Логарифмическая изотерма

Cтраница 1

Логарифмическая изотерма может быть получена на основе представления об энергетической неоднородности поверхности, а именно о линейном убывании теплоты адсорбции со степенью заполнения поверхности. Фактор неоднородности характеризует разницу теплот адсорбции на центрах с максимальной и минимальной теп-лотами адсорбции. Поэтому чем больше /, тем сильнее выражена неоднородность поверхности. Отметим, что изотерма [ см. уравнение (3.96) ] может быть теоретически получена и для адсорбции на однородной поверхности, если между адсорбированными частицами возникают значительные силы отталкивания. [1]

Плотность распределения равномерно-неоднородной поверхности. [2]

Логарифмическая изотерма (1.57) получается не только в случае равномерно неоднородной поверхности. [3]

Изотермы адсорбции метанола на гладкой платине в 1. / V H2SO4 при различных потенциалах ср. дс ( в. [4]

Логарифмическая изотерма адсорбции органических веществ на платиновом электроде имеет довольно общий характер. Такой же ход адсорбционной изотермы наблюдается также при адсорбции ряда других органических веществ. [5]

Наблюдаемая экспериментально логарифмическая изотерма означает, что заполнение поверхности водородом с увеличением его давления возрастает медленнее, чем можно было бы ожидать для изотермы Лэнгмюра. [6]

Возникновение логарифмической изотермы в значительной степени зависит от природы аниона и условий эксперимента; оно не имеет еще удовлетворительной интерпретации. Информация о специфически адсорбированном заряде позволяет разделить емкость двойного слоя на более простые компоненты, которые поддаются дальнейшей интерпретации в рамках простых электростатических моделей. Полная измеряемая емкость является довольно сложной составной величиной, прямая интерпретация которой затруднительна. [7]

Объяснение логарифмической изотермы адсорбции водорода на платине-как результата сил отталкивания адсорбированных атомов, было предложено А. [8]

Фрейдлиха, логарифмические изотермы и др. Вид изотерм зависит от изменения во времени характера связи молекулы, адсорбированной на данном центре адсорбции, а также от кулоновского взаимодействия между адсорбированными молекулами. Хемосорбция на поверхности приводит к изменению работы выхода электрона из кристалла. Причиной этого изменения является появление поверхностного заряда, возникающего из-за наличия сильных адсорбционных связей. Зависимость между электропроводностью полупроводника и его каталитической активностью понятна, поскольку обе эти величины зависят от положения уровня Ферми в кристалле. Эти величины в ходе реакции могут изменяться в ту или иную сторону, в зависимости от характера реакции, протекающей на поверхности. Введение примесей в кристалл полупроводника меняет равным образом как его каталитическую активность, так и электропроводность, поскольку при этом изменяется концентрация электронов и дырок, а следовательно, и положение уровня Ферми. На основании этих представлений можно объяснить электронный механизм действия промоторов и каталитических ядов, а также явления фотосорбции и фотокатализа, поскольку облучение светом с определенной длиной волны способно изменить концентрацию электронного и дырочного газа на поверхности. Можно также понять влияние степени дисперсности полупроводникового катализатора, принимая во внимание, что при достаточно большой степени дисперсности полупроводникового материала положение уровня Ферми зависит от размеров частиц. [9]

Фрейдлиха, логарифмические изотермы и др. Вид изотерм зависит от изменения во времени характера связи молекулы, адсорбированной на данном центре адсорбции, а также от кулоновского взаимодействия между адсорбированными молекулами. Хемосорбция на поверхности приводит к изменению работы выхода электрона из кристалла. Причиной этого изменения является появление поверхностного заряда, возникающего из-за наличия сильных адсорбционных связей. Зависимость между электропроводностью полупроводника и его каталитической активностью понятна, поскольку обе эти величины зависят от положения уровня Ферми в кристалле. Эти величины в ходе реакции могут изменяться в ту или иную сторону, в зависимости от характера реакции, протекающей на поверхности. Введение примесей в кристалл полупроводника меняет равным образом как его каталитическую активность, так и электропроводность, поскольку при этом изменяется концентрация электронов и дырок, а следовательно, и положение уровня Ферми. На основании-этих представлений можно объяснить электронный механизм действия промоторов и каталитических ядов, а также явления фотосорбции и фотокатализа, поскольку облучение светом с определенной длиной волны способно изменить концентрацию электронного и дырочного газа на поверхности. Можно также понять влияние степени дисперсности полупроводникового катализатора, принимая во внимание, что при достаточно большой степени дисперсности полупроводникового материала положение уровня Ферми зависит от размеров частиц. [10]

Характерной особенностью логарифмической изотермы является то, что хотя она справедлива только для области средних заполнений поверхности, она выполняется в очень большом интервале равновесных давлений. [11]

Подобные прямые логарифмической изотермы весьма удобны не только для нахождения констант уравнения, но и для выявления влияния на величину адсорбции такого фактора как температура, а также не учитываемых уравнением побочных факторов, искажающих ход адсорбции, так как гораздо легче установить искажения на прямой, чем на параболической кривой. [12]

Теоретический вывод логарифмической изотермы адсорбции осуществлен исходя из предположения о линейном распределении активных мест поверхности по теплотам адсорбции. Это простейший вид распределения, когда на поверхности имеется одинаковое число участков разных сортов. Такое распределение обычно называют равномерным, а характеризуемую им поверхность - равномерно-неоднородной. Характерной особенностью логарифмической изотермы является то, что хотя она справедлива для области средних заполнений, она выполняется в очень большом интервале равновесных давлений. Область средних заполнений равномерно-неоднородной поверхности как бы раздвигается в результате последовательного заполнения разных участков. Логарифмическая изотерма адсорбции наиболее часто встречается на практике. [13]

Зависимость логарифма тока обмена от стандартной свободной. [14]

Переход к логарифмической изотерме Темкина вызывает появление горизонтального участка на графике зависимости In t от. [15]

Страницы: 1 2 3 4