Cтраница 2
Вълътамперная характеристика туннельного диода. [16] |
Падающий участок характеристики широко применяют для усиления и генерирования колебания. Туннельный диод обладает рядом достоинств: его характеристика мало зависит от температуры, он обладает большой скоростью срабатывания и поэтому используется в быстродействующих схемах. [17]
Падающий участок ВАХ представляет собой такой ее участок, на котором положительному приращению тока через HP соответствует отрицательное приращение напряжения на нем. [18]
Полупроводниковые генераторы гармонич. колебаний с внутренней положительной обратной связью на точечных транзисторах и вольтампериые характеристики последних.| Двухтактный полупровод. [19] |
Появление падающего участка на вольтамперных характеристиках транзисторов ( рис. 2, а, б, в) обусловлено лавинообразным размножением электронов в области коллекторного р - га-перехода при больших обратных напряжениях. Вследствие этого эффекта ток коллектора / к резко возрастает, коэфф. Если г мало и условия самовозбуждения не выполняются, то в схему вводится дополнит, сопротивление R ( рис. 2, а и б), регулируя к-роо, получают на выходе колебания, близкие к гармоническим. Необходимый рабочий режим схем по постоянному току осуществляется источниками Ея и сопротивлением Лэ. Мец при выходной мощности в неек. [20]
Наличие падающего участка ( участка отрицательного сопротивления) вольтампернои характеристики свидетельствовало о том, что этот прибор может быть использован для усиления и генерирования колебаний и в качестве прибора с двумя устойчивыми состояниями. Общий вид прямой ветви вольтампернои характеристики германиевого туннельного диода приведен на рис. V.10. Можно заметить, что при использовании падающего участка вольт-амперной характеристики вся область рабочих напряжений не будет превышать 0 5 в. Таким образом, туннельный диод представляет собой прибор, работающий при очень малых значениях напряжения источников питания. [21]
Наличие падающего участка на характеристике ПТР дает возможность не только использовать ПТР в пропорциональных режимах, но и создавать релейный эффект в цепях с ПТР. [22]
Наличие падающего участка характеристики, соответствующего отрицательному значению дифференциальной проводимости G dJIdU, дает возможность использовать такие диоды для создания генераторов или усилителей, способных работать при очень высоких частотах, так как туннельный ток, в отличие от диффузионного, переносится основными носителями и практически безынерционен. [23]
Если характеристика имеет падающий участок, то на этом участке RI отрицательно. [24]
Получение незатухающих колебаний с помощью отрицательного сопротивления. [25] |
Однако так как падающий участок его характеристики расположен в области малых напряжений и токов ( ср. Рассмотрим теперь подробнее, каким образом здесь возникают автоколебания. Следовательно, положительное напряжение между а и б вызывает в контуре ток положительного направления. Так как положительное направление тока i противоположно направлению / 0 ( см. рис. 444), то колебания полного тока дуги будут изображаться кривой I i0 - - l, минимумы которой совпадают с максимумами г и наоборот. [26]
Здесь тоже есть падающий участок Ьр. [27]
В трехэлектродной лампе падающий участок характеристики может получаться вследствие вторичной эмиссии, которая быстро растет с увеличением напряжения на аноде, за счет чего суммарный анодный ток падает. [28]
Они характеризуются наличием падающего участка на вольтамперной характеристике. Поскольку туннельный механизм переноса зарядов, которым определяется вольтамперная характеристика этого типа р - n - переходов ( до напряжений, при которых ток достигает минимума), безынерционен, их частотные характеристики гораздо лучше, чем у других полупроводниковых диодов. [29]
Вольтамперная хар-ка их содержит падающий участок, на к-ром сопротивление прибора имеет отрицательное значение. [30]