Возникновение - полоса - поглощение
Cтраница 2
Если лиганды одинаковы, величина - Д возрастает по мере увеличения заряда центрального иона. Кроме того, она возрастает при одинаковом числе d - электронов по мере увеличения атомного номера иона. Если принять во внимание эти соображения, то все экспериментальные факты, описанные выше, легко объяснить. Необходимым условием для возникновения полос поглощения за счет d - d - переходов является наличие электронов на d - орбиталях, поэтому эти полосы наблюдаются только у соединений переходных элементов. [16]
Словохотова 102 исследовала влияние излучений большой энергии ( быстрые электроны и улУчи 60Со) на политетрафторэтилен ( тефлон) и наблюдала образование систем сопряженных двойных связей. Появление полосы поглощения при 1350 слг1 при облучении тефлона также свидетельствует об образовании двойных связей. Словохотова 102 объяснила возникновение полосы поглощения при 980 см-1 в облученном тефлоне присутствием циклобутановых звеньев. [17]
Словохотова 102 исследовала влияние излучений большой энергии ( быстрые электроны и улучи 60Со) на политетрафторэтилен ( тефлон) и наблюдала образование систем сопряженных двойных связей. Появление полосы поглощения при 1350 слг1 при облучении тефлона также свидетельствует об образовании двойных связей. Словохотова 102 объяснила возникновение полосы поглощения при 980 слг1 в облученном тефлоне присутствием циклобутановых звеньев. [18]
 |
Расщепление d - орбиталей в комплексах с различным пространственным расположением лигандов. [19] |
Если лиганды одинаковы, величина - Д возрастает по мере увеличения заряда центрального иона. Кроме того, она возрастает при одинаковом числе d - электронов по мере увеличения атомного номера иона. Если принять во внимание эти соображения, то все экспериментальные факты, описанные выше, легко объяснить. Необходимым условием для возникновения полос поглощения за счет d - d - переходов является наличие электронов на d - орбиталях, поэтому эти полосы наблюдаются только у соединений переходных элементов. [20]
Словохотова 1о2 исследовала влияние излучений большой энергии ( быстрые электроны и у-л Учи 60Со) на политетрафторэтилен ( тефлон) и наблюдала образование систем сопряженных двойных связей. Появление полосы поглощения при 1350 слг1 при облучении тефлона также свидетельствует об образовании двойных связей. Словохотова 102 объяснила возникновение полосы поглощения при 980 см 1 в облученном тефлоне присутствием циклобутановых звеньев. [21]
Если электрон в какой-либо молекуле находится под влиянием постоянного электрического поля, то он будет смещаться на такое расстояние, на котором смещающая сила равняется возвращающей силе, создавая таким образом равновесие. Если теперь устранить возбуждающее поле, то электрон будет приведен в колебание возвращающей силой и будет осциллировать с характерной для него собственной частотой, зависящей от тех ограничений, которые накладываются на данный электрон в данной молекуле. Далее, если мы допустим, что световые волны проходят сквозь молекулу, то мы, очевидно, должны будем встретиться с явлением резонанса, если среди этих волн имеются и такие, частота колебания которых равна или почти равна собственной частоте электрона. При отсутствии такой частоты в световом пучке и другие частоты могут привести электрон в принудительное колебание. Во всяком случае, ясно, что здесь будет иметь место явление, сходное с трением, которое будет задерживать распространение световой волны, а следовательно, уменьшать ее скорость. Особенно сильно будет уменьшаться эта скорость в случае резонанса, когда волна может даже полностью быть задержана. Это явление ведет к возникновению полос поглощения. [22]
Страницы: 1 2