Cтраница 2
Эффект Холла. где Ra - коэффициент пропорциональности ( постоянная Холла, зависящий от физн -. ческой природы полупроводника. (. [16] |
Рассмотрим механизм возникновения эффекта Холла для случая полупроводника с электронной проводимостью. [17]
Выше возможность возникновения эффекта Вейссенберга была доказана для простого сдвигового течения. При такой схеме деформирования можно наиболее отчетливо выявить специфику напряженного состояния для систем, у которых о и а не равны нулю. [18]
Рассмотрим механизм возникновения эффекта Холла для случая полупроводника с электронной проводимостью. [19]
Наличие условий для возникновения осмотических эффектов предполагает широкую гамму возможных перетоков с изменением величин и градиентов перепада давления между буровым раствором и пластовым ( поровым) флюидом. Устойчивость пород стенок скважины нарушается при направленности осмотического влаго-переноса из скважины в пласт. При этом указанные процессы протекают в пристенном слое глинистых пород, в результате которых возникают высокие напряжения, обусловленные развиваемыми осмотическими силами, поровыми давлениями с одновременным увлажнением стенок скважины ( осыпи и обвалы) как при наличии цементного кольца, так и без него. [20]
В действительности вероятность возникновения эффекта по мере удаления от центра мишени может уменьшаться без какой-либо прерывности, отмечающей точную границу мишени. [21]
Для устранения возможности возникновения тиристорного эффекта рекомендуется использовать ограничительный резистор сопротивлением не более Я100 Ом в цепи питания микросхем. [22]
Далее, если для возникновения эффекта Коттона в полосе поглощения красителя необходима только одна молекула красителя на макромолекулу, можно было бы воспользоваться красителями или другими абсорбирующими молекулами в качестве молекулярных проб для определения локальных конформаций в данном участке биологической молекулы. [23]
Именно этим можно объяснить возникновение эффекта Зеемана. Основополагающий опыт по непосредственному обнаружению магнитного момента электрона принадлежит Штерну и Герлаху. [24]
Схема энергетических зон в окрестности точки X. [25] |
Рассмотрим два возможных механизма возникновения ориента-ционных эффектов. Первый механизм - это спин-орбитальное расщепление вырожденной зоны в окрестности некоторой линии симметрии, например линии Л на рис. 2.23. При этом задетыми оказываются переходы Ai - кЛз от В до А. [26]
Зависимости контрастности от.| Реакция ЖК на импульсное напряжение возбуждения. [27] |
Пороговое напряжение, соответствующее возникновению эффекта динамического рассеяния света в нематических ЖК, составляет 6 - 9 В при возбуждении напряжением постоянного тока. [28]
Эффективность организационных форм объясняется возникновением эффекта синергии ( греч. Именно синергия является тем соблазном, ради которого возникают организации. А это зависит именно от способа организации людей, от того или иного сочетания их усилий. [29]
Авторы указывают, что для возникновения эффекта необходимо прохождение через мишень одного протона или большое число электронов; полная ионизация при этом будет почти одной и той же. [30]