Гексагональная фаза

Cтраница 3

Модификация a - BN стабильна при нормальных условиях, по структуре аналогична графиту и может превращаться при высоких давлениях в кубическую фазу типа сфалерита и гексагональную фазу типа вюрцита. Модификация p - BN подобна алмазу, это полупроводник с большой шириной запрещенной зоны, с высокой твердостью и т-рой плавления, ин-конгруэнтно плавящийся и диспро-порционирующий при нагревании. По мере перехода от нитрида бора к нитриду алюминия уменьшаются т-ра разложения, ширина запрещенной зоны и значения удельного электр. Химически нитриды бора и алюминия достаточно стойки - очень медленно разлагаются к-тами, но легко разлагаются в растворах щелочей. Нитрид кремния существует в виде двух модификаций, кристаллизующихся в гексагональной решетке; обладает высокими твердостью и уд. Используют их при изготовлении деталей металлопрово-дов, электромагн. Кубический нитрид бора используют также для изготовления абразивных инструментов. [31]

Переход гексагональная - кубическая в результате повышенной температуры подложки отмечается у пленок толщиной до 4000 А; при больших толщинах появляются смешанные фазы с последующим увеличением гексагональной фазы и исчезновением кубической фазы. Превращение зависит от скорости роста. [32]

Изотермические сече-ния диаграмм состояния Nb - Ме-С ( Me-Zr, Hf и Nb - 10 % W-Me - С ( Me - Zr.| Политермический разрез диаграммы состояния Nb-Zr-C по линии Nb-ZrC 118 ]. [33]

Система ниобий-вольфрам-углерод [21] характеризуется наличием узкой области a - ( Nb, W) твердого раствора, сужающегося с падением температуры, который находится в равновесии с гексагональной фазой Nt2C вплоть до 45 ат. Фазы NbC с WaC и WC образуют ограниченные ряды твердых растворов. [34]

Осажденные пленки WSix являются аморфными, но в процессе отжига проходят ряд фазовых превращений: вначале в гексагональную фазу, а потом в тетрагональную фазу Переход из аморфного состояния в гексагональную фазу начинается при 7450 С и сопровождается очень большим уменьшением объема пленок силицида вольфрама, а следовательно, и возникновением больших ( 10ю дин / см2) растягивающих механических напряжений в пленках, которые вызывают их растрескивание и обрывы, особенно около углов ступенек топологического рельефа. [35]

Таким образом, представляется, что общее замедляющее действие органических веществ включает также потенциальное ускорение начальной стадии гидратации, чему способствует комплексообразование с участием алюминатов и последующее замедление процессов гидратации благодаря стабилизации гексагональных фаз за счет адсорбции органических молекул на поверхности гидратов и образованию на их поверхности защитных пленок. Отмечено [57], что такие органические добавки-водопонизители, как глюкоза, молочная, глюконовая и малоновая кислоты, тормозят превращение гексагональных гидроалюминатов в СзАНе кубический за счет стабилизации гексагональных фаз. Через сутки при 60 С и 75 % - ной влажности СзАНп полностью превращается в СзАНе и Са ( ОН) 2, тогда как при относительной влажности 33 % наблюдается лишь частичное фазовое превращение. При введении в эту систему органической добавки наблюдается возрастание базальных расстояний, что характерно для поверхностных соединений. [36]

Согласно работе [2], у гексагональной фазы а 6 32 0 02 А, с 11 19 0 02 А; у соединения Rb3Sb с кубической решеткой, из которого образуется при увеличении концентрации Rb гексагональная фаза, периода а 8 84 0 02 А. [37]

Согласно [31], количество сорбированного лигносульфоната из водных сред намного больше, чем из раствора диметилсульфоксида, в связи с тем, что высокое значение дипольного момента молекул воды приводит к их ориентации относительно поверхности гексагональной фазы. [38]

Таким образом, основной морфологической формой кристаллов ГАК и ряда комплексных соединений на их основе ( ГАФК, ГКАК, ГСАК, ГХАК и др.) в твердеющем цементом камне являются закономерные сростки четырех основных типов: прорастания, врастания, срастания наложением ( основной тип для гексагональных фаз) и комбинированного. [39]

В работе [1] показано, что во всем исследуемом температурном интервале ( Тп и Ги), начиная с самых ранних стадий роста, на подложке наблюдалось два типа частиц: мелкие с треугольной огранкой ( кубическая фаза) и более крупные с неравновесной огранкой, ответственные за формирование гексагональной фазы. Преимущественный рост частиц одного из типов, а следовательно, и модификация сплошной пленки определялись термодинамическими условиями синтеза. [40]

При одновременной конденсации кадмия и серы ( или селена) на гранях скола слюды или NaCl образуются поликристаллические образцы. Крупные кристаллы гексагональной фазы ориентированы параллельно подложке, а кристаллы кубической структуры остаются после отжига неориентированными. [41]

В работе [1] подтверждено, что соединение CeSi имеет тетрагональную решетку типа ThSi; а 4 27 А, с 13 88 А. В работе [2] обнаружена гексагональная фаза около соединения Ce5Si3; а - 9 60 А, с - - - 7 07 А. [42]

Ранее мы говорили, что липиды типа ДПФХ и ДМФХ практически нерастворимы как мономеры. Например, само существование гексагональной фазы говорит о том, что на сильно искривленной поверхности раздела между сурфактантом и водой образовать дефекты не так сложно, как в случае ДПФХ. Кроме того, динамическое равновесие между мономерами и мицеллами при одной и той же температуре указывает на наличие некоего естественного механизма, по которому мономеры могут пересекать липидные слои, чтобы двигаться между бислоями. [43]

Картины электронной дифракции пленки CdS / NaCl толщиной - ШО А, осажденной на подложке с различной температурой. [44]

Изучения эпитаксиальыого роста пленок CdS [ 50, 270 - 2751 показали наличие как кубической ( Р), так и гексагональной ( а) модификаций. Семилетен [270] обнаружил, что гексагональная фаза увеличивается в результате отжига. [45]

Страницы: 1 2 3 4