Возникновение - фототок
Cтраница 2
Что касается селективности определения, то следует заметить, что посторонние элементы, излучающие в пламени, находясь в большой концентрации, также могут вызывать возникновение фототока в приборе. Причиной возникновения этого фототока, кроме излучения молекулярных полос постороннего элемента, может быть также пропускание излучения другого элемента светофильтрами или упомянутое выше рассеивание излучения оптической системой монохроматора. Она увеличивается с увеличением отношения концентрации постороннего элемента к концентрации определяемого элемента и может стать особенно большой при определении следов вещества. [16]
Теория приводит к выводу, что в случае хлористых соединений щелочных металлов оптическое поглощение в области второй полосы собственного поглощения, представляющей границу серии, должно привести к образованию свободных фотоэлектронов и возникновению соответствующего фототока. По данным Фергюсона 122 ] в кристаллах NaCl действительно обнаруживается фотопроводимость при поглощении кристаллом света, соответствующего спектральной области второй полосы собственного поглощения. [17]
В ранних исследованиях фотопроводимости ( Гудден, Поль, Тарта-ковский и др.), произведенных по схеме рис. 543, а, ставилась задача определения квантового выхода внутреннего фотоэффекта ( фотопроводимости) и для этой цели схема, в которой устранялась возможность возникновения вторичных фототоков, вполне подходила. Для практического использования фотопроводимости желательны, однако, возможно большие фототоки, относящиеся к категории вторичных токов. [18]
 |
Сциитилляционный счетчик в защитной камере. [19] |
Чувствительный элемент ( кристалл) защищается свинцовой оболочкой. Для предупреждения возможности возникновения фототока, влияющего на показания прибора, кожух счетчика должен быть полностью светонепроницаемым. Попадание постороннего света на фотокатод включенного фотоумножителя в большинстве случаев выводит его из строя. Поэтому целесообразно сблокировать напряжение питания фотоумножителя и положение светонепроницаемого кожуха. Металлический светонепроницаемый кожух одновременно является защитой от электромагнитных полей. [20]
Фотоэлектрические приборы, используемые для регистрации электромагнитной энергии в видимой области спектра, основаны на различных видах фотоэлектрического воздействия света на светочувствительные материалы. Падающая световая энергия приводит в этих приборах либо к возникновению фототока, либо к изменению электрического сопротивления. Измерив эта электрические величины, можно судить о количественном значении падающего светового потока. Фотоэлектрическими приборами, которые используются в световом моделировании теплообмена излучением, являются фотоэлементы, фотоумножители и фотосопротивления. При этом чаще всего применяются полупроводниковые фотоэлементы как наиболее простые, удобные и достаточно эффективные. [21]
Крепление датчика должно быть жестким, конструктивные элементы крепления выполняются из немагнитных материалов - капролактана, полипропилена, гетинакса, текстолита, дюралия, но в окрестности чувствительного элемента не должны присутствовать хорошо проводящие металлические конструкции во избежание влияния индукционных токов в них. Использование магниево - алюминиевых сплавов в конструкции крепления нежелательно из-за возникновения фототоков при падении на них света. [22]
 |
Резонансный механизм ( а и механизм переноса заряда ( б сенсибилизации полупроводника красителем. [23] |
По первому механизму поглощение фотона в молекуле адсорбированного красителя вызывает заброс электрона на возбужденный уровень, который лежит не ниже дна зоны проводимости полупроводника. Затем электрон попадает в зону проводимости полупроводника, что приводит к возникновению фототока. [24]
Давно известно, что при облучении светом ртутной дуги отрицательно заряженного ртутного электрода, погруженного в подкисленный раствор, наблюдается фототок. Это явление, впервые наблюдавшееся Боуденом [1], иногда связывали с воздействием ультрафиолетового излучения на реакцию выделения водорода, являющуюся весьма необратимой. Из экспериментальных результатов, приводимых в настоящей работе, следует, что основной причиной возникновения фототока является фотоэмиссия электронов. Предполагается, что выбитые из металла электроны, которые вначале, вероятно, термализуются и гидратируются, затем захватываются ионами водорода, находящимися в растворе у поверхности электрода. Аналогичные явления наблюдаются в растворах, содержащих другие ионы или молекулы, способные к восстановлению, причем в большом числе случаев решающим фактором является, вероятно, фотоэмиссия электронов. Такие фотоэлектрические явления должны представлять интерес для специалистов по радиационной химии, так как теперь стало ясно, что гидратированные электроны являются важным промежуточным продуктом в этой области химии при облучении водных растворов. Кроме того, эти явления дают возможность ученым-электрохимикам по-новому подойти к проблемам, связанным с двойным слоем, и, возможно, они помогут окончательно выяснить механизм полностью необратимых процессов переноса заряда. [25]
 |
Структура фотодиода с выпрямляющим переходом между металлом и полупроводником ( а и энергетическая диаграмма этой структуры при обратном напряжении ( б. [26] |
Принцип действия фотодиода на основе выпрямляющего перехода металл - полупроводник аналогичен принципу действия фотодиода с р-п-переходом. Однако есть некоторые различия, которые сказываются на характеристиках и параметрах. При этом если энергия кванта света превышает высоту потенциального барьера, то возбужденные электроны из металла могут перейти в полупроводник через потенциальный барьер ( рис. 9.22), обеспечив-тем самым возникновение фототока. Поэтому длинноволновая граница спектральной характеристики фотодиодов на основе контакта металл - полупроводник определяется высотой потенциального барьера на этом контакте и расположена при более длинных волнах электромагнитного спектра. [27]
 |
Структура фотодиода с выпрямляющим переходом между металлом и полупроводником ( а и энергетическая диаграмма этой структуры при обратном напряжении ( 6. [28] |
Принцип действия фотодиода на основе выпрямляющего перехода металл - полупроводник аналогичен принципу действия фотодиода с р-п-переходом. Однако есть некоторые различия, которые сказываются на характеристиках и параметрах. При этом если энергия кванта света превышает высоту потенциального барьера, то возбужденные электроны из металла могут перейти в полупроводник через потенциальный барьер ( рис. 9.22), обеспечив тем самым возникновение фототока. Поэтому длинноволновая граница спектральной характеристики фотодиодов на основе контакта металл - полупроводник определяется высотой потенциального барьера на этом контакте и расположена при более длинных волнах электромагнитного спектра. [29]
Принцип действия фотодиода на основе выпрямляющего контакта металл - полупроводник аналогичен принципу действия фотодиода с р - - переходом. Однако есть некоторые различия, которые сказываются на характеристиках и параметрах. При этом, если энергия кванта света превышает высоту потенциального барьера, то возбужденные электроны из металла могут перейти в полупроводник через потенциальный барьер ( рис. 10.7), обеспечивая тем самым возникновение фототока. [30]
Страницы: 1 2 3