Фактор - поглощение
Cтраница 1
Фактор поглощения, определяемый общей формулой ( 29), зависит, с одной стороны, от поглощающей способности кристалла - его коэффициента поглощения [ АО, с другой стороны - от длины путей / и /, которые проходят первичный и дифрагированный лучи в кристалле. При ( л 0 50 см - 1 в слое 0 1 мм ослабление интенсивности составляет всего 30 %; только в слое в 1 мм луч ослабляется в 150 раз. При [ i0 5 см-1 ослабление на 0 1 мм составляет всего 5 %, а на 1 мм - 30 % интенсивности первичного луча. [1]
Определение фактора поглощения по результатам рентгеноскопического анализа показало, что он ниже определенного напряжения не изменяется, т.е. не изменяется поврежденность стеклопластика. На рис. 5.39 приведена зависимость фактора поглощения от приложенного напряжения. Излом на кривых очень близок к значениям приделов долговременной прочности. [2]
 |
К расчету фактора поглощения при съемке по методу фотографирования обратной решетки ( случай пластинчатого кристалла. [3] |
Расчет фактора поглощения несложен. [4]
 |
Иллюстрация графического метода расчета фактора поглощения ( у. 36 5 1 / масштаб. 1 мм кристалла 2 5 см графика. Числами отмечены значения 10 - е - х. [5] |
Вычислим сначала фактор поглощения при дифракции рентгеновских лучей от бесконечной кристаллической пластинки. [6]
При учете фактора поглощения следует иметь в виду и вторую сторону всей проблемы расчета интенсивности отражений - способ оценки экспериментальной интенсивности. [7]
Аналогичным образом изменяются спектральные факторы поглощения и рассеяния и для частиц золы. [8]
Такой характер зависимости факторов поглощения и рассеяния от р имеет место лишь при значениях р 0 1, характерных для частиц сажистого углерода в светящемся пламени мазута и газа. [9]
Все радиационные характеристики частицы ( факторы поглощения и рассеяния, индикатриса рассеяния) могут быть определены в зависимости от двух основных параметров: параметра дифракции р и комплексного показателя преломления от. [10]
Рекомендуется следующий порядок расчета по методу факторов поглощения и отгона. [11]
Порядок и последовательность расчета по методу факторов поглощения и отгона рекомендуются следующие. [12]
Порядок и последовательность расчета по методу факторов поглощения и отгона рекомендуются следующие. [13]
При температурах ниже точки магнитных - превращений фактор поглощения мощности по времени возрастает за счет роста удельного сопротивления, тогда как магнитная проницаемость остается почти неизменной. [14]
 |
К расчету фактора поглощения в случае сильно поглощающего кристалла. [15] |
Страницы: 1 2 3 4