Cтраница 3
Образование стоячих волн в объемном резонаторе. [31] |
Возможность возникновения колебаний в объемном резонаторе проверяется выполнением граничных условий у его стенок. [32]
Типичная кривая ки. [33] |
Условия возникновения колебаний определяются гидродинамикой всей магистрали в целом. Колебания расхода резко снижают значения qKV f, причем это снижение зависит от условий конкретной системы. [34]
Источником возникновения колебаний в шлифовальных станках являются также дефекты изготовления опор и обработки посадочных мест под подшипники качения ( шариковых или роликовых подшипников), погрешности формы тел качения, шариков, роликов или беговых дорожек. Для снижения амплитуды вибраций необходимо регулировать предварительный натяг в осевом направлении. [35]
Причины возникновения колебаний в этом случае точно такие же, как и в случае насыщения системы, разбиравшемся выше. [36]
Разрез многорезонаторного магнетрона. [37] |
Процесс возникновения колебаний происходит следующим образом. При включении источников питания в резонаторах возникают свободные колебания. [38]
Процесс возникновения колебаний происходит следующим образом. При включении источников питания в резонаторах возникают свободные колебания. Резонаторы связаны общей полостью, поэтому колебания, возникшие в одном из них, мгновенно возбуждают колебания и во всех остальных резонаторах. Внутри каждой полости возникает переменное магнитное поле, а во внутреннем пространстве анода, окружающем катод, образуются переменные электрические поля. [39]
Границы неустойчивых режимов.| Гидродинамические характеристики парогенерирующей трубы. [40] |
Границы возникновения колебаний определяются конструкцией, характером тепловыделения и четырьмя параметрами: Q, p, poi, / вых. [41]
Примером возникновения несимметричных колебаний может служить релейная система с отрицательным гистерезисом переменной ширины, рассмотренная в примере 3.13. Как видно из рис. 3.27, а, в зависимости от начальных условий цикл автоколебаний может иметь различную постоянную составляющую в пределах ширины зоны гистерезиса. В реальных условиях за счет влияния малых параметров системы автоколебания всегда смещаются на одну из границ зоны гистерезиса и на выходе объекта появляется постоянная составляющая, знак которой может быть как положительным, так и отрицательным. [42]
Эффект возникновения колебаний тока в цепи полупроводника, связанный с прохождением домена, был теоретически предсказан Хилсамом и впервые экспериментально наблюдался Ганном на арсениде галлия - типа проводимости. [43]
С возникновением колебаний за счет сеточных токов в сеточной цепи лампы, создается отрицательное смещение, и постоянная составляющая анодного тока резко падает. [44]
При возникновении колебаний вблизи щелей резонаторов образуются неоднородные электрические поля. [45]