Облученная участка

Cтраница 1

Образование защитного рельефа при помощи фоторезиста. [1]

Облученные участки негативного фоторезиста под действием света получают свойство не растворяться после обработки в растворителях. Участки фоторезиста, расположенные под непрозрачными местами фотошаблона, легко растворяются. Таким образом, создается рельеф, представляющий собой негативное изображение элементов фотошаблона. Негативные фоторезисты изготовляют на основе поливинилового спирта. Они находят широкое применение вследствие отсутствия токсичных составляющих, высокой разрешающей способности ( до 50 линий / мм), простоте проявления ( водой) и низкой стоимости. Недостатком таких фоторезистов является невозможность хранения более 2 - ь5 ч заготовок с нанесенным слоем фоторезиста, так как последний задубливается не только под действием света, но и в темнеете. Кроме того, с повышением влажности и температуры окружающей среды уменьшается механическая прочность светочувствительного слоя и его адгезия с фольгой. [2]

Для образования в облученных участках максимального количества субмикроскопических частиц Аи, Ag или Си - будущих центров кристаллизации - рекомендуется в процессе низкотемпературной тепловой обработки выдерживать изделия в области между температурами отжига ( вязкость 10 - 134 пз) и размягчения ( вязкость 107 6 пз), например, при 520 С в течение 2 мин, либо нагревать его от 500 до 600 С со скоростью, не превышающей 5 / мин. При слишком быстром нагревании изделия в области 520 - 600 С центры кристаллизации в достаточном количестве не образуются, из-за чего трудно достичь необходимой степени глушения и последующей кристаллизации при повышенных температурах. [3]

Резист называют позитивным, если облученные участки растворяются и удаляются вместе с проявителем, или негативным, если экспонированные участки образуют нерастворимые мостики. Тип резиста подбирают в зависимости от конфигурации рисунка. [4]

В позитивных фоторезистах под действием света происходит фотодеструкция органических молекул, вследствие чего облученные участки удаляются при проявлении. Жидкие фоторезисты значительно дешевле пленочных, и для работы с ними требуется несложное оборудование. Применение пленочных фоторезистов значительно упрощает ТП ( исключаются операции сушки, дубления, ретуширования), он легко поддается автоматизации, обеспечивает равномерное нанесение защитных слоев при наличии монтажных отверстий. [5]

Сосудистые изменения, приводящие к гиперемии, увеличению притока крови и содержащихся в ней веществ к облученным участкам с последующим повышением эффективности антител. [6]

Образование защитного рельефа при помощи фоторезиста. [7]

Позитивный фоторезист под действием облучения так изменяет свои свойства, что при обработке в соответствующих проявителях растворяются его облученные участки, а необлученные остаются на поверхности подложки. В результате получается защитный рельеф с позитивным изображением элементов фотошаблона. Для позитивных фоторезистов применяют материалы на основе диазо-соединений, которые состоят из светочувствительной полимерной основы ( новолачная смола) и растворителя. По адгезионной и разрешающей способностям они превосходят негативные фоторезисты, но имеют более высокую стоимость и содержат токсичные растворители. Разрешающая способность позитивных резистов составляет 350 линий / мм. Основное преимущество позитивного фоторезиста состоит в отсутствии дубления при хранении заготовок с нанесенным светочувствительным слоем. Это позволяет наносить фоторезист на заводах, изготовляющих фольгированиый диэлектрик, что значительно упрощает процесс получения рисунка схемы и исключает работу с токсичными веществами на предприятиях, изготовляющих печатные платы. [8]

Шихта № 9 после 5-часовой варки при 1350 С дает прозрачное стекло, после облучения и тепловой обработки при 600 С становящееся опаловым коричневым в облученных участках и белым опаловым - в необлученных. [9]

Процесс изготовления интегральной схемы. [10]

Далее фоторезист засвечивается через фотошаблон с рисунком, отвечающим заданной схеме. Облученные участки фоторезиста задубливаются и переходят в нерастворимое состояние, а необлученные стравливаются вместе со слоем SiCb в растворе плавиковой кислоты. При этом окисная пленка предохраняет кремний от нежелательного внедрения примеси в отдельные участки поверхности. [11]

Травление ведут в 10 % - ном растворе плавиковой кислоты. Облученные участки травятся значительно быстрее, чем необлученные. После травления получается сквозной узор, соответствующий рисунку оригинала. Далее пластины совмещают и проводят вторичное облучение и последующую термообработку с одновременным спеканием пластин. В результате получается монолитный спеченный многослойный модуль. [12]

Однако реакции, вызванные в полимерах, не очень точно поддаются контролю и они не завершаются в непосредственной близости к молекулам сенсибилизатора. Следовательно, облученные участки впоследствии снять трудно. Кроме того, электроны рассеиваются в покрытии фоторезиста и отскакивают обратно от поверхности подложки. Поэтому образование поперечных связей происходит также и в участках, смежных с облученными. Таким образом, высокое разрешение электронного луча из-за трудности контроля операции экспонирования легко реализовано быть не может. [13]

При недостаточной экспозиции облученные участки будут либо полностью растворяться, либо набухать до такой степени, что пленка может оторваться от поверхности подложки, либо настолько увеличиваться в объеме, что соседние элементы схемы соединяются между собой. Поэтому для негативных фоторезистов правильность выбора экспозиции определяется не только по получению определенной геометрии элементов, но и по набуханию облученных участков фоторезиста. [14]

Стекла указанных выше составов после варки бесцветны и прозрачны. Термообработка облученных коротковолновым излучением стекол приводит к кристаллизации в облученных участках, а необлученные участки остаются бесцветными и прозрачными. [15]

Страницы: 1 2 3