Фарнсворт

Cтраница 1

Фарнсворт в экспериментах по дифракции медленных электронов применил ионное распыление для получения атомарно-чистых поверхностей. Как правило, исследуемая поверхность бомбардировалась ионами аргона с энергией меньше 500 эВ, и для получения поверхности высокой чистоты необходимо было удалить внедренные ионы инертного газа и отжечь радиационные дефекты. [1]

Фарнсворт ( Н. Е. Farnsworth, Brown University): После того как наша работа ( статья 46) была доложена, мы получили дополнительные результаты типа приведенных на рис. 1 статьи 46, но с различной степенью отжига после ионной бомбардировки. Подобным же образом, зависимость интенсивности дифракционных линий оксидного слоя от температуры закалки ( температура, при которой высокотемпературный нагрев сменяется радиационным охлаждением) указывает на то, что интенсивность уменьшается с понижением температуры закалки. Эти результаты подтверждают концепцию хемосорбции на дефектах решетки и предположение о том, что остальная часть поверхности оказывается заполненной благодаря процессу поверхностной диффузии. Такая концепция, следовательно, требует изменения выводов, сделанных нами в предыдущей статье, относительно условий, необходимых для образования монослоя. [2]

Фарнсворт ( Н. Е. Farnsworth, Brown University): После ионной бомбардировки и отжига поверхность при увеличении в 800 раз не кажется шероховатой. [3]

Фарнсворт, ранее работавшую на кафедре медицины МТИ, ныне профессора гигиены Гарвардского университета, и д-ра Мориса Шафетца. [4]

В дальнейшем Фарнсворт показал, что пространства Райта, Мак Адама и Манселла отличаются главным образом различным растяжением по оси от фиолетового до зелено-желтого. Следовательно, три соответствующих криволинейных графика не могут совпасть благодаря простым линейным преобразованиям. Предполагалось, что за различия ответственны различные условия наблюдения, используемые в этих трех работах. [5]

Перестройка структуры поверхностей ( 100, ( 111, ( 110 никеля с увеличением степени заполнения поверхности ( 6 по результатам ДМЭ [ Demuth J.E. et al., Sail. Sci., 42, 261, ( 1974 ]. [6]

В установке конструкции Фарнсворта ( б) число электронов ( т.е. абсолютная интенсивность) измеряется цилиндром Фарадея. [7]

Устройство диссектора 53. [8]

В дальнейшем эта трубка стала широко известна под названием диссектор Фарнсворта. [9]

Впервые ДМЭ-картина Si ( lll) 7 х 7 была опубликована в работе Фарнсворта и др. ( 1959), но окончательная расшифровка структуры, ответственной за эту картину, произошла только в самом конце 80 - х годов. На ранних этапах исследования существовало подозрение, что появление структуры Si ( lll) 7 x 7 является симптомом присутствия примесей вблизи поверхности, которые, образуя новые химические связи, инициируют ее реконструкцию. Одно из предположений состояло в том, что примесь ( возможно, углерод или хлор) сидит в кремнии под поверхностью. Оже-электронная спектроскопия могла не обнаруживать этой примеси, поскольку последняя могла лежать глубже длины свободного пробега Оже-электронов относительно неупругого рассеяния. [10]

Детализация состояния адсорбированных молекул ( эпитаксия, поверхностная диффузия) на гранях кристаллов металлов и полупроводников дана в статье Фарнсворта. [11]

Полная схема трубки для дифракции электронов ( работу. 1 Т. но с полиР ванной поверхностью. 2 - термопара. 3 - кристалл. 4 - удаляемый экран с фосфоресцирующей поверхностью. S - электронные линзы. 6 - нить из торированного тантала 7 - поверхность, покрытая фосфором. 8 - сетки.. 9 - покрытие из окиси олова 10 - вольфрамовая лента для осуществления бомбардировки образца. 11 - фотокамера. [12]

Еще точно не известно, но кажется весьма вероятным [461], что при достаточно низких температурах адсорбция водорода не должна сопровождаться перестройкой граней НО, но точно установлено [463], что при хемосорбции окиси углерода на гранях 110 при обычных температурах не происходит никакой поверхностной перестройки. Парк и Фарнсворт [465] показали, что на чистой грани 110 окись углерода адсорбируется таким образом что на каждый атом чистой поверхности никеля приходится одна молекула СО. Следовательно, двумерная поверхностная ячейка структуры с окисью углерода имеет те же самые размеры, что и ячейка никелевой подложки. Показано, например, что на поверхности монокристаллов кремния и германия имеется поверхностная решетка, которая отличается от решетки лежащего под ней материала. Более того, было найдено [456], что весьма часто на таких поверхностях встречаются упорядоченные структуры, двумерные сверхструктуры, происходят реконструктивные фазовые переходы первого порядка и наблюдаются явления упорядочения. [13]

Если не проведены независимые контрольные измерения, выбирать электрод сравнения следует осторожно. Диллон и Фарнсворт [24], например, нашли, что ПП для кислорода на золотой пластинке, которую использовали в качестве отсчетной для измерений на германии, равен - 0 40 В. Правда, этот результат, по-видимому, не отличается от результатов работы Гопкинса, Ми и Паркера [59], так как электрод представлял собой золотую пластинку весом 4 8 г на никелевой подложке и очистка его производилась только спеканием при 350 С. Следовательно, он мог быть загрязнен активными примесями. [14]

В критическом обзоре ГЬшли показано, что явление псевдоморфизма не имеет точного экспериментального подтверждения, так как многие исследователи представили доказательства против него. Недавно Джонс [70] при работе на эмиссионном микроскопе показал, что несколько первых атомных слоев меди, осажденной на вольфраме в высоком вакууме, являются псевдоморфными Шиллер и Фарнсворт [71] при исследовании с помощью метода дифракции электронов малой энергии такого слоя не обнаружили. Совсем недавно Джессер в Мэтьюз [72 - 75] провели изучение роста монокристаллических пленок железа и кобальта на поверхностях ( 100) меди, хрома на поверхностях ( 001) никеля при комнатных и повышенных температурах в высоком вакууме. Они подтвердили псевдоморфный рост железа, кобальта и хрома. Подробности исследований псевдоморфного роста приведены в разд. Хотя по исследованию явления псевдоморфизма работ и немного, однако существует достаточно доказательств того, что материал пленки становится напряженным, так что параметры ее решетки не точно соответствуют параметрам решетки соответствующего ненапряженного монокристалла. Измерения параметров решетки, проведенные Ньюманом и Пэшли [76], для меди, осажденной в вакууме, и химически выраженных пленок AgBr на подложках ( 111) серебра показали, что параметры решетки пленок и AgBr были на 0 75 и 0 50 % меньше, чем параметры соответствующего монокристалла. Эти результаты показывают, что напряжения изменяли параметры решетки пленки, приближая их к параметрам подложки. [15]

Страницы: 1 2