Возникновение - вакансия
Cтраница 2
Вышеприведенное заключение было подвергнуто критике на том основании, что возникновение вакансий можно также интерпретировать на основе представлений о влиянии размеров атомов на возможность образования твердых растворов. Так как в элементарной ячейке сплава Ni - А1 имеется только один атом алюминия, то, по всей вероятности, возможность появления в решетке вакантных узлов при содержании алюминия выше 50 % является результатом того, что избыточные большие атомы алюминия не могут занимать места маленьких атомов никеля. [16]
Механизм разупорядочения решетки при избытке атомов серы против стехиометрии связан с возникновением вакансий в субрешетке свинца. Это подтверждается возрастанием скорости самодиффузии свинца при увеличении концентрации сверхстехиометрической серы. [17]
В суперстехиометрической области ( содержание Sm33 7 %) гомогенность соединения устанавливается путем возникновения вакансий кобальта, наличие которых способствует увеличению коэффициентов диффузии, обусловливающей уплотнение. Наибольшее число таких вакансий образуется при составе сплава, соответствующем границе области гомогенности, где и наблюдается самая высокая скорость уплотнения. Поскольку область гомогенности SmCo5 расширяется с повышением температуры спекания, то оптимальный состав сплава также должен изменяться при изменении температуры спекания. [19]
В соответствии с конценпцией Рида вследствие движения ступенек, образовашихся в точках пересечения дислокаций, происходит возникновение вакансий. В условиях воздействия циклического напряжения общая протяженность пути, пройденного ступенькой, намного больше, чем при статической ползучести, поэтому образуются большие концентрации вакансий, которые способствуют переползанию дослокаций и, следовательно, ускоряют полигонизацию. Эффект упрочнения, наблюдавшийся при длительно действующих больших усталостных напряжениях, объясняется тем, что скопление большого числа вакансий препятствует движению дислокаций. [20]
В подрешетке закиси меди часть ионов одновалентной меДи заменяется на ионы двухвалентной, а электронейтральность достигается за счет возникновения дополнительных вакансий в катионной подрешетке. [21]
В подрешетке закиси меди часть ионов одновалентной меди заменяется на ионы двухвалентной, а электронейтральность достигается за счет возникновения дополнительных вакансий в катионной подрешетке. [22]
С энергетической точки зрения наличие вакантных узлов в кристаллической решетке твердых растворов может повышать их стабильность, так как возникновение вакансий оказывает влияние на энтропию, энергию упругих напряжений и энергию свободных электронов. [23]
Атом, получивший достаточно энергии при ударе, может покинуть свое нормальное положение в решетке, что приведет к возникновению вакансий. Смещенный атом может быть либо захвачен другой вакансией, либо останется в междоузельном положении. Он может также вызвать замещение; это происходит в том случае, если движущийся атом после удара и вытеснения другого атома из его нормального положения не обладает достаточной энергией, чтобы вырваться из вакансии. [24]
В подрешетке оксида меди ( I) часть ионов одновалентной меди заменяется на двухвалентные, а электронейтральность достигается за счет возникновения дополнительных вакансий в катион-ной подрешетке. [25]
В / та сжимающее гидростатическое давление Ар 2 у / г. Неясно, однако, каким образом всестороннее сжатие может способствовать возникновению вакансий в малых частицах. [26]
При образовании дефекта по Френкелю ионы, испытывающие время от времени большие смещения под влиянием тепловых флуктуации, покидают свои правильные положения в узлах и переходят в междоузлие, результатом чего является возникновение вакансии в решетке. Междоузельный ион и вакансия теряют связь друг с другом и свободно движутся в кристалле; первый по междоузлиям, вторая по своей подрешетке. При встрече междоузельные ионы и вакансии могут рекомбиниро-вать друг с другом. [27]
Этот эффект снимается при 300 - 350 С. Механизм возникновения вакансий при пластической деформации связан с увеличением плотности дислокаций и их движением. [28]
В отличие от легирования электрически активными упрочняющими примесями введение изовалентных примесей не только не создает микродефектов, а, наоборот, подавляет возникновение их в монокристаллах полупроводниковых соединений. Одновременно подавляется возникновение вакансий летучего компонента в решетке соединения, место которых занимают атомы изовалентной примеси. Легирование полупроводниковых соединений изовалентными примесями позволяет также управлять периодом решетки монокристалла, изменяющимся при введении в него повышенной концентрации электрически активной легирующей примеси. По длине монокристалла плотность дислокаций, как правило, возрастает от его начала к концу, что является результатом проникновения дислокаций из высокотемпературной области их генерации к фронту кристаллизации. Однако если в процессе роста монокристалла температура боковой его поверхности возрастает, что имеет место, например, при опускании фронта кристаллизации в глубь тигля по мере уменьшения объема расплава в нем, то плотность дислокаций к концу монокристалла может уменьшиться. [29]
Предполагается, что преимущественное возникновение вакансий возможно в подрешетке того компонента, для которого эта энергия достаточно велика. [30]
Страницы: 1 2 3 4