Возникновение - дырка
Cтраница 1
Возникновение дырки показано на рис. 1 - 5 с помощью знакомой нам плоскостной модели полупроводника. А его прежнее место теперь свободно. Оно именно и является дыркой, изображенной на рисунке светлым кружком. [1]
 |
Возникновение дырки при введении в кремний акцепторной примеси. [2] |
Рассмотрим возникновение дырки при введении такой примеси в иолупроводник. [3]
При возникновении дырки внутри кристалла также образуются шесть свободных граней, ограничивающих дырку, на что потребуется также энергия, равная 6 - 1 / t W 3W, что и требовалось показать. [4]
Последняя поправка учитывает возникновение дырки в результате ионизации и релаксации электронов и ядер в конечном состоянии ( учет поляризации, таким образом, эквивалентен учету приближенного характера теоремы Купменса, гл. [5]
 |
Виды нарушений кристаллической решетки полупроводника. [6] |
Примесные атомы, приводящие к возникновению дырок в валентной зоне, называются акцепторами. [7]
 |
Схема образования примесной дырочной проводимости. [8] |
Освобождение электрона при поглощении энергии сопровождается возникновением дырки, следовательно, в чистом полупроводнике число электронов равно числу дырок. Но вследствие большей скорости движения электронов проводимость большинства чистых полупроводников в основном является электронной га-проводимостью. [9]
 |
Движение электронов и дырок в полупроводнике. [10] |
Итак, образование в массе полупроводника дырки связано с уходом из оболочки атома валентного электрона, а возникновение дырки соответствует появлению положительного электрического заряда, равного отрицательному заряду электрона. [11]
Наличие таких ионов в решетке германия не приводит ни к появлению электронов в зоне проводимости, ни к возникновению дырок в заполненной зоне. Пограничная область в этом случае лишена носителей тока и р-л-переход ток не пропускает. [12]
 |
Атом донорной примеси ( а, возникновение.| Атом акцепторной примеси ( а, возникновение. [13] |
При замещении атома германия или кремния атомом такой примеси у одной из валентных связей недостает электрона, что соответствует возникновению дырки ( рис. 1.14, о), дырка легка. Атом примеси при этом превращается в неподвижный отрицательный. [14]
Фактор / 2, упоминаемый в замечании, применим только в случае стандартной теории полупроводимости, где активация электрона до проводящей зоны сопровождается возникновением подвижной дырки, а дезактивация - рекомбинацией электрона и дырки. В нашем случае низколежащие состояния предполагаются локализованными состояниями. В связи с этой дискуссией мы должны сказать, что верхние симметричные возбужденные состояния объединяются, образуя зону. Проводимость обусловлена этой зоной. Однако нижние состояния сильно локализованы и оба только частично заполнены, так что активация электрона до проводящей зоны не приводит к лабильным дыркам, а дезактивация не сопровождается исчезновением дырок. При этих обстоятельствах значение энергии активации не должно ни удваиваться, ни делиться на два. [15]
Страницы: 1 2 3