Cтраница 2
В этом разделе кратко сравним транзисторы с диффузионной и однородной областями базы. В предыдущих разделах было показано, что и коэффициент передачи по току и соответствующая предельная частота выше для транзисторов с диффузионной областью базы. Поскольку проводимости материала по обе стороны коллекторного перехода у этого класса транзисторов при наличии эпитаксиального слоя близки к собственным, то коллекторная емкость приборов оказывается ниже. Экспоненциальное возрастание концентрации примеси в области базы в направлении от коллекторного перехода к эмиттерному в транзисторах с диффузионной базой снижает вероятность эффекта смыкания и обусловливает, следовательно, возможность работы при более высоких напряжениях. Кроме того, этот факт позволяет сузить базовую область, что сопровождается увеличением коэффициента передачи тока и предельной частоты. [16]
Перемещению дислокаций препятствует наличие других дефектов в кристалле, например, присутствие атомов примеси. Дислокации тормозятся также при пересечении друг с другом. Если количество дислокаций и других дефектов в кристалле мало, дислокации перемещаются практически свободно. В результате сопротивление сдвигу будет невелико. Увеличение плотности дислокаций и возрастание концентрации примесей приводит к сильному торможению дислокаций и прекращению их движения. В результате прочность материала растет. [17]
Образование накипей с высоким содержанием соединений кальция и магния характерно для прямоточных котлов докритических параметров при отсутствии 100 % - ной кон-денсатоочистки. Процесс упаривания воды сопровождается увеличением в жидкой фазе концентраций тех примесей, которые плохо растворимы в насыщенном паре. В связи с незначительным изменением давления по тракту котла коэффициенты распределения в зоне парообразования практически не изменяются. При постоянстве / СР возрастание концентрации малолетучей примеси в жидкой фазе ведет одновременно к увеличению ее концентрации в насыщенном паре, который контактирует с жидкой фазой. [18]