Возникновение - анизотропия
Cтраница 3
Изготовление магнитно-изотропных пленок не является простой задачей в связи с тем, что существует ряд трудно контролируемых факторов, приводящих к возникновению анизотропии в плоскости пленки. Такими факторами в процессе вакуумного напыления могут являться упругие напряжения в пленке, возникающие из-за различия коэффициентов теплового расширения подложки и пленки, которое приаодит к возникновению анизотропии магнитострикции; наклонное падение атомов распыляемого пермаллоя на подложку, приводящее к эффекту сачозатенения; присутствие в рабочем объеме вакуумной камеры паразитных магнитных полей, способствующих возникновению наведенной анизотропии ( ср. Радикальным способом борьбы с этими факторами явился метод напыления на вращающуюся подложку, предварительно нагретую для устранения магнитострикционной анизотропии. Кроме того, при таком напылении устраняется неравномерность распределения потоков атомов пермаллоя, что гарантирует идентичность свойств всех аппликаций, получаемых в одном технологическом цикле. [31]
Молекулярно-кинетическое вычисление анизотропии, возникающей под действием электрического поля, требует статистического учета всех возможных ориентации молекул под действием внешнего поля Е и теплового движения. Оно приводит к результатам, согласным с опытом, а именно: постоянная Керра должна быть пропорциональна квадрату напряженности внешнего поля и уменьшается с увеличением температуры, ибо под действием тепловых столкновений расстраивается ориентация молекул, определяющая возникновение анизотропии. [32]
Недеформируемые расплавы полимеров при охлаждении образуют обычно эквиаксиальные сферолитные структуры), но если кристаллизация происходит в текущем расплаве, то почти всегда возникает одно или несколько кристаллографических направлений предпочтительной кристаллизации. При этом микроструктура материала остается поликристаллической, но в среднем в образце существует некоторое преимущественное направление ориентации кристаллов. Вследствие возникновения анизотропии структуры весьма резко изменяются и механические свойства материала. В технике это явление довольно широко используется, хотя до настоящего времени не найдено объяснения происходящих при этом процессов. [33]
Ударная прочность может сильно зависеть от способа переработки ударопрочного полимера. Метод Изода может здесь дать неверную информацию. По возможности следует избегать возникновения анизотропии материала в процессе переработки. [34]
Рассматривается возможность приписать отсутствие обрезания спектра космических лучей сверхвысоких энергий нарушению обычной релятивистской теории при скоростях, близких к скорости света. Показано, что обычная релятивистская теория допускает обобщение, не противоречащее основным постулатам специальной теории относительности. Отличие развиваемой схемы от обычной проявляется в возникновении анизотропии пространства 4-импульсов или, на другом языке, в замене псевдоевклидова пространства-времени пространством Финслера. Для объяснения отсутствия обрезания спектра безразмерный параметр, характеризующий отклонение от обычной теории, должен быть выбран порядка 10 -, что близко к величине константы связи квантовой теории гравитации. [35]
После того как образец был намагничен в направлении Р и пришел в равновесное состояние, магнитное ноле, а вместе с ним п вектор намагниченности поворачивают в повое направление а. Это означает, что образец непосредственно после изменения направления поля оказывается в термодинамически неравновесном состоянии и с течением времени постепенно релакснрует в состояние равновесия, соответствующее новому направлению поля. При этом происходит разрушение первоначальной наведенной анизотропии н, возможно, возникновение новой анизотропии, стабилизирующей намагниченность в направлении се. [36]
Несмотря на то что его теория была развита для частного случая последействия, обусловленного диффузией междо-узельных атомов углерода в сс-железе. Снуком ГОО ] 2) п другими, она тем не менее имеет общий характер. Представления Нееля легко обобщить таким образом, чтобы они включалп также п другие возможности выбора постоянных F, С и Кг. Напротив, микроскопические механизмы, ответственные как за возникновение индуцированной анизотропии, так и на различные проявления магнитного последействия, в значительной мере являются специфичными для каждого данного класса материалов, в частности и для магнитных окислов типа ферритов. [37]
 |
Магнитооптический аффект Керра. а - полярный, б - меридиональный, в - акиаториалъный. j - вектор намагниченности, л - волновой вектор. [38] |
Наиб, интересной реализацией этой возможности является регистрация К. Ось ( или для неполяризованного света плоскость) светоипдуцированной анизотропии среды при этом определяется направлением вектора напряженности электрич. Поэтому в экспериментах зондирующий световой пучок может быть направлен как вдоль луча накачки ( при этом свет накачки должен быть линейно поляризован), так и перпендикулярно ему накачка может быть неполяризована), а плоскость поляризации зондирующего пучка должна составлять угол 45 с направлением вектора напряженности поля накачки. В высокочастотном поле пост, дипольные моменты не могут играть роли в возникновении анизотропии. Лан-жевепа, обусловленный ориентацией только индуцированных диполъных моментов. [39]
Фаталиева и др. к исследованию влияния магнитного поля на плазму, и в частности, к исследованию поведения положительного столба разряда в цилиндрической трубке в аксиально-симметричном магнитном поле. Наложение магнитного поля, искривляя пути электронов, влечет за собой увеличение числа соударений электронов с частицами газа и поэтому приводит к таким же изменениям режима разряда, как и увеличение давления газа. Указанными выше авторами установлено влияние магнитного поля на продольный и поперечный градиенты потенциала в положительном столбе и на возникновение анизотропии плазмы в отношении длины свободного пробега электронов. Установлено влияние аксиально-симметричного поля на распределение концентрации заряженных частиц в плазме; это приводит к возможности искусственно сужать область разряда и получать таким образом концентрированные источники положительных ионов, необходимые для некоторых целей. Установлено влияние магнитного поля на функцию распределения электронов плазмы по энергиям и на величину их средней энергии. [40]
Таким образом, принципиально возможно, что путем внутреннего перераспределения вещество адаптируется к заданному магнитному состоянию ( например, при магнитном насыщении - к заданному направлению намагниченности), и в результате полная свободная энергия кристалла уменьшится. Такое изменение свободной энергии стабилизирует намагниченность. При этом, как уже говорилось, речь идет о конфигурациях, в которых величина f й практически остается неизменной. Если кристалл намагничен однородно, то изменения в локальном распределении атомов могут существенно повлиять на величину членов / и / те, что приведет к возникновению дополнительной анизотропии или магнитострикции. Мы будем рассматривать здесь первый эффект, который выражен сильнее и легче обнаруживается экспериментально. [41]
Как уже отмечалось, на практике стараются избежать дополнительного оплавления деталей с покрытием. Для этого изделие нагревают до высоких температур и погружают в псевдоожижен-ный слой на определенное время, определяемое из зависимости толщины покрытия от времени нахождения его в псевдоожижен-ном слое. Как правило, подобные данные получают предварительно на конкретных образцах для какого-то одного состояния псев-доожиженного слоя. Поэтому при переходе к другому изделию или при изменении условий псевдоожижения они нуждаются в корректировке. Основным возражением против такого приема является то, что формирование покрытия происходит в нестационарных термических условиях. Это приводит к возникновению анизотропии свойств покрытий по толщине. Формирование покрытий без до-оплавления разрешается лишь для изделий, которые эксплуатируются в достаточно легких условиях. [42]
Страницы: 1 2 3