Возникновение - канал - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Одна из причин, почему компьютеры могут сделать больше, чем люди - это то, что им никогда не надо отрываться от работы, чтобы отвечать на идиотские телефонные звонки. Законы Мерфи (еще...)

Возникновение - канал

Cтраница 1


Возникновение канала, видимо, происходит постепенно [181, 247, 633]: сначала канал образуется в нижних зонах слоя, вблизи входного отверстия ( рис. 1 - 10); затем с увеличением скорости канал захватывает все более высокие зоны слоя и, наконец, после прорыва свободной поверхности образуется сквозной канал.  [1]

2 Схема образования канала поверхностной проводимости. [2]

Возникновение канала проводимости должно вызывать, очевидно, увеличение обратного тока.  [3]

Предотвратить возникновение каналов в глинистой корке можно также модифицированием бурового раствора в процессе проходки интервала, где планируется подъем цементного раствора. Свойства бурового раствора изменяются таким образом, что формируемая в условиях скважины фильтрационная корка затвердевает и обеспечивает связь с цементным камнем. Работы по изучению некоторых типов твердеющих корок были проведены в ТатНИИ и ВНИИКРнефти. Фильтрационная корка с указанными свойствами может быть создана заменой лабильной глинистой фазы в буровом растворе материалом, имеющим физико-химическое сходство с цементным раствором, и заменой глины в буровом растворе другими минералами, обладающими прочной неразбухающей кристаллической решеткой, более сходной по строению и составу с цементным материалом. Эти и подобные работы проводятся во ВНИИКРнефти.  [4]

5 Зависимость длительности индукционною периода зарождения дендрита в аилиэш-лене от приложенного напряжения и температуры. Испытания при переменном напряжении частотой 60 Гц. [5]

После возникновения начального канала пробоя дальнейший рост дендрита происходит таким образом.  [6]

После возникновения начального канала пробоя дальнейший рост дендрита происходит следующим образом. Последовательные импульсы напряжения вызывают пробой газа в канале дендрита и в результате становится возможным следующий частичный пробой диэлектрика, начиная от какой-либо точки канала, напряженность поля близ которой достигает значения Епр. По мере роста дендрита давление газа в канале может повышаться, что приводит к затуханию разрядов в канале.  [7]

После возникновения начального канала пробоя дальнейший рост дендрита происходит таким образом.  [8]

Схема возникновения каналов в зако-лонном пространстве следующая. После окончания цементирования невытесненный буровой раствор обезвоживается. В нижней части скважины из-за высокой температуры цемент схватывается быстрее, при этом глинистый раствор обезвоживается, образуются трещины, по которым газ поднимается вверх по стволу. Когда давление газа превысит давление, создаваемое столбом бурового раствора, начнется перелив раствора с нарастающей интенсивностью.  [9]

10 Схема динамики образования каналов в затрубном пространстве. [10]

Механизм возникновения каналов в глинистом растворе заключается в его обезвоживании на контакте с цементным раствором и камнем вследствие возникновения в последних контракционного эффекта системы вяжущее - вода и развития на их поверхности вакуума.  [11]

При возникновении хорошо ионизированных каналов разряда вдоль поверхности твердого диэлектрика резко снижается напряжение перекрытия, причем характерно, что зависимость напряжения перекрытия от расстояния между электродами / резко нелинейна.  [12]

С причиной возникновения промытых каналов в полимик-товом коллекторе, по крайней мере, ясно. Это является прямым следствием вымывания цементирующего ( карбонатов, глин) материала горных пород.  [13]

14 Выходные статические характеристики ( а и статические характеристики передачи ( б МДП-транзистора с индуцированным. [14]

В МДП-транзисторе до возникновения канала почти все напряжение источника питания в цепи стока падало на полупроводнике между истоком и стоком, создавая относительно большую постоянную составляющую напряженности электрического поля. Под действием напряжения на затворе в полупроводнике под затвором возникает канал, по которому от истока к стоку движутся носители заряда - дырки. Дырки, двигаясь по направлению постоянной составляющей электрического поля, разгоняются этим полем, и их энергия увеличивается за счет энергии источника питания в цепи стока. Поэтому дырки тормозятся переменным электрическим полем, отдавая ему часть своей энергии.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5