Возрастание - напряженность - поле - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Скромность украшает человека, нескромность - женщину. Законы Мерфи (еще...)

Возрастание - напряженность - поле

Cтраница 1


1 Электрическое поле.| Зависимость коэффициента негладкости от числа жил в наружном повиве многожильного провода. [1]

Возрастание напряженности поля на поверхности проводов, обусловленное большой кривизной жил, учитывается коэффициентом негладкости да.  [2]

Однако возрастание напряженности поля в тонкой диэлектрической части зоны ускоряет и процесс окисления избыточного тантала в зоне пробоя кислородом, отщепляющимся от двуокиси марганца, что ведет к понижению границы раздела проводящей и диэлектрической частей зоны и к уменьшению тока утечки.  [3]

В полярном полупроводнике возрастание напряженности поля увеличивает вероятность того, что носитель приобретет энергию, достаточную для перехода через точку пересечения. Очевидно, что в этих двух случаях действуют два различных механизма, но мы не имеем здесь возможности дать более подробный анализ.  [4]

Этот максимум с возрастанием напряженности поля смещается в сторону более низких значений энтропии и уже для средних полей выходит за пределы экспериментально достижимой области. В случае хромовых квасцов при более высоких нолях наблюдается еще второй максимум, однако природа этого максимума совершенно неясна, и здесь мы не будем на этом останавливаться.  [5]

Восприимчивость постепенно убывает с возрастанием напряженности поля; не обнаруживается никакого максимума, подобного тому, который имел место в случае хромо-метиламмоние-вых квасцов, не наблюдается также крутого падения восприимчивости, как в случае хромо-калиевых квасцов. Этот результат был качественно подтвержден измерениями в Лейдене [56, 241], выполненными на сфере из порошкообразной соли.  [6]

В частности, при возрастании напряженности поля в п раз энергия поля возрастает в п2 раз.  [7]

В частности, при возрастании напряженности поля в п раз энергия поля возрастает в л2 раз.  [8]

В частности, при возрастании напряженности поля в п раз энергия поля возрастает в п раз.  [9]

Видпо, что по мере возрастания напряженности поля излучения, а при большой напряженности - по мере настройки резонанса кроме основного максимума, соответствующего спонтанной релаксации состояния ЗРз / 2, появляются симметричные сателлиты со стороны меньших и больших частот - киазиэнергегические компоненты. Количественный анализ результатов этого эксперимента показал, что расчеты по соотношениям ( 2) - ( 4) хорошо описывают реальную ситуацию.  [10]

В рассмотренном примере это соответствует локальному возрастанию напряженности поля более чем на два порядка по сравнению со средним значением. Такие поля вызывают пробой атмосферного воздуха, если они сосредоточены в не очень малых объемах. В связи с этим необходимо установить, при каких условиях возможны пробой воздуха вблизи заряженных концов кластера и возникновение в этой области коронного разряда.  [11]

12 Изоляция стенок разрядной камеры от плазмы. [12]

Эта дистанция должна уменьшаться также с возрастанием напряженности поля.  [13]

Электропроводность раствора электролита при высоком напряжении увеличивается с возрастанием напряженности поля. Это явление происходит, когда скорость миграции иона становится сравнимой со скоростью образования ионной атмосферы. Это обусловливается, во-первых, увеличением числа ионов в растворе, вызывающим уменьшение константы устойчивости любого присутствующего комплекса, и, во-вторых, увеличением ионных подвижностей. Онзагер [55] показал, что при данной температуре и диэлектрической постоянной константа устойчивости PI ( X) незаряженного комплекса ВА в электрическом поле напряженности X может быть связана с константой устойчивости в поле нулевой напряженности, с X, с валентностями и эквивалентной электропроводностью групп А и В.  [14]

15 Когда рамка ориентируется в неоднородном поле, то действующие на нее силы дают равнодействующую, вызывающую. движение рамки и область наибольшей напряженности поля, а Вид на рамку сверху. / - ток в рамке. б сложение сил F, и Рг, действующих на боковые стороны рамки. F - равнодействующая сила, стремящаяся втянуть рамку в область наибольшей напряженности поля. [15]



Страницы:      1    2    3    4