Установка - совмещение
Cтраница 2
При расстоянии между элементами модуля около 1 мкм точность изготовления фотошаблонов и воспроизводимость на установках совмещения должна составлять 0 1 мкм. Такие точности резко повышают требования к подвижным механизмам установок совмещения. [16]
Наиболее эффективного совмещения очередного фотошаблона с подложкой удается достигнуть, когда эта операция выполняется на установке совмещения и экспонирования квалифицированным оператором с помощью специальных знаков совмещения, имеющихся. [17]
Несовмещение рисунков топологических слоев при изготовлении ИС может быть вызвано не только погрешностью размещения рисунка на каком-либо шаблоне, но и погрешностями установки совмещения, кривизной пластины ( подложки), колебаниями температуры в процессе изготовления ЭШ и другими факторами. [18]
Примерами такого оборудования могут служить термические установки, в которых точность поддержания температуры в рабочей зоне длиной 400 мм в течение длительного времени составляет 0 5 С, установки совмещения фотошаблона с полупроводниковой пластиной, обеспечивающие точность 1 мкм, автоматы для сортировки кристаллов по толщине, разбраковывающие кристаллы с точностью до 1 мкм, и др. Кроме отдельных установок в производстве полупроводниковых приборов широко применяют специализированные агрегаты, предназначенные для выполнения процессов фотолитографии, травления, финишной очистки, значительно повышающие производительность труда. [19]
Таким образом, ошибки во взаимном расположении преобразователей в пределах ( 0 1 - т - - г - 0 5), реализуемые на современных фотоповторителях и установках совмещения и экспонирования, не оказывают существенного влияния на вносимое затухание фильтров ПАВ. [20]
Точность совмещения может быть проконтролирована и другим методом, который основан на последовательном экспонировании на одну подложку двух совмещенных фотошаблонов; причем изображение первого фотошаблона проявляется неполностью, а только до появления серых тонов, достаточно различимых при работе на установке совмещения. [21]
Повышение точности совмещения перед экспонированием на кремниевых пластинах достигается за счет автоматизации и исключения таким образом субъективных ошибок человеческого глаза. Для этого установки совмещения и экспонирования снабжают фотоэлектрическими микроскопами, обеспечивающими точность совмещения 0 1 мкм по линейным координатам и 5 по углу. [22]
Необходимое для совмещения плоское относительное перемещение пластины и фотошаблона слагается из поступательного перемещения и поворота вокруг оси, перпендикулярной плоскости поступательного движения. Обычно в установках совмещения и экспонирования пластина и фотошаблон располагаются в горизонтальных плоскостях. [23]
При расстоянии между элементами модуля около 1 мкм точность изготовления фотошаблонов и воспроизводимость на установках совмещения должна составлять 0 1 мкм. Такие точности резко повышают требования к подвижным механизмам установок совмещения. [24]
 |
Визуальные методы измерений. [25] |
Он чаще всего применяется при наблюдении полос равной толщины и равного-хроматического порядка. Однако погрешность установки совмещения центров интерференционной полосы и визирной линии, а также двух систем полос значительно меньше. Погрешность совмещения определяется нониальным эффектом и составляет приблизительно 1 / 10 часть видимой ширины полосы. Вследствие нелинейности процесса реагирования глаза на световое воздействие видимая шиирна черных полос в случае двухлучевой интерференционной картины равна трети расстояния между полосами. [26]
 |
Изготовление р-п-пере-хода методом Планерной технологии. [27] |
Последовательность технологических операций при изготовлении планарного перехода приведена на рис. 7.8. Пластину кремния с электропроводностью, предположим, я-ти-па, отполированную до 14-го класса чистоты, подвергают оксидированию. Пластину помещают в установку совмещения и экспонирования и через фотошаблон засвечивают ее ультрафиолетовым излучением. Этот процесс аналогичен фотографическому. [28]
Для снятия окислов меди проводят декапирование подложек в 1 % - ном растворе соляной кислоты. Остатки кислоты и продукты реакции удаляют промывкой сначала в дистиллированной или деионизованнои воде, а затем - в этиловом спирте. Фоторезист наносят на центрифугу с последующей сушкой в термостате при 363 К в течение 30 мин. На установке совмещения и экспонирования производят совмещение фотошаблона с подложкой и экспонирование. Затем фоторезист проявляют, например, в растворе тринатрийфосфата. Для удаления с поверхности подложки остатков тринатрийфосфата и продуктов реакции подложки промывают в деионизованнои воде и сушат в струе сжатого осушенного азота. Для выявления дефектов полученный защитный слой просматривают под микроскопом и выявленные дефекты ретушируют лаком. Затем проводят термозадубливание фоторезиста сначала при 373 К, а затем при 453 с выдержкой при каждой температуре в течение 30 мин. С целью защиты от воздействия травителей обратную сторону подложки с проводящим слоем защищают химически стойким лаком ХСЛ. [29]
Создание необходимых для этого фотошаблонов становится дорогим и трудоемким процессом. Чтобы перемещать фотошаблон при совмещении, необходимо обеспечить зазор между ним и поверхностью пластины. Однако величина этого зазора лимитирована глубиной резкости микроскопа, с помощью которого проводят совмещение. Необходимый зазор такого порядка между фотошаблоном и полупроводниковой пластиной обеспечить в установках совмещения достаточно трудно. [30]
Страницы: 1 2