Cтраница 1
Аннигиляция вакансий при их малых скоплениях вносит добавочную долю в избыточное сопротивление. Таким образом, снижение сопротивления при аннигиляции вакансий незначительно. [2]
Что касается аннигиляции вакансий на внешней поверхности металла, в некоторых работах [4], выполненных на плоских образцах металла, показано прогрессивное уменьшение толщины металлического образца за счет диффузии через границу раздела с защитным слоем, если процесс диффузии осуществляется с помощью межузельных катионов или катионных вакансий. Однако другие работы, выполненные на проволочках или сферических зернах металла, а также на вискерах, могут быть интерпретированы [5] в предположении, что вакансии в металле питают рост пустот, связанных с различными гетерогенностями, и что ресорбция металла вблизи внутренней границы раздела происходит за счет движения краевых дислокаций под влиянием вакансий. [3]
Доказательством зарождения и аннигиляции вакансий в границах зерен являются также наблюдения диффузионной ползучести в поликристаллических материалах. [4]
![]() |
Снижение электросопротивления, вызванного облучением меди нейтронами при температуре 17 - 19 К. [5] |
К, связывается с миграцией и аннигиляцией единичных вакансий. Подобные изменения электросопротивления, но в иных температурных интервалах, наблюдаются при нагреве других облученных материалов. Данные по изменению электросопротивления, плотности, тепловых эффектов и др. показывают, что такие несовершенства кристаллич. [6]
Полагают, что эта неоднородность обусловлена локальными изменениями условий закалки и аннигиляции вакансий на близлежащих стоках, а также что примеси являются центрами гетерогенного образования зародышей при закалке с температур ниже критической. [7]
В рамках сделанного выше предположения ДЯ / 0, при условии что суммарная реакция экзотермична ( ДЯсО), реакция аннигиляции вакансий должна быть более экзотермичной, чем суммарная реакция. Локализация стадий на различных поверхностях раздела влечет за собой локализацию тепловых эффектов, так что к миграции дефектов прибавляется еще и процесс переноса тепла через защитный слой. [8]
RT от энтальпии миграции АЯт, энтальпии образования дефектов АЯ / и стандартной энтальпии реакции на внутренней поверхности раздела АЯ1, включающей стадию аннигиляции вакансий в металле ( среднее значение коэффициента D, согласно рассмотрению, проведенному на стр. [9]
Когда в кристалле имеются дислокации с большими ступеньками, процесс отжига контролируется диффузией вдоль дислокации, а не диффузией в решетке) Решение диффузионного уравнения для аннигиляции сверхравновесных вакансий на дислокациях f29, 30 ] указывает на существование ускоренной стадии, после которой отжиг удовлетворяет экспоненциальной зависимости. Джексоном было показано [311], что решение подобно и для генерации вакансий дислокациями. Эта плотность настолько низка, что, очевидно, дислокационные источники и стоки можно не рассматривать. [10]
Поскольку разность сопротивлений в процессе деформации изменяется, равновесие между долями сопротивления, очевидно, нарушается. Аннигиляция вакансий происходит как при дислокациях, так и посредством образования малых скоплений вакансий. В полуцикле ( см. рис. 4, б) растяжения процесс аннигиляции вакансий уменьшается. [11]
Проблема аннигиляции вакансий в фазе металла возникает как в случае диффузии по вакансиям в фазе окисла MG, так и в случае диффузии по междоузлиям. [12]
Данные табл. 5 показывают, что созданные деформацией концентрации вакансии даже при температурах закалки меньше, чем созданные равной деформацией при 78 К. Одна из причин - аннигиляция термических вакансий во время закалки; вторая - большая потеря вакансий во время закалки в деформированном образце по сравнению с недеформированным. Обе точки зрения будут обсуждены в этой статье. Наши данные показывают, что эффективность создания вакансий при одинаковой деформации одна и та же для любой температуры между 78 К и 1100 К; для нас неочевидно, что эффективность создания вакансий сколько-нибудь выше при 2000 К. [13]
![]() |
Смещение атомов вокруг внедрения в примитивной кубической решетке.| Краудион на оси х. [14] |
Ясно, что вакансия и междоузельный атом являются дефектами как бы противоположного знака, и это находит проявление в ряде их свойств. В частности, может произойти аннигиляция вакансии и междоузельного атома, сопровождающаяся одновременным исчезновением пары этих дефектов в кристалле. С другой стороны, простейшая схема образования таких дефектов сводится к тому, что атом покидает свое место и переходит в междоузельную позицию, создавая сразу пару дефектов. Эта схема реализуется в процессе облучения кристалла энергичными частицами, когда пролетающая сквозь кристалл частица выбивает некоторый атом из узла, перенося его в междоузлие. [15]