Cтраница 2
Изменение проводимости слабых электролитов под влиянием электрического поля высокой напряженности. [16] |
Однако в растворах слабых электролитов возрастание проводимости намного значительнее, чем в растворах сильных электролитов того же соотношения зарядности ионов ( рис. 4.10 и 4.11), хотя оно не связано с исчезновением электрофоретического и релаксационного эффектов. [17]
Выдвинутая Вайбелем гипотеза, объясняющая возрастание проводимости увеличением подвижности электронов в сильных полях, должна быть исключена из рассмотрения. Эксперименты указывают, скорее, на постоянство подвижности или ее уменьшение. Теоретический расчет, проведенный Ландау, дает уменьшение подвижности в полях порядка нескольких тысяч вольт. [18]
В заключение отметим, что явление возрастания проводимости полупроводников в сильных электрических полях используется в технических устройствах для защиты линий электропередач от перенапряжений. [19]
Зависимости для трения и теплообмена в сжимаемом пограничном слое ( Л. 59 ]. [20] |
При еще более высоких энтальпиях снова наблюдается возрастание проводимости с ростом энтальпии, так как происходит ионизация атомов как азота, так и кислорода. [21]
Мы перечислили несколько факторов, которые могут быть ответственны за возрастание проводимости в сильных полях. Некоторые из них ( рост температуры, переброс зарядов, уменьшение барьера) начинают проявляться уже при относительно слабых полях, но они вызывают сравнительно малое увеличение а с возрастанием напряженности поля. Другие факторы ( увеличение ионизации при соударениях) проявляются при более сильных полях, но зато при наличии их проводимость растет быстрее. Для рассмотренных в данной статье явлений большее значение, оказывается, имеют первые из вышеназванных факторов. Если они не вызывают термического пробоя, то начинают действовать факторы второго рода, приводящие к пробою. [22]
Мы перечислили несколько факторов, которые могут быть ответственны за возрастание проводимости в сильных полях. Некоторые из пих ( рост температуры, переброс зарядов, уменьшение барьера) начинают проявляться уже при относительно слабых полях, но они вызывают сравнительно малое увеличение о с возрастанием напряженности поля. Другие факторы ( увеличение ионизации при соударениях) проявляются при более сильных полях, но зато при наличии их проводимость растет быстрее. Для рассмотренных в данной статье явлений большее значение, оказывается, имеют первые из вышеназванных факторов. Если они не вызывают термического пробоя, то начинают действовать факторы второго рода, приводящие к пробою. [23]
Высокое удельное сопротивление ( 1013 ом-см), большая кратность возрастания проводимости при освещении ( до 102 - 103) и стабильность свойств делают фталоцианин меди очень удобным материалом для этих целей. Указывается, что органические фотопроводящие мишени по сравнению с обычными будут иметь лучшие спектральные характеристики в ультрафиолетовой, видимой и инфракрасной областях спектра. [24]
Микронагрев контактирующих точек между кристаллами карбида кремния, приводящий к возрастанию проводимости контактов. При этом количество выделяющегося тепла невелико, и нагрев всего варистора может не наблюдаться. [25]
Что касается реакции дегидратации, то на основании полученных данных по возрастанию проводимости при высокотемпературной адсорбции воды в каталитических опытах в соответствии с предсказаниями теории следует ожидать еще большего усиления дегидрирования и уменьшения дегидратации. В действительности имеет место резкое изменение селективности в сторону дегидратации. [26]
При этом должны сохраняться те же закономерности, которые наблюдал Рутгерс, в частности возрастание проводимости раствора в капилляре и связанное с ним падение потенциала протекания. [27]
Микронагрев контактирующих точек между зернами сопротппле ния, приводящий к облегчению электронной эмиссии, возрастанию проводимости переходных слоев и частичному их пробою. При этом количество выделяющегося тепла невелико и нагрев в макроскопическом смысле не наблюдается. [28]
Средняя пробивная напряженность в зависимости от промежутка между. [29] |
Изменение напряженности EAV с радиусом может быть объяснено согласно теории внутреннего пробоя, которая связывает возрастание проводимости с напряженностью поля. Проводимость диэлектрика около острия с высокой напряженностью поля больше, чем в остальной части, что влечет за собой ослабление эффективного поля у острия. Таким образом, при заданном значении d отношение Етзу 1Ег должно быть значительно больше при малых радиусах кривизны иглы, чем при больших, что и наблюдается при эксперименте. Заслуживает внимания то обстоятельство, что отношение Ет2Х / Е1 изменяется с величиной rid одинаково при температурах 20, 60 и 100 С. Это указывает на то, что во всем диапазоне температур от 20 до 100 С происходит аналогичное изменение проводимости, вызываемое воздействием поля, хотя теперь можно думать, что выше 60 С разрушение материала происходит под влиянием электромеханического сжатия. [30]