Возникновение - дырка
Cтраница 2
Дырки, участвующие в процессе анодного растворения германия, могут образоваться в объеме полупроводника в результате тепловой и световой генерации, а затем диффундировать к границе раздела германий - электролит. Возможно возникновение дырок в зоне пространственного заряда германия, а также в результате ловерхностной генерации. [16]
Таким образом, в полупроводнике с примесью, валентность кото - рой на единицу меньше валентности основных атомов, возникают носители тока только одного вида - дырки. Примеси, вызывающие возникновение дырок, называются акцепторными. [17]
Таким образом, в полупроводнике с примесью, валентность которой на единицу меньше валентности основных атомов, возникают носители тока только одного вида - дырки. Примеси, вызывающие возникновение дырок, называются акцепторными. [18]
Это явление, детально рассмотренное Я - И. Френкелем, соответствует возникновению дырок и соответственно дислоциров. [19]
Нечто аналогичное наблюдается и в дырочном полупроводнике. Наличие в нем акцепторных уровней приводит к возникновению дырок. Однако электроны заполненной зоны переходят не только на акцепторные уровни, но также и в свободную зону, правда, в значительно меньшем количестве. Поэтому главными носителями тока в дырочном полупроводнике являются дырки, но, помимо них, существуют также и электроны. [20]
Механизм электропроводности для гомогенно графитирующихся углеродных материалов при разных температурах обработки был описан в обстоятельных работах Мрозовского [11, 12], с точки зрения зонной модели графита. В этих работах большое значение придается процессам деструкции боковых связей как физической причине возникновения дырок в я-зоне, а также росту размеров углеродных слоев. Изложение результатов исследования электрофизических свойств переходных форм углерода в связи со струк-турнохимическими преобразованиями при разных температурах обработки приводится в статье Т. М. Хренковой и В. И. Каса-точкина настоящего сборника. Процесс гомогенного графитирования весьма специфичен и отражает особенности полимерной структуры и реакционных свойств переходных форм углерода. Термическое преобразование гомогенно графитирующихся углеродных материалов наглядно может быть представлено наложением двух процессов атомного упорядочения. [21]
Туннельный эффект в переносе протона объясняется малой массой протона по сравнению с большинством других атомов. Аномальную электропроводность в водных и спиртовых растворах имеют также гидроксильные ионы, что объясняется механизмом возникновения протонных дырок. [22]
При замещении атома германия индием возникают связи лишь с тремя атомами, а с четвертым - связь оказывается нарушенной. Для заполнения этой связи атом индия захватывает один из электронов, образующих валентную связь в кристалле, и дополняет свою внешнюю оболочку четвертым электроном; для этого требуется незначительная энергия - 0 011 эв. Возникновение дырки не сопровождается появлением свободного электрона. Атом индия приобретает отрицательный заряд, но этот заряд не может являться носителем. [23]
Такой путь позволяет лучше проиллюстрировать возникновение дырок в полупроводниках, в которых при абсолютном нуле температуры и при отсутствии примесей валентная зона полностью заполнена электронами. [24]
В результате такого процесса в фотосистеме I возникает дырка. Эта дырка заполняется затем электроном, выбрасываемым фотосистемой II при ее освещении; он попадает в фотосистему I по цепи переносчиков, связывающей фотосистему II с фотосистемой I. Это, однако, приводит к возникновению дырки в фотосистеме II. Расщепляясь, молекула воды дает: 1) электроны, заполняющие дырки в фотосистеме II, 2) Н - ионы, поступающие в среду, и 3) молекулярный кислород, выделяемый в газовую фазу. [25]
Если в кристалле кремния часть атомов замещена атомами трехвалентного элемента, например индия, то атом индия может осуществлять связь только с тремя соседними атомами, а связь с четвертым атомом осуществляется лишь одним электроном. При этих условиях атом индия захватывает электрон у одного из соседних атомов кремния и становится отрицательным ионом. Захват электрона от одного из атомов кремния приводит к возникновению дырки. [26]
По всем внешним цепям ПТ проходят только электроны. К электроду коллектора подходят электроны, нейтрализующие дырки, которые переходят из базовой области в область коллектора. От электрода эмиттера уходят избыточные электроны, отдаваемые атомами полупроводника при возникновении дырок. Ток основания создается электронами, идущими на нейтрализацию незначительного количества дырок в базовой области. [27]
В случае кристаллических нитратов щелочных металлов было найдено, что величина Ко приблизительно равна сумме радиуса катиона и расстояния анион - катион, рассчитанного для заданной кристаллической решетки. Однако для расплавленных нитратов щелочных металлов значения R0 оказались заметно больше. Однако известно, что основная часть теплового расширения подобных расплавов обусловлена возникновением дырок и полостей в жидкости, но не возрастанием среднего расстояния между ионами разного знака. Поэтому уравнение ( 11) к расплавленным солям непри-ложимо. [28]
 |
Схема движения электронов и дырок в полупроводнике. [29] |
Но при повышении температуры связь валентных электронов с атомными ядра - Ми ослабевает и некоторые из них вследствие теплового движения могут покидать свои атомы. Вырвавшийся из межатомной связи электрон становится свободным ( на рис. 72, б-черная точка), а там, где он был до этого, образуется пустое место. Чем выше температура полупроводника, тем больше в нем появляется свободных электронов и дырок. Таким образом, образование в массе полупроводника дырки связано с уходом из оболочки атома валентного электрона, а возникновение дырки соответствует появлению положительного электрического заряда, равного отрицательному заряду электрона. На нем схематично изображено явление возникновения тока в полупроводнике. [30]
Страницы: 1 2 3