Cтраница 1
![]() |
Наблюдение негатива в первом порядке дифракции. [1] |
Участки объекта, которые получили смещение, равное нечет-ному числу KD / 2T T2, окажутся темными. Области же, получившие смещение, равное целому четному числу, кратному KD / 2T T2, будут яркими. Рассмотренная схема очень проста, но из-за наличия щелевых диафрагм в ней невелика яркость. [2]
![]() |
Схема следящей ИК-системы.| Структурная схема ЭОПН. [3] |
Эвапорограф позволяет различать участки объекта, отличающиеся по температуре на несколько десятых градуса, для чего требуется время от десятка до долей секунды. [4]
![]() |
Выявление отклонений от плоскопараллельности прозрачного объекта А посредством спекл-структуры, создаваемой рассеивателем G. [5] |
На тех же участках объекта, где имеется наклон с, ( рис. 141), спекл-структура в плоскости Я сместится в поперечном направлении. MI переходит в положение М2, благодаря чему и возникает поперечное смещение М А12 спекл-структуры. [6]
То есть, все участки объекта мы привели к одному году воздействия, к одной точке отсчета, сдвинув их по времени относительно друг друга внутри объекта анализа, тем самым, уменьшив в значительной мере неоднородность предыстории. Получилась одна статистически однородная предыстория разработки объекта, складывающаяся из, в основном, неоднородных и разновременных предыстории элементов, в результате чего стало возможным обрабатывать все участки одной залежи или площади как единый объект. [7]
Загрязнения возникают на облучаемом электронами участке объекта так быстро; что уже через 2 - 3 мин дальнейшее наблюдение и получение качественных снимков становится невозможным. Приставка представляет собой наполняемый жидким азотом металлический сосуд Дьюара, расположенный вблизи камеры объекта. [8]
![]() |
Исследование колебаний диффузного объекта А, освещаемого вспомогательной спекл-структу-рой. [9] |
И наоборот, в тех участках объекта, которые колеблются, конт-раст спекл-структуры будет слабым вследствие сложения ин-тенсивностей различных спекл-структур. Как уже отмечалось, при этом происходит усреднение по участку объекта, размеры которого тем больше, чем больше дефокусировка. Здесь освещаемое лазером матовое стекло G создает спекл-структуру на диффузной поверхности А, колебания которой хотят исследовать. Объектив О проецирует изображение поверхности А в плоскость наблюдения Е, причем эффект можно наблюдать визуально или фотографировать. При всяком смещении поверхности А относительно спекл-структуры, создаваемой рассеивателем G, изменяется структура спеклов, наблюдаемых в плоскости Е ( гл. Неподвижные части объекта дают контрастную спекл-структуру, а колеблющиеся - слабоконтрастную или даже бесконтрастную. [10]
![]() |
Проволочный эталон чувствительности. [11] |
При радиографическом контроле на каждом контролируемом участке объекта должны быть установлены эталоны чувствительности и маркировочные знаки идентификации снимка. Эталоны чувствительности служат для оценки изменения интенсивности излучения, которое может быть обнаружено с заданной вероятностью данным методом контроля. Эталоны чувствительности радиационного контроля представляют собой тест-образцы с заданным значением контролируемого параметра ( радиационной толщины) и бывают проволочные, канавочные и пластинчатые. Чувствительность контроля при использовании проволочных эталонов определяется наименьшим диаметром проволоки, при котором на снимке выявляются отверстия ( дефекты) диаметром, равным удвоенной толщине проволочного эталона. Конструкция и размеры проволочных эталонов по ГОСТ 7512 - 82 Контроль неразрушающий. [12]
До настоящего времени и дрены, и энергоактивные участки нефтегазоводонос-ных объектов открываются, во-первых, апостериори, как следствие более или менее плотного разбуривания залежей. Во-вторых, эти находки воспринимаются геолого-промысловыми раритетами, представляющими определенный ( даже большой) интерес в познавательном плане, но бесполезными для практики. [13]
При совмещенном способе работы ведутся на всех участках объекта одновременно. Совмещенный способ монтажа позволяет выполнять работы скоростными методами. [14]
![]() |
Схемы рассеяния электронов в зависимости от толщины объекта. [15] |