Возмущение - уровни
Cтраница 1
Возмущение уровней при наложении магнитного поля изображено на рис. 9 - 2, в. Этот эффект будет рассмотрен в следующем разделе. [1]
С возмущением уровней серии SD связаны возмущения расстояниймиежду уровнями каждого терма. В этой серии расстояния возрастают до максимума вблизи возмущающего терма, а затем быстро стремятся к нулю. Так как в возмущаемом терме расстояния между уровнями больше, чем в термах серии при отсутствии возмущения, то это приводит к увеличению других расстояний за счет дифференциального эффекта возмущения. [2]
В случае возмущений молекулярных уровней близколежа-щими уровнями других электронных состояний время жизни может значительно изменяться. [3]
Благодаря этому происходит возмущение уровней - так называемый резонанс Ферми, и уровни расщепляются на две компоненты близкой интенсивности. Резонанс Ферми встречается довольно часто, и при этом в спектрах появляются неожиданные дополнительные основные частоты. [4]
Эти процессы не приводят к какому-либо возмущению уровней энергии молекул, проявляющемуся в спектрах. [5]
До того как было выяснено, что возмущение уровней серии вызывается внешним термом, последний часто считался принадлежащим к этой же серии. [6]
 |
Огаосмтельаые эверпш. орбвтвлей для трех первичных геометрических кшфи. дниий лвгандов ( в единицах Dq. [7] |
Как видно из соотношения (11.9), матричные элементы возмущений уровней rf - орбиталей рассчитываются как аддитивные функции. [8]
Как видно из соотношения (6.9), матричные элементы возмущений уровней d - орбиталей рассчитываются как аддитивные функции. В табл. 26 приведены величины относительных энергий ri - орбиталей для первичных групп. [9]
 |
Огаосмтельаые эверпш. орбвтвлей для трех первичных геометрических кшфи. дниий лвгандов ( в единицах Dq. [10] |
Как видно из соотношения (11.9), матричные элементы возмущений уровней rf - орбиталей рассчитываются как аддитивные функции. [11]
 |
Расщепление мультиплетов ионол TR3 в поле кристалла ладанной симметрии. [12] |
В случае средних полей внутрикристаллическое поле обычно учитывается в первом приближении как возмущение уровней свободного иона без учета их тонкой структуры, обусловленной спин-орбитальным взаимодействием. В результате этого штарковское расщепление превышает внутримульти-плетное расщепление, однако остается меньшим энергетического зазора между соседними мультиплетамп. Такая ситуация характерна для ионов элементов группы железа ( незаполненное Зй-оболочки) в некоторых кристаллах. В случае сильного внутрикристаллического поля, соответствующего ионам группы палладия и платины, штарковское расщепление превышает расстояние между различными мультиплетами. [13]
На примере молекулы СО2 Ферми [322] впэрвые показал, что такой резонанс приводит к возмущениям уровней анергии, весьма аналогичным колебательным возмущениям в спектрах двухатомных молекул ( см. Молекулярные спектры I, гл. Единственное существенное различие состоит в том, что в двухатомных молекулах могут обладать близкой энергией и поэтому возмущать друг друга только колебательные уровни разных электронных состояний, тогда как в данном случае это может иметь место и для двух колебательных уровней одного и того же электронного состояния. В двухатомных молекулах причиной возмущения уровней является взаимодействие колебательного и электронного движения. [14]
В целом роль металлического катализатора сводится к понижению молекулярных уровней МОС, облегчающему как перепое энергии вследствие более сильного взаимного возмущения уровней основного и возбужденного состояний, так и диссоциацию вследствие понижения ее энергии. [15]
Страницы: 1 2 3