Cтраница 4
Величина означает здесь энергию активации электропроводности, которая в полупроводниках, описываемых зонной моделью, обычно бывает связана с шириной запрещенной зоны ( собственная проводимость) либо с расстоянием донорного или акцепторного уровня от дна зоны проводимости или соответственно потолка вачентной зоны. В таком случае возрастание проводимости с температурой, как правило, связано с ростом числа носителей, в то время как подвижность меняется с температурой незначительно. Езли же зонное приближение неприменимо, то понятие энергии активации имеет более сложный смысл. Как мы увидим позднзз, температурная зависимость а в таком случае обычно обусловлена изменением подвижности. [46]
Природа проводимости неметаллических веществ подробно изучается в курсе физики. Здесь мы отметим лишь, что возрастание неметаллической проводимости вызвано резким увеличением числа свободных электронов, образующихся за счет разрыва ковалентных связей при усилении колебаний атомов. [47]
Устройство термокомпенсации собрано на транзисторе VT8, корпус которого непосредственно соединен с резистором транзистора VTII. Возрастание температуры выходных транзисторов приводит к возрастанию проводимости транзистора VT8 и, следовательно, к уменьшению тока покоя до определенного значения. [48]
Термокомпенсация осуществляется на транзисторе V8, корпус которого механически соединен с радиатором транзистора VII. Увеличение температуры выходных транзисторов приводит к возрастанию проводимости транзистора V8 и, следовательно, к уменьшению тока покоя. [49]
Вольт-амперная характеристика электрической. [50] |
В металле количество свободных электронов не зависит от температуры, а в дуговом столбе количество электронов резко возрастает при нагревании вследствие термической ионизации. Благодаря этому увеличение температуры приводит к возрастанию проводимости дугового столба. [51]
Уровни напряжений сигнала в контрольных точках стереоусилителя Трембита-002 - стерео. [52] |
Корпуса этих транзисторов соединены непосредственно с радиатором выходных мощных транзисторов. Возрастание температуры выходных транзисторов приводит к возрастанию проводимости транзисторов VTI ( VT2), следовательно, к уменьшению тока покоя до определенного значения. [53]
Поскольку сильно увеличивается количество электронов и дырок ( собственная электропроводность преобладает над примесной), то проводимость полупроводника резко возрастает. Температура гкр, начиная с которой происходит возрастание проводимости, называется критической или температурой вырождения. [54]
Зеннер объясняет возрастание электропроводности просачиванием электронов с металлического катода в энергетическую зону проводимости полупроводника. Это наиболее естественный с современной точки зрения механизм возрастания проводимости. Однако понимание выпрямления, к которому приводят наши опыты, решительно отвергает ту роль металлического катода, которую ему приписывает Зеннер. [55]
Зеннер объясняет возрастание электропроводности просачиванием электронов с металлического катода в энергетическую зону проводимости полупроводника. Это наиболее естественный с современной точки зрения механизм возрастания проводимости. [56]
Величина сопротивлений зависит от положения мембранного блока, поэтому возрастание проводимости одного сразу ведет к уменьшению проводимости другого. Положение мембранного блока определяется значениями входных сигналов и однозначно определяет выходной сигнал. [57]
Кривые проводимости и ионизации применительно к азотнокислому тетраизоамиламмонию в системе дио-ксан - вода. [58] |
Как ни соблазнительна описанная выше теория ионных триплетов, все же не следует делать из нее вывода о безусловной не обходимоети образования детергентами такого рода ионов в углеводородных растворителях. Прежде всего необходимо отметить, что, согласно данным Мэтьюса и Гиршгорна, для объяснения возрастания проводимости такая гипотеза отнюдь не требуется. Данные этих исследователей не являются непосредственно сравнимыми с результатами работы Крауса и Фуосса. Следует предполагать, что поведение коллоида в додекане будет совершенно иным, чем в диоксане. [59]
Загрязнения и влага на поверхности фарфора искажают данные измерения токов проводимости. Измерения токов проводимости на морозе ( ниже нуля) не дают необходимых результатов, так как при этом не выявляется возрастания проводимости при проникновении в полость разрядника влаги. [60]