Cтраница 2
В - постоянная, а показатель степени а всегда меньше единицы, но больше нуля. Следовательно, возрастание фототока отстает от возрастания светового потока. Это выражение не может претендовать на универсальность. Например, существуют фотосопротивления, у которых до некоторого значения Ф сохраняется линейная зависимость / ф от Ф, а затем эта линейность нарушается. [16]
У вакуумных фотоэлементов и фотоумножителей постоянная засветка от фона сказывается на величине основной составляющей шумов - токе дробового эффекта. Рост этой составляющей вызывается возрастанием суммарного фототока. Фоновая засветка сказывается также на увеличении радиационного шума, который при высоких температурах фоновых излучателей становится сравнимым с дробовым шумом. [17]
В полях до 1 - 10 кв / см для разных веществ ( органические красители [1-3], ароматические полициклические соединения [4-6]) фото-ток подчиняется закону Ома. В более сильных полях наблюдается отклонение от закона Ома в сторону непропорционального возрастания фототока. [18]
Весь прибор с отростками, содержащими ампулы с калием, натрием и цезием, помещают в активировочную печь. При 180 - 220 С сурьму обрабатывают парами калия, испаряющегося из ампулы, обработку ведут при непрерывной откачке и заканчивают при возрастании фототока до максимального значения. Затем ампулу с калием отпаивают. Сурьмяно-калиевый ( K3Sb) фотокатод имеет характерный сиреневый цвет; его интегральная чувствительность достигает 0 6 - 4 мка / лм. [19]
Вследствие смещения демаркационных уровней часть уровней ловушек захвата становится уровнями рекомбинационных ловушек. С ростом концентрации рекомбинационных ловушек уменьшается время жизни носителей заряда, что и является первой причиной сублинейности световой характеристики. Закономерности возрастания фототока от освещенности различны у различных фоторезисторов и определяются концентрацией тех или иных примесей в полупроводнике и распределением примесных уровней по запрещенной зоне энергетической диаграммы полупроводника. [20]
Это означает, что даже при отсутствии напряжения часть испущенных катодом электронов достигает анода. Увеличение ускоряющего напряжения приводит к возрастанию фототока, а затем к его насыщению. При насыщении практически все электроны, испущенные катодом, попадают на анод. [21]
Совсем недавно Хасигава и Шнейдер39 наблюдали фототок в антрацене, используя импульс высокой интенсивности при 694 3 нм от рубинового лазера. Эта длина волны находится вне области поглощения кристалла, поэтому появление фототока приписывают либо оптическому высвобождению носителей из ловушек, либо возбуждению положительно или отрицательно заряженных ионов антрацена, присутствующих в кристаллах. В пользу этих объяснений свидетельствует и возрастание фототока при предварительном облучении кристалла ультрафиолетовыми лучами. [22]
При неравномерном легировании базовой области ( с плавным увеличением концентрации акцепторов от р-я-перехода к тыльной поверхности в базе р-типа) в ней возникает электрическое поле, приводящее к увеличению эффективной длины диффузионного смещения электронов и снижающее потери на объемную рекомбинацию генерированных светом носителей. Однако это приводит и к ряду негативных явлений: уменьшается напряжение холостого хода вследствие снижения потенциального барьера при уменьшении концентрации примеси вблизи р-я-перехода; уменьшаются значения времени жизни и диффузионной длины электронов в материале с большей концентрацией акцепторов. Поэтому более широкое распространение получили кремниевые СЭ с резким изотшшымр-р ( п-п) барьером вблизи тыльного металлического контакта. Наличие тыльного потенциального барьера обеспечивает отражение неосновных носителей от поверхности, снижая роль поверхностной рекомбинации и увеличивая эффективность собирания ННЗ, генерированных в базе фотонами с малой энергией. Дополнительно к этому в СЭ с тыльным барьером увеличивается напряжение холостого хода, что обусловлено возрастанием фототока и уменьшением обратного тока насыщения вследствие снижения рекомбинационного тока на тыльной поверхности. [23]
В самом деле, электрон в металле связан с атомами металла, так что для его вырывания яеобходима затрата определенной энергии. Если фотон обладает нужным запасом энергии ( а энергия фотона определяется частотой излучения. В процессе взаимодействия с металлом фотон полностью отдает свою энергию электрону, ибо дробиться на части фотон не может. Энергия фотона будет частично израсходована на разрыв связи электрона с металлом, частично на сообщение электрону кинетической энергии движения. Поэтому максимальная кинетическая энергия выбитого из металла электрона не может быть больше разности между энергией фотона и энергией связи электрона с атомами металла. Следовательно, при увеличении числа фотонов, падающих на поверхность металла в единицу времени ( т.е. при повышении интенсивности освещения), будет увеличиваться только число вырываемых из металла электронов, что приведет к возрастанию фототока, но энергия каждого электрона возрастать не будет. [24]
В полях с напряжением менее нескольких киловольт на 1 см фототек z изменяется по закону Ома. Это означает, что дырочный тип проводимости часто обусловлен присутствием адсорбированного кислорода - сильного акцептора электронов, изменяющего соотношение электронов и дырок в пользу последних. Как правило, знак носителей фототока совпадает со знаком темновых носителей. Органические полупроводники обнаруживают фотоэлектрическую чувствительность в широком диапазоне частот спектра. Изучение спектральной зависимости фотопроводимости показало, что в очень тонких слоях или в монокристалле максимальные значения фототока совпадают с максимумами в спектрах поглощения. Однако для обычных поликристаллических объектов в области максимума поглощения наблюдается минимум фототока. Это объясняют тем, что интенсивное образование носителей фототока, происходящее под действием поглощаемого света в объеме вещества, может не вызвать возрастания фототока из-за еще более интенсивной рекомбинации ( исчезновения) этих носителей, протекающей при освещении на поверхности. [25]