Резкое возрастание - обратный ток
Cтраница 2
Кроме перечисленных выше возможных составляющих поверхностного тока при больших обратных смещениях может возникнуть еще одна, обусловленная развитием ударной ионизации на поверхности р - - перехода. Возникновение ударной ионизации на поверхности приводит к резкому возрастанию обратного тока с увеличением напряжения, наблюдается поверхностный пробой. Это говорит об изменении поверхностного заряда. Поверхность прибора очищается от хемосорбированных молекул, а ширина обедненной области р - - перехода на поверхности приближается к ширине в объеме. Это приводит к увеличению напряжения поверхностного пробоя вплоть до значения, соответствующего объемному пробою. [16]
На обратной ветви различают три участка: первый ОВ сравнительно невелик, вентиль обладает еще малой проводимостью и через p - n - переход проходит небольшой ток / Обр. ВГ при значительном увеличении обратного напряжения ток / OQP достигает насыщения и незначительно возрастает; третий участок ГД характеризуется резким возрастанием обратного тока при незначительном изменении С / 0бр / и наступает пробой р - / перехода. [17]
 |
Графики напряжения и выпрямленного тока ( а, простейшая выпрямительная схема ( б. [18] |
Рабочие диапазоны температур кремниевых диодов находятся в пределах - 60 - н 125 С, германиевых - 60 - f - Ч - 85 С. Невысокий верхний предел рабочей температуры германия обусловлен тем, что при Т 85 С тепловая генерация носителей заряда становится настолько высокой, что происходит резкое возрастание обратного тока и, i эффект выпрямления практи - Д j чески исчезает. [19]
Ток / о составляет несколько микроампер и им можно пренебречь. Дальнейшее увеличение обратного напряжения ( выше / 06 max) приводит к электрическому пробою Р - Л / - перехода ( при / 7 р) 5), сопровождающемуся резким возрастанием обратного тока. Пробой P - jV - перехода происходит под действием внутренней электростатической ионизации, в результате которой электронам сообщается энергия, достаточная для освобождения их от парноэлектронных связей и преодоления потенциального барьера. В результате ударной ионизации атомов полупроводника в районе P - yV - перехода носителями, образующими первичный обратный ток, наступает лавинный пробой. Пр-i ударной ионизации одновременно образуются электрон и дырка, являющиеся неосновными носителями тока, поэтому электрическое поле P-iV - перехода направляет электроны и дырки соответственно в полупроводники типа N и Р, увеличивая обратный ток. [20]
Значительное отступление от теоретической зависимости наблюдается при увеличении прямого напряжения ( U рт), когда ток через переход начинает ограничиваться не сопротивлением перехода, а сопротивлением толщи р - и гс-областей полупроводника, и при больших обратных напряжениях ( - Е / обр1 Фт) когда наблюдается резкое возрастание обратного тока и пробой перехода. [21]
В процессе циклирования меняется не только - тепловое сопротивление, но и еще ряд параметров прибора. На рис. 3 - 28 показано изменение обратного тока для диодов ВК. Увеличение обратного тока в начале циклирования можно отмести за счет частичного разрушения защитного покрытия фаскл кремниевой шайбы, размягчения припоев, выделения флюса. Резкое возрастание обратного тока перед выходом вентиля из строя объясняется значительным перегревом структуры. [22]
Страницы: 1 2