Cтраница 2
Согласно работе [2], у гексагональной фазы а 6 32 0 02 А, с 11 19 0 02 А; у соединения Rb3Sb с кубической решеткой, из которого образуется при увеличении концентрации Rb гексагональная фаза, периода а 8 84 0 02 А. [16]
Gel - Dy встречается также вторая гексагональная фаза со структурой CaCus. Устойчивость этих фаз, по-видимому, связана с атомными размерами. [17]
Однако при непосредственном изучении достаточно тонких слоев гексагональные фазы не были обнаружены. По-видимому, появление дополнительных рефлексов связано с влиянием ионной бомбардировки на структуру. [18]
Данные о поверхностных комплексах органических веществ с гексагональными фазами получены с помощью ДТА [58]; обнаружен экзотермический эффект при 400 С в пастах из СзА и 1 % глюконата кальция, глюконовой кислоты или глюкозы. В исследовании [59] показано, что молекулы органических веществ могут проникать между слоями C4AHia и образовывать гомеополярные поверхностные комплексы благодаря вандерваальсовым силам и водородным связям. [19]
Аналогично для выполнения экспериментов с ориентированными молекулами оказываются полезными гексагональные фазы некоторых стержне-подобных молекул ( например, нуклеиновых кислот), хотя в то же время в них еще содержится количество воды, достаточное для сохранения биологического действия. [20]
![]() |
Фазовая диаграмма для сплавов титан - молибден. [21] |
Это следует отличать от случая, когда выделяется не материал с гексагональной фазой, который имел бы значительно более низкую концентрацию молибдена. Относительное содержание ( 3 -, а - и а - фаз зависит не только от первоначального состава сплава, но и от скорости его охлаждения. [22]
Клее и Витте сделали также предположение относительно строения зон Бриллюэна для двух типов гексагональных фаз Лавеса и получили хорошее качественное согласие между наблюдаемыми максимальными значениями электронной концентрации и теми значениями ее, которые должны отвечать заполнению этих зон. [23]
Са ( ОН) 2 таким образом, что для него перестают быть характерными гексагональные фазы. [24]
Осажденные пленки WSix являются аморфными, но в процессе отжига проходят ряд фазовых превращений: вначале в гексагональную фазу, а потом в тетрагональную фазу Переход из аморфного состояния в гексагональную фазу начинается при 7450 С и сопровождается очень большим уменьшением объема пленок силицида вольфрама, а следовательно, и возникновением больших ( 10ю дин / см2) растягивающих механических напряжений в пленках, которые вызывают их растрескивание и обрывы, особенно около углов ступенек топологического рельефа. [25]
В фольгах, полученных утончением при комнатной температуре, очень много дефектов упаковки, которые представляют собой участки гексагональной фазы. Они исчезают при нагреве до 450 С в результате соединения пар частичных дислокаций в полные дислокации, которые при дальнейшем нагреве частично исчезают в границах зерен. В тонких фольгах превращение весьма затруднено и поэтому наблюдается большое переохлаждение. Сейчас, однако, установлено, что такое превращение связано с движением частичных дислокаций. [26]
При конденсации CdSe на гранях ( 100) и ( НО) NaCl при комнатной температуре образуются поликристаллические пленки гексагональной фазы. [27]
Комплексное изучение фазового состава и микроструктуры камня С АР показало, что на ДТА-кривых эндоэффекты при 195 - 230 С, отвечающие гексагональной фазе С4 ( А, Р) Н [ з, минимальны для Н2О и максимальны для М ЗОч. Этот минимум Н2О соответствует Ктях, а максимум М § 5О4 - Кт п, но характер изменения сТсж и Рсо временем аналогичен. И опять интересная связь: максимальное содержание этой фазы соответствует / ( тах, а минимальное - Л тт. [28]
Для неодима температура перехода находится в области 775 - 850 С, причем кубическая фаза устойчива при температурах ниже 775 С, а гексагональная фаза появляется при температурах выше 850 С. Поведение неодима очень напоминает поведение америция, что и следовало ожидать, поскольку радиусы Nd3 и Am3 почти равны. Гексагональная форма неизвестна для полуторных окислов редких земель, радиус которых меньше радиуса неодима. Такое обстоятельство заставляет предполагать, что полуторные окислы трансамерициевых элементов, вероятно, будут существовать в кубической форме. [29]
Окись цинка по сравнению с другими материалами, наиболее удобна для тонкопленочных пьезоэлектрических преобразователей из-за высокого значения коэффициента электромеханической связи и большой устойчивости гексагональной фазы. Так как из-за диспропор-ционирования состава очень сложно получать пленки ZnO методами термического испарения, стабильная технология этих пленок отработана сравнительно недавно. В большинстве случаев пленки ZnO получают с помощью ионного распыления. Пленки с аналогичной ориентацией били получены Розгони и Полито [9] на сапфире и на золоте. [30]