Возникновение - фототок
Cтраница 3
 |
Фототранзистор. а - структура. б - обозначеаие. [31] |
Затемненный фототранзистор ведет себя как термотранзистор. Под действием света в базовой области образуются пары электрон - дырка. Если транзистор включен по схеме со свободной базой, то / / о / т / ф, где / ф - фототек. Возникновение фототока обусловлено изменением заряда в базовой области за счет остающихся в ней основных неравновесных носителей после разделения полями эмиттерного и коллекторного переходов, образовавшихся под действием света пар электрон - дырка. Здесь k - токовая чувствительность фототранзистора, значение которой существенно превышает чувствительность фотодиода благодаря внутреннему усилению. [32]
Полагая, что излучение не непрерывно, а состоит из квантов энергии лсо, Эйнштейн сделал вывод, что оно не только испускается, но и поглощается в виде квантов. При облучении вещества светом его электроны получают энергию не непрерывно, а порциями. Электрон полностью поглощает энергию одной порции. Так что ни о каком раскачивании электрона, ни о каком постепенном накоплении им энергии, достаточной для вылета из вещества, не может быть и речи. Если энергия Йсо одной порции достаточна для освобождения электрона из данного материала, то фотоэффект наблюдается, причем, естественно, без запаздывания. Если же энергии одного кванта недостаточно, чтобы освободить электрон, то фотоэффекта не будет, сколько бы таких квантов ни падало на вещество. Подразумевается, что конкретный электрон может поглотить сразу только один квант; вероятность же одновременного поглощения электроном двух ( или более) квантов ничтожно мала. Таким образом, возникновение фототока зависит не от определяющего интенсивность света количества квантов в световом пучке, а от энергии кванта Й - со и, следовательно, от частоты света. [33]
Страницы: 1 2 3