Cтраница 1
Ударная ионизация в электронном германии при Т 4 2 К. [1] |
Резкое возрастание проводимости в электрическом поле носит название эффекта Пуля. Возрастание проводимости по экспоненциальному закону, как правило, связано с увеличением концентрации носителей заряда. Рост концентраций обусловливается рядом причин. [2]
Резкое возрастание проводимости в электрическом поле носит название эффекта Пуля. [3]
Этот показатель и резкое возрастание проводимости при увлажнении термоциклированных образцов говорят о том, что термоудары приводят к ухудшению адгезии связующего к наполнителю, появляются микротрещины. Появление скачка деформации у АГ-4 отмечается при более низких нагрузках. [5]
Вышеуказанной области температур начинается резкое возрастание проводимости областей полисопряжения до 10 ом 1-см 1 при 1100 С. Можно отметить, что, согласно изучению спектров ЭПР, температура - 700 С является граничной, ниже которой происходит лишь количественный рост размеров областей сопряженных связей с возрастанием ТТО, а выше наблюдается качественное изменение областей, заключающееся в более глубокой симметризации их структуры. [6]
Однако освещение приводит к резкому возрастанию проводимости серы. Два других элемента - селен и теллур - являются типичными полупроводниками. [7]
Развитие тока молнии, - накопление зарядов в лидерной стадии. б - нейтрализация зарядов в стадии главного разряда. [8] |
Главный разряд приводит к резкому возрастанию проводимости канала молнии. Через этот канал по завершении главного разряда стекают остаточные заряды лидера и облака. В этой стадии ток, называемый током послесвечения, достигает сотен ампер и лишь изредка тысяч ампер. Этим током через канал молнии переносится основной заряд той части грозового облака, откуда начался грозовой разряд. В стадии послесвечения молния может быть уподоблена дуге постоянного тока между облаком и землей. Эта дуга поддерживается в течение тысячных или даже сотых долей секунды. [9]
Верхняя граница переходной зоны отбивается по незначительному увеличению эффективной проводимости, нижняя - посередине резкого возрастания проводимости на контакте водонефтяной смеси с зеркалом воды. [10]
В Институте физики высоких давлений АН СССР проведены опыты по сжатию молекулярного водорода. Обнаружено резкое возрастание проводимости при давлении 3 млн. ат, что может быть интерпретировано как переход газа в металлическое состояние. Кикоин отмечал, что получение металлического водорода весьма увлекательная проблема, возникшая в связи с тем, что водород, являющийся превосходным изолятором, при известных условиях может становиться идеальным проводником электрического - тока - сверхпроводником. [11]
Возможное предположение о том, что эти обстоятельства как-то связаны со сверхпроводимостью ср. KLK при каком-ли о правдоподобном допущении относительно вероятности столкновений невозможно объяснить резкое возрастание проводимости в критической точке. [12]
Высокотемпературные модификации 3-го типа ( a - YF3, a - ErF3, a - YbF3, a - TmF3 и a - LuF3) резко отличаются от первых двух типов. Фазовый переход f - - a связан с большой теплотой перехода ( согласно [26, 27] Д / 7 % 0 42 кДж / моль32 43; 29 54; 30 29; 24 64 и 25 06 соответственно для YF3, ErF3, TmF3) YbF3 и LuF3) и с резким возрастанием анионной проводимости по сравнению с - формой. [13]
К настоящему времени достаточно четко выкристаллизовались две точки зрения на совокупность всех экспериментальных фактов, связанных с коллективными свойствами экситонов в полупроводниках. Одни авторы считают, что при гелиевых температурах экситоны связываются попарно и образуют молекулы, подобно молекулам водорода. Если концентрация молекул становится достаточно высокой, то может происходить их конденсация с образованием экситонной жидкости. Другие авторы отрицают возможность существования биэкситонов и полагают, что экситонная жидкость образуется непосредственно из свободных экситонов. В обоих случаях допускается переход системы плотно упакованных экситонов из диэлектрического в металлическое состояние с резким возрастанием проводимости. Кроме того, возможна бозе-эйн-штейновская конденсация экситонов. [14]
Стекла этой системы являются типичными диэлектриками. Электропроводность их сильно зависит от термической обработки. Замена серы селеном приводит к повышению проводимости и значительной ее стабилизации. В зависимости от соотношения компонентов в системе As-Ge-Se проводимость изменяется от 10 - 12 до 10 - 16 ом-1 см-1. В стеклообразной системе As-Ge - Те проводимость составляет К) - - lO 8 ом-1 см-1. Таким образом, при замене серы селеном и теллуром в трехкомпонентной системе As-Ge - ( S, Se, Те) происходит резкое возрастание проводимости, энергия активации электропроводности соответственно снижается. [15]