Возрастание - поглощение
Cтраница 2
 |
Вязкость раствора при различных значениях давления и температуры. [16] |
При давлении, равном ps, имеет место значительное уменьшение вязкости раствора и резкое возрастании поглощения звука. Во всех рассмотренных случаях отмечается существенное снижение вязкости растворов вблизи давления насыщения. [17]
Очевидно, что положение парастрофии ведет к уменьшению, а эпистрофии, антистрофии или диастрофии - к возрастанию поглощения света. Насколько успешно это осуществляется, показывает фиг. Fanaria меняют свой вид при переходе от эпистрофии к апострофии. [18]
 |
К выводу закона Бугера. [19] |
Необходимо ввести прежде всего параметр, характеризующий поглощение вещества независимо от толщины слоя, и затем найти закон возрастания поглощения с толщиной слоя. [20]
Необходимо отметить, что повышение температуры до 115 С при 2 0 МПа не сопровождается заметным изменением превращения диэтилалюминийгидрида с возрастанием поглощения этилена, что свидетельствует о протекании в этих условиях побочных реакций. [22]
Наложение внешнего измеряемого переменного магнитного поля резонансной частоты приводит к разрушению преимущественной ориентации атомов ( выравнивается населенность подуровней), что отражается в возрастании поглощения света. [23]
 |
Энергетическая характеристика фотоприемника.| Спектральная характеристика фотоприемника. [24] |
Типичная спектральная характеристика фотоприемника изображена на рис. 5.39. Длинноволновая граница спектра ЯГР определяет максимальную длину волны падающего на фотоприемник излучения; коротковолновая граница Кк обусловлена возрастанием поглощения излучения в пассивных областях структуры при уменьшении длины волны. [25]
 |
Энергетическая характеристика фотоприемника.| Спектральная, характеристика фотоприемника. [26] |
Типичная спектральная характеристика фотоприемника изображена на рис. 2.6. Длинноволновая граница спектра Агр определяет максимальную длину волны падающего на фотоприемник [ см. выражение (2.2) ] излучения; коротковолновая граница Як обусловлена возрастанием поглощения излучения в пассивных областях структуры при уменьшении длины волны. [27]
Рассмотрим основные направления, по которым могут осваиваться эти диапазоны с точки зрения чувствительности ПВМС, у - в УФ-чувствительные ПВМС, Основные ограничения на чувствительность ПВМС в УФ-области спектра накладываются возрастанием поглощения света в слоях структуры: в подложке, в прозрачном электроде. Большой коэффициент поглощения 7 и УФ-излучсния приводит к поглощению этого излучения в приповерхностной области полупроводников, характеризуемой высокой скоростью рекомбинации носителей. Это снижает фоточувств ительность полупроводников в этой области спектра. Кроме того, снижается квантовый выход фотоэффекта из-за появления, новых каналов возбужде. [28]
Они нашли, что при постоянной интенсивности освещения интенсивность флуоресценции в растворе этилхлорофиллида в этаноле возрастает при увеличении концентрации от 1 К) - 1 до 1 10 - б моль / л; это происходит вследствие возрастания поглощения. При дальнейшем увеличении концентрации интенсивность флуоресценции не остается постоянной, а быстро спадает, уменьшаясь при 1 10 - 4 моль / л до Ye своего максимального значения. [29]
Это явление исследователями объясняется по-разному: образованием NO, активацией N2 в дуговом разряде в присутствии О2, увеличением растворимости азота в железе при сварочных температурах в присутствии FeO, хорошей растворимостью окиси азота в жидкой ванне металла, возрастанием электрического поглощения в катодном ( анодном) пятне. В работе [50] указывается, что поглощение азота жидким металлом происходит в молекулярном состоянии. [30]
Страницы: 1 2 3 4