Фактор - радикал
Cтраница 1
Фактор радикала - уникальная характеристика, которая связывает радиочастотные спектры со спектрами электронного поглощения. В ней заложена информация о типе орбитали неспаренного электрона. В частности, если g - фактор радикала сильно отличается от g - фактора свободного электрона, то в радикале есть неподеленная пара. Если разница незначительна, то есть основание полагать, что исследуемый радикал является я-электронным. [1]
Фактор радикала, которому отвечает в спектре синглет, близок к - фактору электрона. [2]
 |
Константы СТВ ( в э в радикалах VI-X. [3] |
Значения - факторов замещенных радикалов, в том числе и галогензамещенных, мало отличаются от g - фак-торов ДФПГ; по мнению авторов работы [7], это вызвано слабой делокализацией неспаренного электрона по атомным орбиталям заместителей. Замена в ДФПГ пикрильнои группы трифенил-метильной или пентафенилциклопентадиенильной группой ( радикалы VI-X) мало изменяет сумму констант aN - f - а ( табл УП. [4]
Если g - факторы радикалов равны, то интегральный эффект ХПЭ не формируется. Но за счет сверхтонкого взаимодействия может сформироваться мультиплетный эффект ХПЭ. [5]
Поскольку g - фактор радикала больше ge, предполагается, что в радикале неспаренный электрон может быть частично локализован на атомах серы. [6]
Итак, g - фактор радикала является важной характеристикой его электронной оболочки; вопрос о том, как свойства электронной оболочки и ее асимметрия проявляются в величине g - тензора и главных компонент, рассмотрен в следующем разделе. [7]
Смешивание орбиталей и g - факторы радикалов, построенных из одинаковых и из различных атомов. [8]
Зависимость констант СТВ и - факторов радикалов от природы растворителей отмечается очень часто. Особенно сильное влияние растворителя на спектры ЭПР обнаруживается для ион-радикалов; для нейтральных радикалов это влияние слабее, однако если в радикале имеются полярные группы или гетероатомы, они легко обнаруживаются. [9]
В таком случае уменьшение - фактора радикала по сравнению с чисто спиновым значением можно отнести за счет искажения, которое превращает атомы фтора в неэквивалентные. [10]
Важно отметить, что g - фактор радикалов в застек-лованных матрицах, в отличие от монокристаллов, аксиально симметричен. [11]
Таким образом, величины СТВ и g - фактора радикалов и их угловая зависимость дают информацию об электронной структуре радикалов - о типе орбиталей, их пространственной ориентации и плотности неспаренного электрона на s - и р-орбиталях Поэтому площадь под кривой резонансного поглощения пропорциональна числу неспаренных электронов в образце. На практике провести вычисление абсолютного содержания свободных радикалов в образце очень трудно, и вместо этого сравнивают исследуемый образец со стандартом, содержащим известное число электронов. Отношение площадей под соответствующими резонансными кривыми позволяет определить концентрацию свободных радикалов в исследуемом образце. Общепринятым стандартом для таких измерений является дифенилпикрилгидразил ( C6H5) 2N - N - C6H2 ( NO2) 3, который на 100 % состоит из радикалов. [12]
 |
Схема уровней энергии РП с гамильтонианом гУ ( г в слабом ( а и сильном ( б магнитном поле. [13] |
Видно, что частота осцилляции пропорциональна разности - факторов радикалов пары и индукции магнитного поля. [14]
Страницы: 1 2 3 4