Cтраница 3
![]() |
Зависимость постоянной затухания плазмы вблизи п нескольких значениях v / ю. [31] |
Напомним, что простое выражение (23.1) было получено в § 12 путем интегрирования уравнения движения электрона в высокочастотном электрическом поле без учета электрон-ионных столкновений. [32]
Этот профиль получается при действии различных механизмов расширения линий, например, при естественном затухании излучения и при дисперсии на атомах с учетом столкновений. Профиль называется также дисперсионным, Частота измеряется в естественных ДБ или дисперсионных Дс ширинах. [33]
Максвелла, может внести лишь поправку в численное значение величин еа, v ae, определяющих частоты столкновений, и, наоборот, учет столкновений в случае применения гидродинамического уравнения Навье - Стокса к отдельным компонентам смеси сталкивающихся частиц может внести лишь поправку в члены этого уравнения, учитывающую вязкое трение. Однако в этом случае в ( 96), ( 97) вместо poo / Рое оказывается величина бе / бя. [34]
![]() |
Зависимость удельной электропроводности от скорости ударной. [35] |
Действительно, ввиду дальнодействующего характера кулоновско-го потенциала при умеренных температурах наибольший вклад в коэффициенты переноса вносит рассеяние электронов на больших прицельных расстояниях, что оправдывает использование полукачественного учета близких столкновений введением различных принудительных обрезаний. С ростом температуры амплитуда кулоновского рассеяния Ze / kT оказывается сравнимой с собственными размерами ионов Г, так что высокоэнергетические электроны проводимости при своем рассеянии могут подходить достаточно близко к ядру, где потенциал взаимодействия уже не является чисто кулоновским и оказывается искаженным внутренними электронными оболочками. Выполненные для разреженной плазмы оценки [31, 58] показывают, что этот эффект начинает проявляться на фоне кулоновского рассеяния лишь при экстремально высоких температурах Т 2 106 К. Увеличение плотности плазмы вызывает усиление экранирования кулоновского взаимодействия и, соответственно, повышение роли ближних столкновений в плазме, что, в свою очередь, делает возможным проявление эффекта некулоновского рассеяния электронов на малых прицельных расстояниях в области более низких и доступных для эксперимента температур Т 5 104 К. [36]
Прежде всего по смыслу вывода (52.4) ясно, что это уравнение применимо для каждой из компонент газа, однако длина свободного пробега / должна быть вычислена с учетом столкновений с молекулами не только того же сорта, но и другого. [37]
В рассматриваемом случае вновь справедливы выражения (6.33), но так как Кп [ 1, то можно ожидать значительного увеличения сопротивления, теплопередачи и особенно давления при учете столкновений. [38]
Как было показано в § 2, п, 4, примесь может вызвать отражение падающего электрона, и на фиг, 8.12, а представлена схема движения электрона в кристалле с учетом столкновений в отсутствие приложенного поля, В присутствии поля существует дрейф в направлении поля ( фиг. [39]
![]() |
Удельная электропроводность аргоновой плазмы при р. [40] |
Учет столкновений с атомами ( кривая 2) приводит к согласию теории и эксперимента в области низких температур. [41]
Максвелла образуют связанную систему ур-ний, определяющих все неравновесные явления в плазме. При учете столкновений электронов возникает кинетич, ур-ние, в к ром эфф. Учет эффектов экранирования позволяет избежать этой трудности. [42]
К теории диэлектриков относится ряд работ Померанчука по теплопроводности диэлектриков как при низких, так и при высоких температурах. В них показана необходимость учета столкновений с участием четырех фононов, без чего не возникает тепловое сопротивление кристалла. [43]
Довольно очевидно, что числовые расчеты обычно весьма трудоемки и во многих случаях нужно использовать вычислительную технику. В работах [314, 317] проведен анализ с учетом столкновений. В последующих параграфах обсуждается несколько частных случаев. [44]
При выводе формул (1.23) - (1.25), (1.27) или (1.30) не предполагается какой-либо конкретный вид функции распределения отраженных частиц. При таком подходе невозможно рассчитать поле течения или произвести учет столкновений молекул между собой. Поскольку вероятности отражения молекул еще изучены слабо, обычно пользуются простейшими схемами отражения. [45]