Утоньшение - пленка
Cтраница 3
В связи с проблемой устойчивости пен большое внимание исследователей привлекал [16, 17] и привлекает [18] процесс сближения пузырька газа с поверхностью раздела жидкость - газ, утоньшения и разрушения разделяющей их пленки. В последнее время основное внимание уделяется изучению кинетики утоньшения пленки, контролируемой ее вязким сопротивлением, влияния поверхностно-активных веществ на этот процесс. В работе [18] экспериментально подтверждена формула для скорости утоньшения, учитывающая роль вязких сил, что указывает на их значение. В этой же работе влияние поверхностно-активных веществ объясняется в связи с возникновением перепада поверхностного натяжения вдоль зазора, затрудняющего истечение жидкости. Заметим также, что результаты исследования кинетики утоньшения пленки между сближающимися пузырьками, проведенного Классеном [19], тоже хорошо согласуются с представлениями о роли вязких сил перепада поверхностного натяжения в этом явлении. [31]
Адсорбционные слои этой группы ПАВ не обладают особыми механическими свойствами, сколько-нибудь заметно отличными от свойств поверхностного слоя чистой воды. Дет при утончении пленки; эти разности препятствуют утоньшению пленки и, таким образом, замедляют ее разрыв. [32]
Но нарастание поверхностного натяжения от периферии пленки к ее центру должно сопровождаться поверхностным течением от периферии к центру ( рис. 1, г), в которое вовлекается вся жидкость пленки. Втекание жидкости в зазор между частицей и пузырьком препятствует утоньшению пленки и исключает возможность флотации. [33]
 |
Схема образования пены и концентрирования в ней ПАВ. [34] |
Толщина адсорбционного слоя неионогенных ПАВ определяется размерами гидрофильной части молекулы и составляет примерно 10 - 9 - 1 ( Г10 м Легко показать, что для веществ, обладающих высокой поверхностной активностью, концентрация ПАВ в поверхностном слое Садс может быть в 104 - 105 раз выше, чем в объеме раствора Сж. При истечении жидкости из пленки пены в процессе ее отстаивания происходит утоньшение пленки ( уменьшение б2) и дальнейшее концентрирование ПАВ в пенном слое. [35]
Частичные дуги возникают в местах наибольшей плотности тока утечки или в местах случайного утоньшения загрязняющей пленки. Подсушенный в этих местах током утечки участок загрязняющего слоя приобретает весьма большое сопротивление и перекрывается частичной дугой. Возникновение частичных дуг на большом числе участков поверхности изолятора в конце концов приводит к его перекрытию. [36]
IX - 25) отвечает очень небольшое значение Да. Поэтому даже малые примеси ПАВ способны обеспечить отверждение поверхности пленки, замедляя вытекание дисперсионной среды и утоньшение пленки. [37]
Поэтому даже малые примеси ПАВ способны обеспечить отверждение поверхности пленки, замедляя вытекание дисперсионной среды и утоньшение пленки. [38]
При определенных небольших концентрациях электролита толщина диффузионного слоя является значительной, он имеет большую плотность заряда. Взаимодействие двух таких диффузионных слоев приводит к появлению электростатической составляющей расклини вающего давления, которая препятствует утоньшению пленки и обусловливает ее устойчивость. [39]
Подобную прослойку среды, разделяющую две одинаковые фазы, обычно называют двухсторонней симметричной пленкой. Утоньше-ние такой пленки сопровождается перетеканием части среды из пленки ( из зазора) в объемную фазу 2; скорость утоньшения пленки, а следовательно, ее устойчивость связана с действием ряда факторов как термодинамических, определяющихся только толщиной прослойки среды, так и кинетических, являющихся функцией и толщины прослойки и времени. [40]
Необходимо отметить, что при выдавливании пленки вверх можно получать пленку практически любой толщины. При выдавливании пленки вниз толщина ее ограничивается величиной 100 - 200 мк, подобное ограничение объясняется стеканием разогретого материала и постепенного утоньшения пленки у головки. [41]
Если растекание TiO2 происходит под слоем твердых окислов, то подобный характер течения должен иметь место и в том случае, когда опыт проводится в среде аргона. Однако в этом случае показатель при т равен 0 23 - f - 0 24, что соответствует растеканию с равномерным утоньшением пленки жидкости. Растекание при этом происходит медленней. Это, вероятно, связано с тем, что в данном случае поверхность окислена и движущая сила растекания, обусловленная химическим взаимодействием на межфазной границе, уменьшается. [42]
Существует, однако, несколько иной возможный механизм кинетики прилипания или релаксации неравновесного расклинивающего давления. Он может реализоваться в тех случаях, когда у поверхностей прослойки образуются граничные слои с особой структурой, измененной по сравнению со структурой жидкой фазы в объеме. При утоньшении пленки и наступлении перекрытия граничных слоев ее обоих поверхностей должна разрушаться особая структура периферических частей граничных слоев и, возможно, одновременно могут перестраиваться остальные их части. [43]
 |
Схема перекрытия ионных атмосфер двух сферических частиц. [44] |
Согласно теоретическим воззрениям и экспериментальным данным В. В. Дерягина пленка жидкости, заключенная между двумя погруженными в нее твердыми телами, оказывает на них расклинивающее давление и тем самым препятствует их сближению. Это давление быстро возрастает с утоньшением пленки и в большой степени снижается при прибавлении электролитов. [45]
Страницы: 1 2 3 4