Условия - выращивание
Cтраница 4
Как подчеркнул Хейл19, таким образом было достигнуто значительное сокращение времени роста. I, § 178) объясняет наблюдавшейся им несмесимостью жидких растворов в системе сода - кремнекислота - вода, вследствие чего легко образуется твердое кремнеземистое стекло вокруг кусков нерастворившейся кремнекислоты. Отношение растворимостей кварца и кристобалита в таких условиях было вычислено при помощи видоизмененного уравнения Клаузиуса - Клапейрона; оно оказалось равным 1: 22; кварцевое стекло должно иметь еще более высокую растворимость. Поэтому получить условия изотермического выращивания кварца весьма заманчиво, хотя возникновение зародышей в сильно пересыщенных растворах легко может вызвать нежелательное отложение кремнезема в углах стенок реакционного сосуда или вокруг твердых примесей. Данные гидротермальных экспериментов Наккена 20 подтвердили возможность кристаллизации стеклообразного геля до халцедона с высоким содержанием кремнезема, которая может лежать в основе типичного ритмически-полосчатого роста агатов и миндалин в мелафирах. [46]
 |
Политермический разрез GaAs-GaTe. [47] |
Теллур является одной из основных легирующих донорных примесей в арсеннде галлия. Для объяснения полученных результатов используются две модели: образование комплексов типа УоаТедз и распад пересыщенных твердых растворов. При трактовке экспериментальных данных большую помощь может оказать диаграмма состояния тройной системы галлий-мышьяк - теллур. Однако нам не встретилось ни одной работы, где обсуждение особенностей поведения теллура в легированных монокристаллах GaAs было бы проведено на основе этой диаграммы. Это, в свою очередь, приводит к тому, что, сопоставляя результаты своих исследований, разные авторы зачастую не обращают внимания на условия выращивания исходных монокристаллов. [48]
Показаны также температурные градиенты в разных зонах. Температура зоны, в которой нагревался исходный поликристаллический селенид дэ образования монокристалла, 776 С. Как только зародыш возникал, температуру поликристаллической зоны в целях улучшения кинетики роста резко повышали до 805 С. Растущий при температурном градиенте - между зоной испарения и зоной конденсации - порядка Г слг1 [79], стр. Близкие к равновесным условия выращивания благоприятствуют уменьшению концентрации дефектов. [49]
Страницы: 1 2 3 4