Cтраница 1
Фактор насыщения формально выражают через некоторый измеренный количественный параметр, пропорциональный концентрации комплекса. [1]
Факторы насыщения ферромагнитных материалов ограничивают возможные сочетания геометрии линзы и возбуждения. Это ограничение определяет минимальные значения фокусного расстояния и аберраций. [2]
Фактор насыщения отечественных катионных красителей составляет 0 14 ( Катионный синий 2 К. [3]
Вхияяне фактора насыщения слоя парами здвавха в камере ( Is) также значительноs с увеличением продожжительности выдержи слоя з атмосфере камеры величины Us - красителей уменьшаются. [4]
Влияние фактора насыщения слоя парами адвента в камере ( Х2) также значительно, с увеличением продолжительности выдержка слоя s атмосфере камеры величины Д - красителей уменьшаются. [5]
Влияние фактора насыщения слоя парами элюента в камере ( Х2) также значительно, с увеличением продолжительности выдержки слоя в атмосфере камеры величины R. [6]
Показана необходимость учета фактора насыщения слоя парами элюента, особенно для летучих растворителей. [7]
Знаменатель (1.33) называется фактором насыщения. Его значение для того, чтобы форма линии не искажалась, должно быть близко к единице. [8]
Величина Z называется фактором насыщения. [9]
Для всех разумных концентраций фактор насыщения практически равен единице. [10]
Величину ( l 27 iF) - I иногда называют фактором насыщения, а величину 2Г1У, которая, как мы видели ранее, равна i2H iTiT2, - параметром насыщения. Параметр Ts называется спиновой температурой по аналогии с температурой Т в (2.67), определяющей стационарное значение п при тепловом равновесии с решеткой. Введение спиновой температуры Ts при рассмотрении процессов насыщения является термодинамически последовательным. [11]
Скорость / Т ( ай) входит в выражение (5.2.5) через фактор насыщения S, который мы рассмотрим в разд. Матричные элементы перехода ааь приведены в следующем разделе. Рассмотрим отдельно интенсивность, насыщение, сдвиг уровня и ширину линии многоквантовых переходов. [12]
Процесс достижения указанного равновесного распределения называется насыщением, он идет по экспоненциальному закону с характеристическим временем T z, где z - фактор насыщения. Фактор насыщения z убывает с ростом амплитуды радиочастотного поля Н и при некоторой величине Н поглощение прекращается с одновременным исчезновением продольной намагниченности вещества. Поглощение энергии радиочастотного поля Н может наблюдаться сравнительно простыми радиотехническими средствами. [13]
Прежде всего следует отметить, что интервал кривой насыщения, наиболее оптимальный для исследования, остается прежним и равен 75 % [8]; фактор насыщения в этом случае определяется как отношение концентраций связанного в комплекс и свободного лигандов. Во-вторых, возрастает число экспериментальных серий, необходимых для установления оптимального диапазона концентраций. Константы устойчивости, получаемые в результате каждой серии экспериментов, должны превосходить по точности константы устойчивости, определенные в предыдущей серии. Анализ, подобный вышеприведенному, был осуществлен авторами работы [9] на основании только спектрофотометриче-ских данных. [14]
В работе72 на примере полифенилацетилена и продуктов его термообработки показано, что сигналы ЭПР различных примесных центров можно разделить, используя различие их факторов насыщения. Так, в полифенилацетилене с низкой проводимостью существует по крайней мере два типа парамагнитных центров ( ДЯ 16 и 10 эре / я), вероятно, связанных с парамагнитными заряженными центрами разных знаков, причем легко насыщающийся широкий сигнал принадлежит отрицательно заряженным центрам. [15]