Облученная участка

Cтраница 2

Стуки [259-261] был обнаружен эффект обратимости глушеного изображения. Так, если ранее облученный и подвергшийся первой стадии тепловой обработки образец снова облучить и подвергнуть термообработке, то дважды облученные участки изображения становятся прозрачными на общем непрозрачном фоне. [16]

Облучая эти стекла в течение 1 - 10 мин вольтовой дугой ( 60 а, 35 см от образца) и нагревая их впоследствии от 1 мин до 1 часа при 540 - 600 С, можно получить помутнение облученных участков. После облучения в течение 5 - 10 мин и нагрева при 600 С в течение нескольких минут стекло из шихты № 1 в облученных участках дает розовую опаловую окраску, из шихты № 7 - белую. Увеличение времени экспозиции или содержания в шихте № 7 восстановителя NH4C1 приводит к появлению красного оттенка в непрозрачных участках. Глубина проникновения изображения в стекло составляет от 1 до 5 мм и более, увеличиваясь с увеличением продолжительности и интенсивности облучения, а также содержания светочувствительного металла. [17]

Проявитель для негативных фоторезистов должен обладать, с одной стороны, хорошей растворяющей способностью по отношению к исходному полимеру, а с другой - минимальным воздействием на облученные участки пленки. Проявитель должен вызывать минимальное набухание облученных участков и, следовательно, минимальное искажение геометрических размеров. [18]

Структура пленок также оказывает большое влияние на разрешающую способность фоторезистов. С увеличением однородности структуры пленки повышается разрешающая способность всего фотолитографического процесса, воспроизводятся элементы меньших размеров, повышается однородность клина травления по форме и структуре, уменьшается его величина, отсутствуют нарушения в облученных участках пленки. Влияние структуры пленки фоторезиста можно объяснить тем, что с увеличением неоднородности покрытия возрастает светорассеяние и уменьшается разрешающая способность. [19]

С помощью фотолитографических процессов на эту пленку наносят фоторезист ( фоточувствительный лак) 4 и фоточувствительный слой. После этого облучают поверхность ультрафиолетовыми лучами 5 через фотомаски. Облученные участки 7 фоторезиста задубливаются ( превращаются в кислотоупорный слой), а необлученные - удаляют. Через окна производят диффузию акцептора, образующего переход коллектор - база и базовая область 8 и после окисления вводят донорную примесь образующую эмиттерную - область 9 и переход эмиттер - база. [20]

Более высокую разрешающую способность обеспечивает фото-рельефная печать. Этот метод основан на фоточувствительности некоторых органических соединений, что позволяет получать требуемый рисунок путем нанесения сплошной фоточувствительной органической пленки с последующей обработкой светом через фотошаблон. Облученные участки приобретают иные физико-химические свойства по отношению к растворителям, что позволяет произвести избирательное удаление пленки в процессе последующего проявления с выявлением требуемого рисунка. Например, при суб-трактивном методе изготовления печатных плат применяют защитную маску, под которой при последующем травлении должна сохраниться фольга в виде заданного рисунка проводниковых соединений. Защитную маску из теплостойкого лака применяют на всех печатных платах для локализации зоны лужения и пайки на контактной площадке. [21]

Эмульсионный трафарет, при изготовлении которого фотоэмульсия накатывается однородным слоем на сетку и просушивается. Затем для разметки рисунка производится экспонирование эмульсии через соответствующий фотошаблон с использованием ультрафиолетового излучения. Облученные участки фотоэмульсии становятся нерастворимыми и остаются в дальнейшем на поверхности трафарета. Химически активные ( неэкспонированные) участки эмульсии удаляются в проявителе. Фотоэмульсия, нанесенная в виде тонкого слоя, закрывает отверстия ячеек и практически не влияет на толщину трафарета или на количество пасты, содержащейся в открытых ячейках. При использовании большего количества эмульсии возрастают как эффективная толщина трафарета, так и объем пасты в открытых ячейках. [22]

Процесс изготовления полупроводниковой ИГ. [23]

На рис. 9 - 22 показана упрощенно возможная технология изготовления полупроводниковых ИС. Затем фоторезист облучается ультрафиолетовыми лучами ( рис. 9 - 22 6) через так называемый фотошаблон ( 3), представляющий собой фотопластинку с соответствующим рисунком, состоящим из прозрачных и непрозрачных участков. Такой фотошаблон получается путем фотографирования чертежа, выполненного на бумаге. Облученные участки ( 4) фоторезиста становятся кислотостойкими. Такой метод Носит название фотолитографии. [24]

Полученные заранее плоские заготовки необходимой толщины обрабатывают групповым методом в следующей последовательности. Подлежащие растворению участки заготовки засвечивают, чтобы структурообразо-ватель восстановить до металла. После термообработки структура облученных участков заготовки отличается от структуры необлученпых участков большей кристалличностью. Облученные участки во много раз быстрее растворяются в плавиковой кислоте. После травления заготовки в растворе плавиковой кислоты получают готовые детали сложной конфигурации. Их подвергают затем двухстадийной термообработке с целью получения материала мелкокристаллического строения. [25]

Как в случае контактной, так и в случае проекционной ( теневой) фотопечати необходимо использовать параллельный пучок ультрафиолетовых лучей. Режим тепловой обработки при проявлении изображения следует выдерживать очень точно во избежание кристаллизации в необлученных участках, которые после термообработки должны переходить в форму В. Облученные участки ( форма С) образуют благодаря кристаллизации глушеное изображение, которое распространяется либо на определенную глубину, либо через всю толщину пластинки. Заключенное в стекле фотоформ изображение не царапается, не загрязняется и сохраняет первоначальные размеры благодаря отсутствию усадки при переходе исходного материала в формы В и С. [26]

Для проявления изображения в стеклах, облученных в течение 10 сек - 1 часа ультрафиолетовым светом угольной дуги при силе тока 60 а и расстоянии до объекта 30 см, применяют двухстадий-ную тепловую обработку. Первая стадия состоит в нагревании стекла продолжительностью от 1 мин при температуре на 50 С выше температуры начала размягчения до 1 часа - при температуре на 150 С ниже этой температуры. На первой стадии помутнения не происходит, хотя при содержании Ag 0 002 % может появиться желтое прозрачное изображение. Стуки [259-261] предполагает, что в облученных участках образуются субмикроскопические коллоидно-дисперсные частицы Ag, которые и вызывают желтое окрашивание. Далее следует охлаждение ниже 500 С. Видимых изменений не наблюдается, хотя на коллоидно-дисперсных частицах Ag выделяются фториды щелочных металлов, образуя невидимые пока центры кристаллизации основной выделяющейся фазы. Охлаждение до еще более низких температур, например до комнатной температуры, на образование центров кристаллизации больше не влияет. Вторая стадия включает повторное нагревание в течение 3 - 15 мин до температур, лежащих на 100 С ниже температуры размягчения. На этой стадии центры кристаллизации фторидов растут, образуя кристаллы, вызывающие глушение облученных участков стекла. Степень глушения увеличивается с увеличением экспозиции облучения и времени тепловой обработки. Для стекол с большим содержанием F вторую стадию термообработки можно не применять, так как глушение наступает уже на первой стадии. [27]

Литография, Окна на поверхности пластины, используемые для проведения диффузии, наносятс. При этом поверх SiOj на пластину наносят фоторезист, представляющий собой тонкую пленку светочувствительного органического материала. Затем накладывается фотошаблон в виде стеклянной контактной маски, на которой имеется рисунок, состоящий из прозрачных и непрозрачных областей. Через маску фоторезист подвергается облучению ультрафиолетовыми лучами, в результате чего при действии проявителя на облученных участках фоторезист не проявляется. Таким образом на поверхности пластины остается рисунок определенной конфигурации и соответствующих размеров. При травлении пластины в плавиковой кислоте для удаления слоя SiO2 фоторезист не растворяется, поэтому окна вскрываются только на участках, не покрытых экспонированным фоторезистором. Через эти окна и проводится диффузия. [28]

Правильно, навесные элементы входят в толстопленочные микросхемы. Правильно, все перечисленные и ряд других материалов. Правильно, электронный луч распыляет самые тугоплавкие металлы. Отпечаток получают при многократном уменьшении. Облученные участки такого фоторезистора растворяются. На поверхности подложки остается только пленочная схема. Активные элементы этих схем навесные. Важна также работоспособность кремния при высоких температурах. Пленка диоксида кремния имеет многоцелевое назначение. [29]

Ферромагнитные материалы для записи оптической информации являются одними из основных. Пленки MnBi обладают высокой анизотропией и хорошими магнитооптическими свойствами. Падающее излучение поглощается пленкой, в результате чего при температуре, близкой к 360 С, некоторые ее участки приобретают парамагнитные свойства. После облучения и остывания пленки ее ферромагнитные свойства восстанавливаются, однако домены в облученных участках становятся ориентированными в направлении, противоположном ориентации доменов в холодных участках. В основе процесса считывания лежит эффект Фарадея. [30]

Страницы: 1 2 3