Cтраница 1
Резкое возрастание обратного тока, наступающее даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения, называют пробоем перехода. Природа пробоя может быть различной: он может быть электрическим, при котором р - n - переход не разрушается и сохраняет работоспособность, и тепловым, пэи котором разрушается кристаллическая структура полупроводника. [1]
Резкое возрастание обратного тока, наступающее даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения, называют пробоем перехода. Природа пробоя может быть различной: он может быть электрическим, при котором p - n - переход не разрушается и сохраняет работоспособность, и тепловым, при котором разрушается кристаллическая структура полупроводника. [2]
Резкое возрастание обратного тока диода из-за ударной ионизации называется лавинным, пробоем, диода. [3]
При этом наблюдается резкое возрастание обратного тока при почти неизменном уровне обратного напряжения. Это явление используется в стабилитронах, нормальным включением которых в цепь источника постоянного напряжения является обратное. [4]
Рост напряженности поля в р-п переходе ограничен резким возрастанием обратного тока при достижении некоторого критического значения напряженности поля. Это явление называют пробоем р-п перехода, а напряжение, при котором оно происходит, - напряжением пробоя. [5]
Обратная ветвь вольтамперной характеристики р-п перехода с областями пробоя ( а. [6] |
В зависимости от природы физических процессов, обусловливающих резкое возрастание обратного тока, различают четыре основных типа пробоя: тепловой, туннельный или зинеровский, лавинный и поверхностный. [7]
Туннельный пробой. [8] |
Под пробоем р-п перехода понимают резкое уменьшение дифференциального обратного сопротивления, сопровождающееся резким возрастанием обратного тока при незначительном увеличении напряжения. [9]
Под пробоем р-п перехода понимают резкое уменьшение дифференциального обратного сопротивления, сопровождающееся резким возрастанием обратного тока при незначительном увеличении напряжения Разумеется, понятие резких изменений условно; по существу те процессы, которые обусловливают пробой, начинают проявляться в той или иной мере при напряжениях, значительно меньших пробивного. [10]
Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. [11] |
Однако если обратное напряжение, приложенное к р-п переходу, превысит определенное значение, то возникнет электрический пробой р-п перехода, характеризующийся резким возрастанием обратного тока при незначительном изменении обратного напряжения. В силовых диодах пробой обычно обусловлен ударной ионизацией атомов кристалла свободными носителями заряда и называется лавинным. Возникновение лавинного пробоя приводит к выходу диода из строя ( из-за резкого повышения выделяемой при этом мощности), если при его изготовлении не предусмотрены специальные технологические мероприятия, которые позволяют ограничить выделяемую мощность при протекании обратного тока. [12]
Особое внимание следует обратить на возможность выхода диода из строя ( пробой р - п перехода) в период измерений, что может привести к резкому возрастанию обратного тока и повреждению микроамперметра. [13]
Эти пары способствуют резкому возрастанию обратного тока. При тепловом же пробое происходит недопустимый перегрев р-п-перехода и он выходит из строя. [14]
Пробивное напряжение Un - o6 - напряжение на диоде, при котором отношение изменения напряжения к изменению тока становится равным нулю. Превышение этого значения напряжения приводит к резкому возрастанию обратного тока и разрушению диода. [15]