Cтраница 3
СН-2 в карбанионе N-окиси 2-метилхинолина лежит при 3066 см-1, что примерно на 15 см-1 ниже, чем в карбанионе соответствующего неокисленного гетероцикла. Если считать, что приращение частоты СН2 - группы в карбанионе ароматической N-окиси подчиняется зависимости ч - д, ( см. рис. 6), то приведенные факты можно истолковать как результат некоторого повышения электронной плотности на экзоциклическом атоме углерода за счет меньшей электроноакцепторности группы N - O - по сравнению с гетероатомом азота. Аналогичное заключение было сделано ранее ( 6 ] на основании изучения электронных спектров карбанионов. Оказалось, что полоса, которая вероятно связана с колебанием группы СНГ, в первом из этих растворрв ( v 3047 см-1) смещена на 6 см-1 ( v3053 сиг1) относительно полосы в спектре второго раствора. [31]
В табл. 2.2 приведены три типа наблюдаемых спектров и величины, которые можно найти из исследований в каждой области электромагнитного спектра. Здесь подчеркнуты некоторые существенные вопросы. Во-первых, если можно исследовать вращательную тонкую структуру спектров, то это позволяет определить параметры молекулы, что можно сделать во всех трех рассматриваемых областях. Во-вторых, данные о симметрии молекул также можно выявить из исследований во всех трех частях спектра. Наконец, изучение электронного спектра не дает никакой новой информации о симметрии или параметрах молекулы по сравнению с тем, что можно получить из чисто вращательных или колебательно-вращательных спектров. [32]
Определяя величину интервала, можно найти момент инерции. В действительности частота повторения линий не совсем постоянна, поскольку молекула не является абсолютно жесткой, и момент инерции при энергичном вращении возрастает. Хотя изучение дальнего инфракрасного спектра дает в принципе наиболее прямой и простой путь определения моментов инерции, с экспериментальной стороны изучение этого участка спектра затруднительно. Фотографические пластинки не чувствительны к таким длинным волнам, и устанавливать положение линий следует или при помощи термоэлектрического столбика или селенового фотоэлемента и гальванометра, или же путем косвенных полуфотографических методов, например, путем применения пластинок особой чувствительности или экрана из ZnS, утрачивающего способность к фосфоресценции при действии инфракрасного излучения. Точность тжих измерений несравнима с точностью, достигаемой при изучении электронных спектров. [33]