03 - Nb205 и бы строго охлаждения ( 100 С / ч) были получены кубиче ские по форме чистые кристаллы ниобата калия, величи на которых достигала 1 - 2 мм. Тимофеева и Попова [56] исследовали условия выращивания монокристаллов нио бата калия методом дифференциального термического а анализа системы К20 - Nb205 в интервале температур от 900 до 1400 С. [31]
Как следует из приведенных данных, достигаемые на практике пределы легирования в 2 - 10 раз ниже максимальной растворимости примесей в кристалле. Это свидетельствует о том, что условия выращивания значительно отличаются от равновесных. Основным фактором, влияющим на величину предела легирования, является концентрационное переохлаждение. В то же время концентрации примесей, необходимые для его появления, в большинстве случаев значительно ниже, чем достигаемые пределы легирования. По-видимому, для появления поликристаллической структуры необходима определенная величина концентрационного переохлаждения и предел легирования характеризует ту концентрацию примесей, при которой эта величина переохлаждения достигается. То, что для фосфора и мышьяка в кремнии получились обратные результаты, автор связывает с недостаточной чистотой легирующих добавок. [32]
Итак, в 1985 году я решил исследовать, какая новая культура необходима для пересечения запрещенной зоны продуктами интеллектуальной собственности. С тех пор я многое изучил и понял, что условия выращивания такой культуры уникальны и зависят от конкретных обстоятельств. [33]
Вообще, первый выращенный кристалл может быть непоказательным. Если же неудовлетворительным окажется и второй кристалл, следует изменить условия выращивания. [34]
Эдварс и Пфейль [17, 71], вероятно, первыми вырастили кристаллы железа методом деформационного отжига. Этим способом удается выращивать кристаллы железа удовлетворительного качества, но условия выращивания сильно зависят от чистоты исходного материала. Железо с содержанием свыше 0 05 % углерода ( мягкая сталь) не рекристаллизуется. Оптимальный размер зерен в исходном материале составляет около 0 1 мм. После создания критической деформации поверхностные слои стравливают или удаляют электрополировкой. Затем образец отжигают 72 ч при 880 - 900 С. Иногда после окончания ростового отжига поверхностный поликристаллический слой образца необходимо стравить, чтобы выявить крупные кристаллы. [35]
Пленки, выращиваемые на сильно нагретых подложках, имеют достаточно высокую проводимость Аг-типа. Удельное, сопротивление и фотопроводимость зависят также и от других параметров процесса осаждения, поскольку условия выращивания пленок влияют на плотность состояний в запрещенной зоне. [36]
Метод питательной пленки уже применяется для выращивания растений как в открытом грунте, так и в теплицах в Англии и, ряде других стран. Кроме того, он может получить широкое распространение как метод исследования, поскольку позволяет легко контролировать условия выращивания. Для борьбы с заболеваниями и подавления нежелательной микрэ лоры в систему можно добавлять фунгициды, пестициды и - антибиотики. [37]
Здесь нельзя обойтись без зеленых растений, например для выращивания большинства видов тлей и многих клещей, поэтому условия выращивания ( интенсивность и продолжительность освещения) должны быть организованы так, чтобы растения могли расти круглый год. [38]
Поиск конгруэнтного состава остается до сих пор актуальной задачей технологии кристаллов НБН высокого оптического качества. При этом следует помнить, что на определение конгруэнтного состава оказывают влияние как чистота исходных реактивов, так и условия выращивания, в частности состав газовой атмосферы в ростовой камере ( см. гл. [39]
Иногда дефектные кристаллы не содержат никаких примесей, но имеют искаженную структуру. В узлах кристаллической решетки может недоставать некоторых ионов или атомов. Изменяя условия выращивания кристаллов, удается получить значительное число таких дефектов. Кристаллы с подобными дефектами способны поглощать излучение с большой энергией ( например, ультрафиолетовые лучи или электронные пучки), испуская при этом видимое излучение той или иной длины волны в зависимости от конкретного строения кристалла. Это явление называется флуоресценцией, оно обнаруживается также и у дефектных кристаллов, содержащих примеси или избыток одного из компонентов. Указанное свойство дефектных кристаллов используется для изготовления люминесцентных ламп и экранов телевизионных трубок. [40]
Величина наследуемости зависит от целого ряда факторов и определяется природой самого признака. Полнее передаются морфологические признаки, значительно слабее - продуктивные качества. Большое влияние оказывают условия выращивания. Так, наследуемость одного и того же признака значительно варьирует в разных стадах рыб. Вычисляется этот показатель различными методами, главным образом на основе биометрического анализа степени зависимости данных признаков у родственников различных степеней родства. [41]
Обычное выращивание дрожжей на гидролизных заводах осуществляется в сравнительно простом по конструкции аппарате. Но масштабы производства БВК из парафинов настолько велики ( ведь 70 тыс. т БВК в год - это в 20 - 30 раз больше, чем мощность действующих сейчас отдельных заводов гидролизной промышленности), что требуются соответствующие новые конструктивные решения, обеспечивающие высокую производительность аппарата. Кроме того, условия выращивания БВК отличаются от условий выращивания дрожжей на гидролизных или сульфитцеллю-лозных заводах. Отличие заключается главным образом в большем потреблении кислорода воздуха на 1 кг биомассы, большем тепловыделении, меньшем пенообразовании, более интенсивном микробиологическом заражении. [42]
Тепловой узел включает в себя подставку для тигля, нагреватель, систему экранов. Конструкция теплового узла практически во многом определяет особенности кристаллизации, макро - и микроструктуру выращиваемого монокристалла, распределение в нем легирующих примесей. Тепловой узел как технологическая система содержит взаимозависимые элементы, т.е. варьируя конструкцию нескольких элементов, можно получать практически идентичные условия выращивания монокристаллов. [43]
Прежде всего необходимо замазкой смазать пазы шпросов, уложив на них стекло, прижимая и выдавливая замазку в зазор между ребром шпроса и кромками вставляемого стекла. Один гвоздь забивают в боковую кромку ребра так, чтобы стекло не соскользнуло вниз. Следующее стекло укладывают на предыдущее по направлению стока воды внахлестку, перекрывая его кромку на 1 5 см. Больший размер нахлестки способствует накоплению грязи, что нежелательно, так как загрязненные стекла поглощают до 40 % света и ухудшают условия выращивания культур. [44]
Проволоку протягивают, перематывая с одной катушки на другую, через печь при температуре около 2500 С. Продавленная через фильеру проволока лучше холоднотянутой, так как она не нуждается в предварительном деформировании. При скоростях роста до 3 м / ч в отожженной проволоке образуются монокристальные участки большой длины. В табл. 4.1 обобщены условия выращивания кристаллов различных не рассмотренных здесь материалов посредством деформационного отжига. [45]