Возникновение - канал
Cтраница 3
Сползание твердой части тампонажной смеси при повышенном содержании воды затворения иногда может привести к возникновению каналов внутри столба цементного раствора. [31]
 |
Схемы вариантов седиментации цемента в тампонажных растворах. [32] |
Но специфика горизонтального бурения накладывает новые требования, которым тампонажный раствор должен отвечать для предупреждения возникновения каналов в заколонном пространстве. [33]
Основными причинами параметрических отказов ИМС, выражающихся в большинстве случаев в увеличении токов утечки, являются возникновение каналов электропроводности из-за миграции подвижных зарядов в оксидной пленке, загрязнения поверхности кристалла и разгерметизации корпуса. [34]
 |
Экстрактор Сокслета для периодической экстракции твердых веществ. [35] |
При этом твердое вещество будет постоянно экстрагироваться потоком экстрагента, оставаясь погруженным в него, и опасность возникновения каналов практически исключается. [36]
Короткие замыкания в электрических цепях микросхем обусловлены, в основном, дефектами фотолитографии и диэлектрических пленок, возникновением каналов с инверсной электропроводностью, дефектами кристаллической решетки полупроводникового кристалла, дефектами сборки. [37]
В процессе замещения бурового раствора гампонажным сплошного кольца в заколонном пространстве не образуется, а физико-химические процессы приводят к возникновению каналов несплошностей, зон смешения жидкостей, зон распределения камня с резко различающимися свойствами и даже таких, где отсутствуют буровой и тампонажный растворы. К сожалению, этот и некоторые другие факторы еще не изучены и пока еще не объяснены. [38]
Газопроявления и перетоки пластовых жидкостей через зако-лонное пространство являются следствием снижения противодавления на стенки скважины ниже пластовых давлений в проницаемых горизонтах; возникновения каналов в заколонном пространстве, обусловленного седиментационной неустойчивостью тампонажного раствора и суффозией его; оставления в цементируемом интервале невытесненной промывочной жидкости и фильтрационных глинистых корок; усадки загустевшей промывочной жидкости и тампонажного камня; растрескивания глинистой пленки при контракции цемента. Они могут возникнуть также вследствие образования зазора между тампонажным камнем и обсадной колонной, обусловленного уменьшением давления и температуры жидкости в последней. [39]
При этом следует внимательно следить за тем, чтобы при заполнении колонки не образовывались пустоты, которые в процессе фракционирования могут обусловить возникновение каналов. На стадии заполнения колонки оказывается полезным частично залить колонку осадителем. [40]
Газопроявления и перетоки пластовых жидкостей через зако-лонное пространство являются следствием снижения противодавления на стенки скважины ниже пластовых давлений в проницаемых горизонтах; возникновения каналов в заколонном пространстве, обусловленного ссднментацнонной неустойчивостью тампонажного раствора и суффозией его; оставления в цементируемом интервале невытесненной промывочной жидкости и фильтрационных глинистых корок; усадки загустевшей промывочной жидкости и тампонажного камня; растрескивания глинистой пленки при контракции цемента. Они могут возникнуть также вследствие образования зазора между тампонажным камнем и обсадной колонной, обусловленного уменьшением давления и температуры жидкости в последней. [41]
 |
Промыслово-геофизическая характеристика пористых коллекторов с УФС ( скв. 740 ОГКМ. [42] |
Учитывая наличие в пористой матрице пород трещин и тонкой слоистости, дополнительно обеспечивающих улучшенную проводимость электрического тока, можно предположить, что понижение сопротивления при микрометоде для отдельных слоев - следствие присутствия в породе каналов, сечения которых значительно выше, чем в целом по пласту. Возникновение каналов, по-видимому, обусловлено искусственной тре-щиноватостью, образующейся во время бурения в ближней зоне в ослабленных породах. [43]
Проведенными во ВНИИКРнефти исследованиями показано, что буровой раствор, находящийся в контакте с цементным, отдает часть воды и превращается в хорошо проводящую газ массу. Схема возникновения каналов в затрубном пространстве следующая. После окончания цементирования невытесненный буровой раствор обезвоживается. [44]
Пленарные кремниевые транзисторы типа р-п - р изготавливаются на высокоомных эпитаксиальных пленках р-типа. Этим объясняется возникновение каналов в коллекторной высокоомной р-области. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5