Значительное уширение - линия
Cтраница 1
Значительное уширение линий в матричных электронных спектрах является, на первый взгляд, неожиданным, так как в матрице ИК-по-лосы и сигналы ЭПР обычно весьма узкие. Причина уширения заключается, вероятно, в перекрывании электронных облаков атомов матрицы с диффузными внешними орбиталями, занятыми в возбужденных состояниях атомов. Понятно, что такое электронное возбуждение отсутствует при колебательных и ЭПР-переходах. [1]
Значительное уширение линий в спектрах ЯМР нитроксилов затрудняет получение прямой структурной информации. [2]
Очевидно, что при значительном уширении линии различных компонентов могут сливаться ( перекрываться), что затруднит или вообще сделает невозможным их идентификацию. [3]
В зависимости от значения т быстрые взаимопревращения изомерных форм могут вызывать значительные уширения линий в одном спектральном диапазоне и не влиять на линии спектра в другом. [4]
Это означает, что во многих случаях неоднородность магнитного поля приводит к значительному уширению линий многоквантовых переходов высших порядков и что возросшее растаскивание линий спектра, вызванное сложением химических сдвигов, уравновешивается увеличением ширины линий. [5]
Обмен между ядерными спинами наблюдался также в полупроводниках [80], состоящих из более тяжелых элементов, а именно в InSb, GaSb, GaAs и InAs, причем было обнаружено значительное уширение линии ЯМР за счет обмена. [6]
Как уже упоминалось, особенно большие трудности возникают при анализе спектров в поликристаллических и аморфных матрицах. Плохая разрешенность спектров, вызванная значительным уширением линий спектра из-за анизотропных взаимодействий, часто сильно затрудняет расшифровку спектра или делает ее вовсе невозможной. С целью облегчить расшифровку плохо разрешенных спектров в Институте химической физики АН СССР был проведен систематический расчет формы спектра ЭПР со сверхтонкой структурой для изотропно и анизотропно уширенных линий с различным отношением ширины отдельных линий к величине сверхтонкого расщепления. Первый том опубликованного Атласа спектров [98] содержит спектры из 2, 3, 4, 5 и б компонент равной интенсивности и спектры из 2, 3, 4, 5 компонент с биномиальным соотношением интенсивностей для лоренцевой и гауссовой форм линий индивидуальных компонент. Второй том [99] посвящен более сложным спектрам. Систематический набор спектров позволил составить специальные номограммы, облегчающие анализ плохо разрешенных спектров и позволяющие находить из таких спектров истинные значения сверхтонких расщеплений и ширин отдельных сверхтонких компонент. Теоретически - построенные спектры наглядно показывают насколько ошибочной может быть кажущаяся расшифровка спектра и позволяют выделить те особенности-плохо разрешенных спектров, которые помогают rapашмында их интерпретации. В качестве иллюстрации на рис. 149 приводится характерный пример такой ситуации. Кривые на рис. 149 очень близки по форме, хотя и являются огибающими совершенно различных спектров. [7]
Таким образом, все эффекты, предсказываемые теорией [423], качественно подтверждаются. Новым эффектом, обнаруженным экспериментально [433], является значительное уширение линии, связанной с сегнетоэлек-трическим переходом. При высоких температурах эта линия расплывается настолько, что, по-видимому, гармоническое приближение для колебаний кристаллической решетки оказывается несправедливым. [8]
Кроме того, обнаружены одна полоса CN. Наличие в спектре линий однократно ионизованных кислорода, азота и меди и значительное уширение бальмеровских линий водорода указывает на высокую температуру и значительную концентрацию ионов в исследуемой плазме. [9]
 |
Схема энергетических уровней атома водорода в соответствии с уравнением. [10] |
Анизотропную сверхтонкую структуру нельзя наблюдать только у s - электронов, так как они характеризуются шаровой симметрией распределения заряда. Наблюдаемые спектры поликристаллических образцов возникают вследствие наложения спектров всех беспорядочно ориентированных кристаллов и характеризуются значительным уширением линий. Диполь-дипольное взаимодействие свободных радикалов в растворе обусловливается молекулярным движением. Если вязкость раствора препятствует статистическому движению молекул, то линии сверхтонкой структуры уширяются, так как диполь-дипольное взаимодействие осуществляется частично. Изотропное или ферми-контактное взаимодействие можно объяснить только на основании квантовой механики. Предполагается, что вероятность пребывания электрона вблизи ядра i) ( 0) J отлична от нуля, что и является причиной возникновения сверхтонкой структуры. Это может иметь место только для электронов, расположенных на s - или 0-орбиталях. [11]
 |
Схема энергетических уровней атома водорода в соответствии с уравнением. [12] |
Анизотропную сверхтонкую структуру нельзя наблюдать только у s - электронов, так как они характеризуются шаровой симметрией распределения заряда. Наблюдаемые спектры поликристаллических образцов возникают вследствие наложения спектров всех беспорядочно ориентированных кристаллов и характеризуются значительным уширением линий. Диполь-дипольное взаимодействие свободных радикалов в рагтворе обусловливается молекулярным движением. Если вязкость раствора препятствует статистическому движению молекул, то линии сверхтонкой структуры уширяются, так как диполь-дипольное взаимодействие осуществляется частично. Изотропное или ферми-контактное взаимодействие можно объяснить только на основании квантовой механики. Предполагается, что вероятность пребывания электрона вблизи ядра г ( 0) 2 отлична от нуля, что и является причиной возникновения сверхтонкой структуры. Это может иметь место только для электронов, расположенных на s - или а-орбиталях. [13]
 |
Схема энергетических уровней атома водорода в соответствии с уравнением. [14] |
Анизотропную сверхтонкую структуру нельзя наблюдать только у s - электронов, так как они характеризуются шаровой симметрией распределения заряда. Наблюдаемые спектры поликристаллических образцов возникают вследствие наложения спектров всех беспорядочно ориентированных кристаллов и характеризуются значительным уширением линий. Диполь-дипольное взаимодействие свободных радикалов в растворе обусловливается молекулярным движением. Если вязкость раствора препятствует статистическому движению молекул, то линии сверхтонкой структуры уширяются, так как диполь-дипольное взаимодействие осуществляется частично. Изотропное или ферми-контактное взаимодействие можно объяснить только на основании квантовой механики. Предполагается, что вероятность пребывания электрона вблизи ядра ip ( 0) 2 отлична от нуля, что и является причиной возникновения сверхтонкой структуры. Это может иметь место только для электронов, расположенных на s - или о-орбиталях. [15]
Страницы: 1 2