Cтраница 1
Возникновение эффектов пред - и иостплавлення рассматривается с г очки фения принципа максимального промедления Этот случай реализуется при vl - 10 К / мин Потенциальная функция в ттом случае меняется очень медленно и имеет серию метастабильных локальных минимумов, соответствующих состоянию представления для различных кинетических режимов. При переходе через морсовское седло в динамических режимах система не сразу попадает в устойчивый минимум, соответствующий расплаву, а проходит через локальный минимум постплавления ( рис I а) Г о плавление можно представить как серию катастроф стабильности. [1]
Для возникновения эффекта АЭ необходимо высвобождение энергии. Закономерности излучения АЭ материала, вызываемые динамической локальной перестройкой его структуры, включая как пластическое деформирование, так и образование и рост трещин, исследуют при механическом растяжении соответствующих образцов. [2]
Вследствие возникновения эффекта Холла в канале газового МГДГ невозможно понизить давление РТ насколько, чтобы стала эффективной ионизация газа путем столкновений - неравновесная ионизация, на которую возлагались большие надежды. Поэтому имеются лишь два пути получения необходимой электропроводности газа: 1) добавка легко ионизуемых веществ ( главным образом щелочных металлов и их соединений), которые довольно дороги, 2) применение температур выше 3000 К. ТЭГ для большой энергетики решена. [3]
Для возникновения эффекта нагрева плотность тока на катоде должна быть в 1 5 раза больше плотности тока на аноде. [4]
Для возникновения эффекта АЭ необходимо высвобождение энергии. Закономерности излучения АЭ материала, вызываемые динамической локальной перестройкой его структуры, включая как пластическое деформирование, так и образование и рост трещин, исследуют при механическом растяжении соответствующих образцов. [5]
Механизм возникновения эффекта Риги - Ледюка, как HJB поперечном эффекте Нернста; - Эттингсгаузена, связан с тем, что быстрые ( горячие) носители под действием магнитного поля отклоняются в одну сторону, а медленные ( холодные) носители - в противоположную. Следовательно, одна грань в направлении г будет нагреваться, а противоположная ей охлаждаться. Эффект Риги - Ледюка для дырочных полупроводников положительный, а для электронных - отрицательный. [6]
Механизм возникновения эффекта Риги - Ледюка, как и в поперечном эффекте Нернста - Эттингсгаузена, связан с тем, что быстрые ( горячие) носители под действием магнитного поля отклоняются в одну сторону, а медленные ( холодные) носители - в противоположную. Следовательно одна грань в направлении г будет нагреваться, а противоположная ей охлаждаться. Эффект Риги - Ледюка для; дырочных полупроводников положительный, а для электронных - отрицательный. [7]
Механизм возникновения эффекта Риги - Ледюка, как HJB поперечном эффекте Нернста; - Эттингсгаузена, связан с тем, что быстрые ( горячие) носители под действием магнитного поля отклоняются в одну сторону, а медленные ( холодные) носители - в противоположную. Следовательно, одна грань в направлении г будет нагреваться, а противоположная ей охлаждаться. Эффект Риги - Ледюка для дырочных полупроводников положительный, а для электронных - отрицательный. [8]
Причина возникновения эффекта Маджи-Риги - Ледюка заключается в том, что поперечное магнитное поле изменяет часть теплопроводности материала, обусловленную переносом тепла носителями заряда, поскольку это поле изменяет компоненты скорости электронов в направлении градиента температуры. [9]
N возможно возникновение эффектов, сравнимых по порядку величины. [10]
Физическую природу возникновения эффекта Холла легко понять. [11]
Поясним механизм возникновения термогальваномагнитного эффекта несколько иначе. Поскольку сила Лоренца пропорциональна скорости, то горячие частицы испытывают большую силу, чем холодные. Предположим, что время релаксации не зависит от энергии. В этом случае отклонение горячих частиц происходит на больший угол, чем холодных, поэтому противоположно направленные потоки горячих и холодных частиц не могут скомпенсировать друг друга. Это приводит к накоплению горячих частиц у боковой грани полупроводника, что выравнивает потоки горячих и холодных частиц. Поле Е2 Е, обеспечивающее условие jz 0, и представляет собой поле поперечного эффекта Нернста - Эттингсгаузена. Направление этого поля должно зависеть от знака заряда частиц. [12]
Рассмотрим механизм возникновения эффекта Риги - Ледюка. Для этого нам достаточно вернуться к объяснению поперечного эффекта Нернста - Эттингсгаузена. При его объяснении мы нашли, что более горячие и более холодные носители заряда отклоняются в противоположные стороны. Но это означает, что грань, к которой отклоняются более горячие электроны, должна нагреваться, в то время как противоположная грань должна охлаждаться; другими словами, возникает поперечная разность температур, или поперечный градиент температуры у2Т, который вызовет поток энергии W. [13]
Поясним механизм возникновения термогальваномагнитного эффекта несколько иначе. [14]
Рассмотрим механизм возникновения эффекта Риги - Ледюка. Для этого достаточно вернуться к объяснению поперечного эффекта Нернста - Эттингсгаузена. При его объяснении мы нашли, что более горячие и более холодные носители заряда отклоняются в противоположные стороны. Но это означает, что грань, к которой отклоняются более горячие электроны, должна нагреваться, в то время как противоположная грань должна охлаждаться; другими словами, возникает поперечная разность температур, или поперечный градиент температуры ЧгТ, который вызовет поток энергии W, стремящийся скомпенсировать различие в потоках энергии, переносимой горячими и холодными частицами к боковым граням. W возникает угол фя. [15]