Возрастание - фототок
Cтраница 1
Возрастание фототока в интервале 6500 - 5000 А, быть может, связано с фотоэффектом с уровней избыточных атомов цезия, хотя с тем же успехом этот рост можно трактовать и как начало фотоэмиссии из заполненной зоны. [1]
Примеси, вызывающие возрастание фототока. [2]
 |
Теоретическая зависимость фототока от длины волны света. [3] |
Это обстоятельство обусловливает возрастание фототока при больших длинах волн и его понижение при малых значениях длин волн. [4]
 |
Кривые / 4 - ф в 0 01 М рас. [5] |
Можно полагать, что возрастание фототока связано с двоякой ролью, которую играет специфическая адсорбция анионов. При отрицательных зарядах поверхности, когда под действием поля диффузного слоя практически все эмиттированные электроны остаются в растворе и фото-ток близок к предельному, изменение о) - потенциала в результате адсорбции галоидов Ф В сказывается главным образом на токе собственно эмиссии. [6]
В схемах отрицательного действия возрастание фототока приводит к тому, что сетка выходной лампы становится более отрицательной, в результате чего анодный ток уменьшается. [8]
Зерна столбчатой формы имеют более низкую скорость объемной рекомбинации, что способствует возрастанию фототока. Таким образом, пленки, обладающие столбчатой структурой, обеспечивают более высокие характеристики элементов, причем улучшение характеристик происходит также при. Пленки столбчатой структуры, получаемые методом вакуумного испарения, содержат зерна с ярко выраженной преимущественной ориентацией оси с относительно нормали к поверхности подложки. При небольшой толщине пленки образуются очень мелкие разориентированные зерна. [9]
Формирующийся на поверхности Cu S слой Ct O или СиО снижает скорость рекомбинации носителей, что приводит к возрастанию фототока. Уменьшение фототока элементов ( при неизменном значении Voc), наблюдаемое при чрезмерном нагреве, объясняется либо ослаблением электрического поля на границе раздела вследствие перекомпенсации и значительного расширения области пространственного заряда, либо изменением фазового состояния CuxS из-за дефицита меди. Несоответствие параметров кристаллических решеток Cu2S и CdS является причиной появления механических напряжений в области границы раздела, а также упругих напряжений, простирающихся в объем структуры, под влиянием которых образуются энергетические уровни в запрещенной зоне. Объемные механические напряжения, по-видимому, компенсируются полями упругих напряжений дислокаций, возникающих в области границы раздела в процессе термообработки. [11]
 |
Теоретическая зависимость фототока от длины волны света. [12] |
В материале реальных фотосопротивлений действуют неучтенные при построении рис. 5 - 4 факторы, которые приводят к тому, что возрастание фототока начинается при значительно больших длинах волн, чем Ях, а при длинах волн, меньших чем A b происходит его значительный спад. [13]
 |
Вероятность заполнения энергетических уровней в равновесном состоянии ( кривая / и в неравновесном состоянии ( кривая 2, т. е. при освещении фоторезистора. [14] |
С ростом концентрации ре-комбинационных ловушек уменьшается время жизни носителей, что и приводит к сублинейной зависимости световой характеристики. Закономерности возрастания фототока от освещенности у фоторезисторов различные в зависимости от наличия разнообразных примесей и их концентрации. [15]
Страницы: 1 2