Возникновение - вакансия
Cтраница 1
Возникновение вакансий в кристалле вносит некоторую долю беспорядка в размещение атомов, что, естественно, сопровождается возрастанием энтропии. [1]
Рассмотрим возникновение вакансий для какого-нибудь оксида. [2]
 |
Кристалл дре-иовидной формы. [3] |
Причина возникновения вакансий или незаполненных углов кристаллической решетки - нарушение правильности порядка присоединения атомов при росте кристалла или сильное искажение решетки при пластическом деформировании. [4]
 |
Линейная ( а и винтовая ( б дислокации. [5] |
Причинами возникновения вакансий или незаполненных углов атомной решетки являются нарушения правильного порядка присоединения атомов при росте кристалла или сильные искажения решетки при пластическом деформировании. Число вакансий зависит от температуры и может достигать 2 % объема кристалла. [6]
 |
Кристалл древовидной формы. [7] |
Причина возникновения вакансий или незаполненных углов кристаллической решетки - нарушение правильности порядка присоединения атомов при росте кристалла или сильное искажение решетки при пластическом деформировании. [8]
Согласно рассмотренному первому механизму возникновения вакансий последние образуются одновременно с внедренными атомами, и потому количество возникающих вакансий и внедренных атомов должно быть одинаковым. [9]
Процессы выделения новых фаз всегда сопровождаются возникновением дополнительных вакансий, интенсифицирующих образование микроскопических несплошностей в диффузионном слое. Внешняя поверхность диффузионного слоя является активным стоком для вакансий и дислокаций. Выходы дислокаций в свою очередь являются активными центрами взаимодействия диффузионного слоя со средой, в част-стностй с ее примесными компонентами: кислородом и азотом. Наиболее часто на поверхности диффузионного слоя наблюдается образование кислородсодержащих пленок. [10]
С точки зрения теории сплавов один из путей возникновения вакансий может быть связан с тенденцией к сохранению неизменной электронной концентрации при изменении состава сплава. Примером могут служить ограниченные твердые растворы или электронные фазы с дефектной структурой. В них при определенных условиях увеличение или уменьшение количества атомов растворенного элемента может приводить к изменению числа атомов на элементарную ячейку, которое происходит таким образом, что в кристаллической решетке появляются вакантные узлы. По всей вероятности, этот процесс обусловлен стремлением системы к оптимальному значению энергии валентных электронов. [11]
Фуллеренная модель структуры железо-углеродистых сплавов дает простое объяснение возникновению вакансий и дислокаций и процессу образования трещин. [12]
Вышеприведенное заключение было подвергнуто критике на том-основании, что возникновение вакансий можно также интерпретировать на основе представлений о влиянии размеров атомов на возможность образования твердых растворов. Так как в элементарной ячейке сплава Ni - А1 имеется только один атом алюминия, то, по всей вероятности, возможность появления в решетке-вакантных узлов при содержании алюминия выше 50 % является результатом того, что избыточные большие атомы алюминия не могут занимать места маленьких атомов никеля. [13]
Бребрик [ ИЗ ] исходил из гипотезы, что преимущественное возникновение вакансий в подрешетке одного из компонентов соединения возможно, если свободная энергия его образования из простых веществ достаточно велика, чтобы кристалл после образования вакансий в одной из подрешеток остался в области термодинамической устойчивости. Конечно, достаточно большое значение свободной энергии образования действительно необходимо, чтобы исходные летучести простых веществ не определяли условий его разложения. Вопрос же о существовании области гомогенности - широкой или узкой, симметричной относительно стехиометрического состава ( двусторонняя фаза) или смещенной в сторону одного из компонентов ( односторонняя фаза), - должен рассматриваться в связи с ходом огибающей кривой GM вблизи дистектической точки. [14]
Изменение энтальпии ( или энергии) х) кристалла вследствие возникновения вакансии является результатом локального изменения в положении атомов и изменения в локальном распределении электронов. Действительная причина этого явления и вычисление изменения энтальпии не представляют для нас первоочередного интереса. Вместе с тем чрезвычайно важно то обстоятельство, что изменение энтальпии есть результат локальной перестройки. Отсюда следует, что в очень разбавленных растворах эти перестроенные области вокруг каждой вакансии не перекрываются и величина изменения энтальпии на появившуюся вакансию не зависит от числа вакансий. [15]
Страницы: 1 2 3 4