Поверхностная акустическая волна

Cтраница 1

Исследование свойств поверхностных акустических волн в общем случае является трудной задачей. Причина этого заключается в разнообразии классов симметрии кристаллов, так как для каждого такого класса ориентация зависит от трех угловых переменных. [1]

Обобщенная схема решетки электродов. [2]

Влияние дифракции поверхностной акустической волны также не рассматривается. Предполагается, что существует единственная невытекающая пьезоактивная волна рэлеевского типа, а объемные волны не возбуждаются. Сопротивления электродов считаются пренебрежимо малыми. Будем считать, что к электродам приложены напряжения одинаковой частоты, а их амплитуды и фазы произвольны. Это дает возможность использовать получаемые результаты для расчета как преобразователей, так и многополосковых ответвителей. Преобразователи анализируются в этой главе, а многополосковым ответвителям посвящена гл. [3]

Для решения вида поверхностной акустической волны смещение должно убывать в направлении - х3, следовательно, величина Г должна быть мнимой с положительным знаком. При этом величина Р должна быть настолько большой, чтобы правая часть уравнения (2.26) оказалась отрицательной. [4]

Развитие устройств на поверхностных акустических волнах ( ПАВ) является ярким примером рождения новой области техники. Работы в этой области начались в 60 - х годах, после того, как были оценены потенциальные возможности применения рэлеевских волн в радиоэлектронике и были выработаны основные концепции проектирования широкого ряда устройств. Одновременно развивались методы анализа таких устройств, что, в свою очередь, привело к совершенствованию приемов проектирования и улучшению параметров. [5]

Линии задержки на поверхностных акустических волнах позволяют реализовать задержку сигнала 0 1 - 100 мкс на частотах 1 - 103МГц с полосой пропускания до 100 % рабочей частоты. [6]

Объемный акусто-электронный усилитель.| Акустоэлектронный усилитель на поверхностных волнах. [7]

Линии задержки на поверхностных акустических волнах позволяют реализовать задержку сигнала 0 1 - 100 мкс на частотах 1 - 103 МГц с полосой пропускания до 100 % рабочей частоты. [8]

Разработка акусто-электроники, использование поверхностных акустических волн в полупроводниках дадут огромную экономию и сократят трудоемкость изготовления многих изделий электро-нщщ. [9]

Покажите, что для поверхностных акустических волн дифракция на поверхностной волнистости обычно сильнее, чем на модуляции показателя преломления. [10]

В общем случае скорость поверхностной акустической волны должна быть меньше скоростей плоских волн, распространяющихся вдоль направления j в неограниченной среде. [11]

Скорости поверхностных и поверхностных вытекающих акустических волн на плоскости YZ кварца. [12]

Кроме описанных решений вида поверхностных акустических волн граничным условиям для пьезоэлектрического полупространства может удовлетворять также плоская поперечная волна, распространяющаяся параллельно поверхности, как и в изотропном случае. [13]

Найдено, что энергия поверхностной акустической волны полностью перекачивается из одного канала в другой на расстоянии, зависящем от разницы скоростей симметричной и антисимметричной мод. Такие свойства характерны для многих других систем, в которых распространяются слабо взаимодействующие волны. Примером могут служить волны в слабо связанных волноводах. [14]

По сравнению с техникой поверхностных акустических волн применение цифровых методов, как правило, ограничено более низкими частотами, а устройства в целом получаются более громозкими и потребляют больше мощности. Тем не менее новейшие достижения в области технологии интегральных микросхем, увеличение быстродействия и повышение степени интеграции делают цифровые методы все более и более перспективными. [15]

Страницы: 1 2 3 4