Адсорбция - добавка
Cтраница 3
Из приведенных результатов можно видеть, что концентрация соли осаждаемого металла в растворе и наличие в электролите посторонних солей оказывают существенное влияние на адсорбцию поверхностно-активных веществ. С одной стороны, увеличение концентрации солей в растворе уменьшает растворимость поверхностно-активного вещества и, приближая концентрацию органического вещества к концентрации насыщения, резко увеличивает адсорбцию добавки. [31]
Поэтому при обработке агрессивных растворов конкуренцию динамическим мембранам могут составить только новые типы синтетических мембран. В среднем проницаемость динамических мембран оказывается выше, чем у лучших образцов полимерных мембран. Это объясняется тем, что адсорбция добавок происходит только на поверхности пористой структуры со стороны прикладываемого давления, подтверждением чему являются исследования срезов подложки под электронным микроскопом. [32]
Ранее [166] было показано, что селективность и скорость глубокого окисления этилена на Ag связаны с величиной Аф. При введении примесей, увеличивающих работу выхода серебра, наблюдается повышение селективности, тогда как в случае добавок, уменьшающих ф, селективность падает. Видно, что изменение работы выхода серебра при адсорбции добавок больше при измерениях Аф в вакууме, чем в углеводород-кислородной смеси. [33]
Нижний предел плотности тока повышается с уменьшением концентрации блескообразо-вателей в растворе. Рабочая температура электролита - комнатная. Повышение температуры плохо отражается на качестве покрытий в связи с уменьшением адсорбции капиллярно-активных добавок. [34]
 |
Зависимость перенапряжения на различных гранях монокристалла от плотности тока. [35] |
Были также рассмотрены особенности адсорбционного поведения тиомочевины на различных гранях монокристалла меди. На основании импедансных измерений, проведенных на монокристалле меди, было установлено, что сопротивление реакции выделения водорода на грани ( 111) с ростом концентрации тиомочевины непрерывно возрастает. На грани ( 100) наблюдается обратная зависимость - сопротивление реакции падает с увеличением концентрации тиомочевины. Оба эти процесса связаны с адсорбцией добавки, но поведение адсорбированной тиомочевины существенно различается на различных кристаллографических гранях. [36]
Адсорбция посторонних частиц на поверхности растущего кристалла затрудняет доступ к ней разряжающимся ионам, образование же плотного адсорбционного слоя вообще прекращает рост кристалла. Увеличение плотности тока сопровождается повышением поляризации, что облегчает образование новых кристаллических зародышей. Не вдаваясь в детали, картину образования поликристаллического осадка на катоде для случая, когда электролит содержит поверхностноактивные вещества, можно представить себе следующим образом. Адсорбция добавки и образование блокирующего слоя требуют известного времени. Поэтому если скорость обновления поверхности кристалла велика, то блокирующий слой образоваться не успевает и кристалл продолжает расти. Однако блокирование поверхности сразу наступает, если плотность тока на гранях растущего кристалла опустится ниже некоторого предела. Понижение же плотности тока на растущих кристаллах происходит вследствие локального обеднения ионами металла прилегающего к кристаллу слоя электролита: на катоде все время происходит перераспределение тока между теми кристаллами, которые уже успели истощить вокруг себя электролит, и теми, которые только начинают - свой рост. Чем интенсивнее добавка блокирует поверхность металла, тем короче оказывается период роста каждого кристалла и тем мельче структура получающегося осадка. [37]
Страницы: 1 2 3