Падающий участок
Cтраница 1
Падающий участок за счет динатронного эффекта имеет анодная характеристика тетрода ( см. рис. 13.2): при увеличении потенциала анода ( пока он остается ниже потенциала экранирующей сетки) возникает вторичная электронная эмиссия; покидающие анод электроны устремляются на экранирующую сетку - ток в цепи ее возрастает, а анодный ток уменьшается. [1]
Падающий участок имеет, например, характеристика электрической дуги и некоторых газоразрядных приборов. [2]
Падающий участок имеет, напр. В трехэлектрод-ной лампе падающий участок характеристики может получаться вследствие вторичной эмиссии ( см.), которая быстро растет с увеличением напряжения на аноде, и поэтому суммарный анодный ток падает, - так, напр. [3]
Падающий участок на зависимости рво f ( H0 / a) ( где аир - коэффициенты в формуле Я азЬрВ) образуется чаще всего вследствие действия неявно выраженной обратной связи. Последнее проявляется в том, что амплитуда первой, а в некоторых случаях и высших гармоник или субгармоник магнитной индукции влияет на среднее за период значение последней. [4]
 |
Интегральные кривые автоколебательного движения при точении стали 45. t 4 мм. s 0 08 мм / об. 7 0е.| Характеристика силы резания при. [5] |
Падающий участок в этом случае имеет большую крутизну, но меньшую протяженность по скорости. [6]
Падающий участок в.а.х. представляет собой такой ее участок, на котором положительному приращению тока через НС соответствует отрицательное приращение напряжения на НС. [7]
 |
История нагружения образцов ( дифференциальные напряжения в экспериментах АЕ38 ( У. АЕ39 ( 2. АЕ42 ( 3. АЕ43 ( 4. [8] |
Падающий участок зависимости е от п примерно соответствует растущему участку нагрузочной кривой. Горизонтальный участок кривой на рис. 76 отвечает столь высокой акустической активности, что количество акустических событий почти все время превышает порог включения обратной связи я0, и скорость деформации, соответственно, близка к нулю. [9]
Падающий участок хар-ки наблюдается при динатронном эффекте ( см. Генератор динатронный), транзитронном эффекте ( см. Генератор транзитронный), туннельном эффекте ( см. Диод туннельный) и др. Вольт-амперные хар-ки с падающим участком бывают двух типов. [10]
 |
Двустабильное спусковое устройство на 2 транзисторах с пепосредств. связями.| Двустабильное спусковое. устройство на туннельном диоде. о - схема. С - динамич. хар-ка. [11] |
Падающий участок хар-к сохраняется в диапазоне темн-р от единиц К до сотен С. Туннельные диоды устойчивы к ядерным излучениям. Туннельный эффект не связан с ограниченным временем дрейфа неосновных носителей в 1111, в связи с чем возможна работа прибора на весьма высоких частотах. Потери анергии в туннельных диодах незначительны. Применение туннельных диодов открывает перспективы создания электронных машин со скоростью работы, достигающей десятков миллионов операции в сек. [12]
Падающий участок хар-ки наблюдается при динатронном эффекте ( см. Генератор динатронный), транзитронном эффекте ( см. Генератор транзитронный), туннельном эффекте ( см. Диод туннельный) и др. Вольт-амперные хар-ки с падающим участком бывают двух типов. [13]
 |
Двустабиль-ное спусковое устройство на 2 транзисторах с пепосредств. связями.| Двустабильное спу-скииои устройство на туннельном диоде. а - схема. б - динамич. хар-ка. [14] |
Падающий участок хар-к сохраняется в диапазоне темп-р от единиц К до сотен С. Туннельные диоды устойчивы к ядерным излучениям. Туннельный эффект не связан с ограниченным временем дрейфа неосновных носителей в ПП, в связи с чем возможна работа прибора на весьма высоких частотах. Потери энергии в туннельных диодах незначительны. Применение туннельных диодов открывает перспективы создания электронных машин со скоростью работы, достигающей десятков миллионов операций в сек. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5