Изучение - зависимость
Cтраница 3
Изучение зависимости CGR при вариациях бо 5д в интервале от 1 до 10 показало, что в билогарифмических координатах между ними существует линейная связь. [31]
Изучение зависимости порога обнаруживаемое сигнала от частоты импульсов и скорости вращения радиолокационной антенны показало, что с увеличением частоты вероятность обнаружения, по которой определяется этот порог, возрастает, но только до тех пор, пока фон экрана не станет однообразным. [32]
Изучение зависимости функции п от равновесной концентрации лиганда позволяет рассчитать ступенчатые константы комплексооб-разования. Функция (IV.80) представляет собой отношение концентрации лиганда, связанного в комплексы, к общей концентрации металла-комплексообразователя. По смыслу га является средним координатным числом. [33]
Изучение зависимости светопоглощения тонких слоев А128е3 от температуры показало смещение длинноволновой границы собственного поглощения с изменением температуры в сторону коротких волн при ее понижении и в сторону больших длин волн при ее повышении. [34]
Изучение зависимости адсорбции от концентрации золота при рН 3.5 показало, что эта зависимость подчиняется уравнению Ленгмюра и что адсорбция коллоидных форм золота маловероятна. [35]
 |
Зависимость деформации сжатия от температуры для студней желатины ( цифры у к ри-вых - логарифм частоты воздействия силы. [36] |
Изучение зависимости напряжения и деформации студня широко используется как метод оценки степени сшивания пространственно-сшитых полимеров, которые исследуют в набухшем состоянии. Определенные таким способом модуль упругости и напряжение возрастают прямо пропорционально абсолютной температуре. [37]
 |
Структура отказов подводных переходов магистральных трубопроводов. [38] |
Изучение зависимости отказов от срока эксплуатации ( рис. 2, а) показывает, что они носят устойчивый характер в течение всего срока службы. [39]
Изучение зависимости D от концентрации металла наиболее удобно для исследования пригодности выведенных уравнений, поскольку при таком изучении влияние растворителя, не принятое во внимание при выводе уравнений, может поддерживаться постоянным. В качестве органических растворителей были использованы диэтиловый, р, р - дихлордиэтиловый и дибутиловый эфиры, метилизобутил - и метиламилкетоны и 2-этилгексанол. [40]
Изучение зависимости светопоглощения тонких слоев А123е3 от температуры показало смещение длинноволновой границы собственного поглощения с изменением температуры в сторону коротких волн при ее понижении и в сторону больших длин волн при ее повышении. [41]
Изучение зависимости функции п от равновесной концентрации лиганда позволяет рассчитать ступенчатые константы комплексооб-разования. Функция (IV.80) представляет собой отношение концентрации лиганда, связанного в комплексы, к общей концентрации металла-комплексообразователя. По смыслу п является средним координатным числом. [42]
Изучение зависимости Rf от температуры [4, 7, 12, 42-45] показало, что, за редкими исключениями, изменение температуры не оказывает существенного влияния на результаты определения Rf. В тех немногих случаях, когда такое влияние наблюдалось, Rf с повышением температуры увеличивалась, что, по-видимому, связано с более интенсивным испарением из слоя, приводящим к увеличению количества растворителя, перемещающегося по слою. [43]
Изучение зависимости сопротивления от температуры показало, что в пределах между 50 и 60 С сопротивление изменяется на 0 7 % лри изменении температуры на один градус. [44]
Изучение зависимости намагничивания железа и других ферромагнитных материалов от напряженности внешнего магнитного поля обнаруживает ряд особенностей этих веществ, имеющих важное практическое значение. Возьмем кусок ненамагниченного железа, поместим его в магнитное поле и будем измерять намагничивание железа /, постепенно увеличивая напряженность внешнего магнитного поля Я. Намагничивание / возрастает сначала резко, затем все медленнее и, наконец, при значениях Я около нескольких сот эрстед намагничивание перестает возрастать: все элементарные токи уже ориентированы, железо достигло магнитного насыщения. Горизонтальная часть этой кривой вблизи А соответствует магнитному насыщению. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5